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메모리 (10402)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지	sic 프로그램 가능
M29F080D70N6	-	RFQ	7060	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	M29F080	플래시 - 아니오	4.5V ~ 5.5V	40-tsop	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	120		비 비	8mbit	70 ns	플래시	1m x 8	평행한	70ns
MT29F4T08EUEEM4-QC : E TR	105.9150	RFQ	6959	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인								-				557-MT29F4T08EUEEM4-QC : ETR			2,000
MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT TR	-	RFQ	9105	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	137-TFBGA	MT29C8G48	플래시 -Nand, n lpdram	1.7V ~ 1.95V	137-TFBGA (10.5x13)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200MHz	비 비, 휘발성	8GBIT (NAND), 2GBIT (LPDRAM)		플래시, 램	512m x 16 (NAND), 64m x 32 (lpdram)	평행한	-
MT42L128M32D2KL-3 IT : a	-	RFQ	9885	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-25 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	168-WFBGA	MT42L128M32	sdram- 모바일 lpddr2	1.14V ~ 1.3V	168-FBGA (12x12)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0036	1,000	333 MHz	휘발성 휘발성	4gbit		음주	128m x 32	평행한	-
MT62F2G32D4DS-023 WT ES : B TR	45.6900	RFQ	9713	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-25 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	200-WFBGA		sdram- 모바일 lpddr5	1.05V	200-WFBGA (10x14.5)	-				557-MT62F2G32D4DS-023WTES : BTR			2,000	2.133 GHz	휘발성 휘발성	64gbit		음주	2G X 32	평행한	-
mt28ew01gaba1lpc-1sit	-	RFQ	3322	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-lbga	MT28ew01	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-lbga (11x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,104		비 비	1gbit	95 ns	플래시	128m x 8, 64m x 16	평행한	60ns
MT29F16G08ADBCAH4-IT : c	-	RFQ	8279	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	MT29F16G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		비 비	16gbit		플래시	2G X 8	평행한	-
MT29F4T08EQLEEG8-QB : E TR	105.9600	RFQ	4202	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인								-				557-MT29F4T08EQLEEG8-QB : ETR			2,000
MT29VZZZBD91SLSM-046 W.17X TR	40.8150	RFQ	4435	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인								-				557-MT29VZZZBD91SLSM-046W.17XTR			2,000
MT52L4DBPG-DC	-	RFQ	3139	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는				MT52L4				-		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1,890
MT29F16G08ABACAM72A3WC1	-	RFQ	2996	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	주사위	MT29F16G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	주사위	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1		비 비	16gbit		플래시	2G X 8	평행한	-
MT40A1G8SA-062E IT : J.	-	RFQ	6639	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT40A1G8	sdram -ddr4	1.14V ~ 1.26V	78-FBGA (7.5x11)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)		MT40A1G8SA-062EIT : J.	귀 99	8542.32.0036	1,260	1.6GHz	휘발성 휘발성	8gbit	19 ns	음주	1g x 8	평행한	15ns
MTFC128GASAONS-AAT TR	73.7250	RFQ	1499	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인								-				557-MTFC128GASAONS-AATTR			2,000
mtfc32gjgdq-ait	-	RFQ	2752	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	100-lbga	MTFC32G	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	100-lbga (14x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	256gbit		플래시	32g x 8	MMC	-	확인되지 확인되지
MT29F4T08EUEEM4-R : E TR	85.8150	RFQ	9221	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	132-BGA		플래시 -Nand (TLC)	2.6V ~ 3.6V	132-LBGA (12x18)	-				557-MT29F4T08Euleem4-R : ETR			2,000		비 비	4tbit		플래시	512g x 8	평행한	-
MT53E256M32D1KS-046 AIT : L.	11.6800	RFQ	1373	Micron Technology Inc.	-	쟁반	활동적인		표면 표면	200-VFBGA				200-VFBGA (10x14.5)	-			영향을받지 영향을받지	557-MT53E256M32D1KS-046AIT : l			1
M29W800DT70N6	-	RFQ	4799	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	M29W800	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	96		비 비	8mbit	70 ns	플래시	1m x 8, 512k x 16	평행한	70ns
M29W400BT55ZA1	-	RFQ	6422	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	48-TFBGA	M29W400	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	48-TFBGA (6x9)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	180		비 비	4mbit	55 ns	플래시	512k x 8, 256k x 16	평행한	55ns
JS28F00AP33BFA	-	RFQ	9730	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	JS28F00AP33	플래시 - 아니오	2.3V ~ 3.6V	56-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	576	40MHz	비 비	1gbit	105 ns	플래시	64m x 16	평행한	105ns
MT53B384M64D4TZ-053 WT ES : C TR	-	RFQ	5930	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53B384	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	1.866 GHz	휘발성 휘발성	24gbit		음주	384m x 64	-	-
MT29F1G08ABADAH4-IT : d	-	RFQ	2743	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	MT29F1G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		비 비	1gbit		플래시	128m x 8	평행한	-
MTC8C1084S1SC56BG1	108.7615	RFQ	8727	Micron Technology Inc.	-	상자	활동적인								-				557-MTC8C1084S1SC56BG1			1
M29W128GSH70ZS6E	-	RFQ	4688	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-lbga	M29W128	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA (11x13)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	960		비 비	128mbit	70 ns	플래시	16m x 8, 8m x 16	평행한	70ns
mtfc8glwdm-ait a tr	-	RFQ	4387	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	153-TFBGA	MTFC8	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	153-TFBGA (11.5x13)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)		mtfc8glwdm-aitatr	쓸모없는	8542.32.0071	2,000		비 비	64gbit		플래시	8g x 8	MMC	-
MT25QL512ABB8ESFE01-2SIT	-	RFQ	7306	Micron Technology Inc.	-	상자	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	MT25QL512	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	16-SOP2	다운로드			영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,440	133 MHz	비 비	512mbit		플래시	64m x 8	SPI	8ms, 2.8ms
MT53D768M64D4SQ-046 WT ES : a	-	RFQ	8195	Micron Technology Inc.	-	상자	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)			MT53D768	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V		-					쓸모없는	0000.00.0000	1,360	2.133 GHz	휘발성 휘발성	48gbit		음주	768m x 64	-	-
MTFC128GAZAQJP-IT	52.2300	RFQ	1717	Micron Technology Inc.	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	153-VFBGA	MTFC128	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	153-VFBGA (11.5x13)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	557-MTFC128GAZAQJP-IT			1,520	200MHz	비 비	1tbit		플래시	128g x 8	EMMC	-
MT62F1G128DAWA-031 XT : b	136.0800	RFQ	9343	Micron Technology Inc.	-	상자	활동적인								-				557-MT62F1G128DAWA-031XT : b			1
mtfc8gamalbh-ait	-	RFQ	5090	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	쟁반	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	153-TFBGA	MTFC8	플래시 - NAND	-	153-TFBGA (11.5x13)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,520		비 비	64gbit		플래시	8g x 8	MMC	-
MT29C4G96MAZBBCJV-48 IT	-	RFQ	7123	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	168-VFBGA	MT29C4G96	플래시 -Nand, n lpdram	1.7V ~ 1.95V	168-VFBGA (12x12)	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,008	208 MHz	비 비, 휘발성	4GBIT (NAND), 4GBIT (LPDRAM)		플래시, 램	256m x 16 (NAND), 128m x 32 (lpdram)	평행한	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

메모리 (10402)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²