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메모리 (10402)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT29F64G08AKCCBH2-10Z : c	-	RFQ	4264	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-tbga	MT29F64G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	100-TBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	100MHz	비 비	64gbit		플래시	8g x 8	평행한	-
MT29F16G08ABACAWP : C TR	-	RFQ	5895	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F16G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	16gbit		플래시	2G X 8	평행한	-
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.8C TR	-	RFQ	3682	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-	-	MT29RZ4			-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1,000
MT29C1G12MAAJVAKC-5 IT	-	RFQ	6677	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는				MT29C1G12M				-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,140
MT25QL512ABB1EW9-0SIT TR	7.4400	RFQ	9721	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-wdfn n 패드	MT25QL512	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	8-WPDFN (8x6) (MLP8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	4,000	133 MHz	비 비	512mbit		플래시	64m x 8	SPI	8ms, 2.8ms
MT29F2G08ABBEAH4-ITX : E TR	-	RFQ	4521	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	MT29F2G08	플래시 - NAND	1.7V ~ 1.95V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	2gbit		플래시	256m x 8	평행한	-
M25P40-VMN6TPBA TR	-	RFQ	8966	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	M25P40	플래시 - 아니오	2.3V ~ 3.6V	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	2,500	75MHz	비 비	4mbit		플래시	512k x 8	SPI	15ms, 5ms
M29W064FB70N3F TR	-	RFQ	4790	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	M29W064	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,500		비 비	64mbit	70 ns	플래시	8m x 8, 4m x 16	평행한	70ns
MT29F16G08ABCBBH1-12IT : B TR	-	RFQ	1186	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	100-VBGA	MT29F16G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	100-VBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83MHz	비 비	16gbit		플래시	2G X 8	평행한	-
MT58L256V32PS-7.5	15.6400	RFQ	2	Micron Technology Inc.	SyncBurst ™	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp		sram- 표준	3.135V ~ 3.6V	100-TQFP (14x20.1)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	휘발성 휘발성	8mbit	4 ns	SRAM	256k x 32	평행한	-
RC28F128M29ewhf	-	RFQ	6161	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-lbga	RC28F128	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA (11x13)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,104		비 비	128mbit	60 ns	플래시	16m x 8, 8m x 16	평행한	60ns
M50FW080N5	-	RFQ	2171	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-20 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	M50FW080	플래시 - 아니오	3V ~ 3.6V	40-tsop	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	120	33MHz	비 비	8mbit	250 ns	플래시	1m x 8	평행한	-
MT46H256M32L4LE-48 WT : C TR	-	RFQ	7732	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	168-VFBGA	MT46H256M32	sdram- 모바일 lpddr	1.7V ~ 1.95V	168-TFBGA (12x12)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	208 MHz	휘발성 휘발성	8gbit	5 ns	음주	256m x 32	평행한	14.4ns
MT48LC8M16A2TG-7E IT : G TR	-	RFQ	2873	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT48LC8M16A2	sdram	3V ~ 3.6V	54-TSOP II	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	128mbit	5.4 ns	음주	8m x 16	평행한	14ns
MT47H64M16HR-3 : E TR	-	RFQ	8294	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	84-TFBGA	MT47H64M16	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	84-FBGA (8x12.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0032	2,000	333 MHz	휘발성 휘발성	1gbit	450 ps	음주	64m x 16	평행한	15ns
MT25QL256ABA1EW9-0AAT TR	-	RFQ	7862	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	8-wdfn n 패드	MT25QL256	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	8-wpdfn (6x8) (MLP8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	4,000	133 MHz	비 비	256mbit		플래시	32m x 8	SPI	8ms, 2.8ms
JS28F256J3F1058 TR	-	RFQ	9158	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	JS28F256J3	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	56-tsop	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,600		비 비	256mbit	105 ns	플래시	32m x 8, 16m x 16	평행한	105ns
MT29E1T08CUCBBH8-6 : B TR	-	RFQ	5749	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	-	-	MT29E1T08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	152-lbga (14x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,000	167 MHz	비 비	1tbit		플래시	128g x 8	평행한	-
MT48LC16M16A2P-75 IT : D TR	-	RFQ	3971	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT48LC16M16A2	sdram	3V ~ 3.6V	54-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	256mbit	5.4 ns	음주	16m x 16	평행한	15ns
MT49H32M18SJ-25 : B TR	-	RFQ	5267	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	144-TFBGA	MT49H32M18	음주	1.7V ~ 1.9V	144-FBGA (18.5x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0028	1,000	400MHz	휘발성 휘발성	576mbit	20 ns	음주	32m x 18	평행한	-
MT25TL512HBA8E12-0SIT TR	-	RFQ	9567	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	24-TBGA	MT25TL512	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	24-T-PBGA (6x8)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	133 MHz	비 비	512mbit		플래시	64m x 8	SPI	8ms, 2.8ms
EDFP112A3PB-GD-FR	-	RFQ	4243	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TA)	-	-	EDFP112	sdram- 모바일 lpddr3	1.14V ~ 1.95V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1	800MHz	휘발성 휘발성	24gbit		음주	192m x 128	평행한	-
MT25QL128ABA8E12-0AAT TR	5.0400	RFQ	5124	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	24-TBGA	MT25QL128	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	24-T-PBGA (6x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	133 MHz	비 비	128mbit		플래시	16m x 8	SPI	8ms, 2.8ms
MT29F128G08CBCBBH6-6R : B TR	-	RFQ	4997	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	152-VBGA	MT29F128G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	152-VBGA (14x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	166 MHz	비 비	128gbit		플래시	16g x 8	평행한	-
MT29F8G08ABACAH4-IT : c	-	RFQ	1765	Micron Technology Inc.	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	MT29F8G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		비 비	8gbit		플래시	1g x 8	평행한	-
MT29TZZZ7D7EKKBT-107 W.97V TR	-	RFQ	3184	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는								-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1,000
MT47H32M16HR-3 : G TR	-	RFQ	3550	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	84-TFBGA	MT47H32M16	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	84-FBGA (8x12.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0036	1,000	333 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	450 ps	음주	32m x 16	평행한	15ns
MT42L256M32D2LK-18 WT : a	-	RFQ	3538	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	216-WFBGA	MT42L256M32	sdram- 모바일 lpddr2	1.14V ~ 1.3V	216-FBGA (12x12)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	533 MHz	휘발성 휘발성	8gbit		음주	256m x 32	평행한	-
MT62F768M32D2DS-023 FAAT : b	25.6500	RFQ	2162	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	상자	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	표면 표면	200-WFBGA		sdram- 모바일 lpddr5	-	200-WFBGA (10x14.5)	-				557-MT62F768M32D2DS-023FAAT : b			1	4.266 GHz	휘발성 휘발성	24gbit		음주	768m x 32	평행한	-
MT44K32M18RB-125F : a	-	RFQ	8843	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	168-TBGA	MT44K32M18	음주	1.28V ~ 1.42V	168-BGA (13.5x13.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,190	800MHz	휘발성 휘발성	576mbit	8 ns	음주	32m x 18	평행한	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

메모리 (10402)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²