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메모리 (10402)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT53E2G32D8QD-053 WT:E Micron Technology Inc. MT53E2G32D8QD-053 WT : e -
RFQ
 ECAD 5906 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53E2G32 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - 쓸모없는 0000.00.0000 1,360 1.866 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 2G X 32 - -
MT58L512Y36PT-6 Micron Technology Inc. MT58L512Y36PT-6 18.9400
RFQ
 ECAD 891 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.5 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
MT41K256M16HA-125 M:E TR Micron Technology Inc. MT41K256MA-125 M : E TR -
RFQ
 ECAD 4598 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K256M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 13.75 ns 음주 256m x 16 평행한 -
MT41J128M16HA-15E IT:D Micron Technology Inc. MT41J128M16HA-15E IT : d -
RFQ
 ECAD 3802 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41J128M16 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (9x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 13.5 ns 음주 128m x 16 평행한 -
MT53B384M32D2NP-062 AUT:B Micron Technology Inc. MT53B384M32D2NP-062 AUT : b -
RFQ
 ECAD 6158 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53B384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,360 1.6GHz 휘발성 휘발성 12gbit 음주 384m x 32 - -
MT46V16M16CY-5B AIT:M Micron Technology Inc. MT46V16M16CY-5B AIT : m -
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 ECAD 2706 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V16M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,368 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT25QL128ABA8E12-0SIT Micron Technology Inc. MT25QL128ABA8E12-0SIT 4.3500
RFQ
 ECAD 174 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT25QL128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
JS28F256J3D95A Micron Technology Inc. JS28F256J3D95A -
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 ECAD 8708 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F256J3 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 96 비 비 256mbit 95 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 95ns
N25Q064A13ESED0F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13ESED0F TR -
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 ECAD 1534 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) N25Q064A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT48LC16M16A2B4-6A AIT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2B4-6A AIT : G TR -
RFQ
 ECAD 4986 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48LC16M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,000 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 12ns
MT48LC16M16A2P-6A:G Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-6A : g -
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 ECAD 7254 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC16M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,080 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 12ns
MT48LC2M32B2B5-6A:J Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2B5-6A : J. -
RFQ
 ECAD 3475 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48LC2M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,440 167 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 2m x 32 평행한 12ns
MT48LC32M8A2FB-75 L:D TR Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2FB-75 L : D TR -
RFQ
 ECAD 3586 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-FBGA MT48LC32M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 60-FBGA (8x16) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 32m x 8 평행한 15ns
MTFC32GAKAEEF-AAT TR Micron Technology Inc. mtfc32gakaeef-aat tr -
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 ECAD 4825 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 169-TFBGA MTFC32G 플래시 - NAND - 169-TFBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 MMC -
MT46H32M32LFMA-5 IT:B TR Micron Technology Inc. MT46H32M32LFMA-5 IT : B TR -
RFQ
 ECAD 3737 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-WFBGA MT46H32M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 32m x 32 평행한 15ns
M36W0R6050T4ZAQE Micron Technology Inc. M36W0R6050T4ZAQE -
RFQ
 ECAD 3985 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 M36W0R6050 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 253
MT53E768M64D4SQ-046 WT:A Micron Technology Inc. MT53E768M64D4SQ-046 WT : a 73.1400
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 ECAD 9754 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53E768 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT53E768M64D4SQ-046WT : a 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 휘발성 휘발성 48gbit 음주 768m x 64 - -
MT29VZZZBD81SLSL-046 W.22D Micron Technology Inc. MT29VZZZBD81SLSL-046 W.22d 33.7950
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 ECAD 9712 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 - 557-MT29VZZZBD81SLSL-046W.22D 1
MT29F256G08EBHAFB16A3WEA Micron Technology Inc. MT29F256G08EBHAFB16A3WEA -
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 ECAD 7796 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F256G08 플래시 -Nand (TLC) 2.5V ~ 3.6V 주사위 - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1 333 MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
N25Q064A13ESF41G Micron Technology Inc. N25Q064A13ESF41G -
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 ECAD 6202 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) N25Q064A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 형의 행위 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,225 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI 8ms, 5ms
MTFC4GLUDM-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc4gludm-ait tr -
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 ECAD 9788 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 169-TFBGA MTFC4 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 169-TFBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 MMC -
M58BW16FB4T3T TR Micron Technology Inc. M58BW16FB4T3T TR -
RFQ
 ECAD 4748 0.00000000 Micron Technology Inc. - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 80BQFP M58BW16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 80-PQFP (14x20) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0051 500 비 비 16mbit 45 ns 플래시 512k x 32 평행한 45ns
MT41K512M8DA-107:P TR Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-107 : P TR 5.2703
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 ECAD 9246 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K512M8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT41K512M8DA-107 : PTR 귀 99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 -
MT29F8G16ADADAH4-IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F8G16ADADAH4-IT : D TR -
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 ECAD 3706 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F8G16 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 8gbit 플래시 512m x 16 평행한 -
MT41J128M16JT-107G:K TR Micron Technology Inc. MT41J128M16JT-107G : K TR -
RFQ
 ECAD 7319 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41J128M16 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 -
MT47H128M8CF-187E:H Micron Technology Inc. MT47H128M8CF-187E : h -
RFQ
 ECAD 1992 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA MT47H128M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 350 ps 음주 128m x 8 평행한 15ns
MTFC256GAXATEA-WT TR Micron Technology Inc. MTFC256GAXATEA-WT TR 27.5700
RFQ
 ECAD 2892 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 153-VFBGA 플래시 -Nand (SLC) - 153-VFBGA (11.5x13) - 557-MTFC256GAXATEA-WTTR 2,000 비 비 2tbit 플래시 256g x 8 평행한 -
MT29F2G08ABAEAH4-ITX:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAH4-ITX : E TR -
RFQ
 ECAD 6302 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F2G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
MT62F1536M64D8CL-026 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8CL-026 WT : B TR 55.3050
RFQ
 ECAD 3693 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - - sdram- 모바일 lpddr5 - - - 557-MT62F1536M64D8CL-026WT : BTR 2,500 3.2GHz 휘발성 휘발성 96gbit 음주 1.5GX 64 평행한 -
MT47H64M16HR-25E AIT:H Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-25E AIT : h -
RFQ
 ECAD 7014 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H64M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 64m x 16 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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