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| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 시계 시계 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT53B1DBNP-DC | - | ![]() | 3599 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 표면 표면 | 200-WFBGA | sdram- 모바일 lpddr4 | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,360 | 휘발성 휘발성 | 음주 | |||||||||||
![]() | MT58L512L18FF-10IT | 18.9100 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-TBGA | sram- 표준 | 3.135V ~ 3.6V | 165-FBGA (13x15) | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 66MHz | 휘발성 휘발성 | 8mbit | 10 ns | SRAM | 512k x 18 | 평행한 | - | |||
![]() | M58WR032KL70ZA6E | - | ![]() | 9620 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-VFBGA | M58WR032 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 2V | 44-VFBGA (7.5x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,100 | 66MHz | 비 비 | 32mbit | 70 ns | 플래시 | 2m x 16 | 평행한 | 70ns | ||
![]() | MT53B384M64D4EZ-062 WT ES : b | - | ![]() | 6995 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B384 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | - | - | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,120 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 24gbit | 음주 | 384m x 64 | - | - | |||||
![]() | MT41J256M8DA-107 : k | - | ![]() | 9331 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | MT41J256M8 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-FBGA (8x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 20 ns | 음주 | 256m x 8 | 평행한 | - | ||
| MT29F2G08ABAGAWP-IT : G TR | 2.8500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | MT29F2G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop i | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 2gbit | 플래시 | 256m x 8 | 평행한 | - | |||||
![]() | M29F800DB70N6E | - | ![]() | 7549 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | M29F800 | 플래시 - 아니오 | 4.5V ~ 5.5V | 48-tsop | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 96 | 비 비 | 8mbit | 70 ns | 플래시 | 1m x 8, 512k x 16 | 평행한 | 70ns | |||
![]() | MT48LC2M32B2P-6A AIT : J TR | - | ![]() | 3141 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT48LC2M32B2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 86-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 2,000 | 167 MHz | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 5.4 ns | 음주 | 2m x 32 | 평행한 | 12ns | ||
![]() | M29W160ET70N3F TR | - | ![]() | 4799 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | M29W160 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 비 비 | 16mbit | 70 ns | 플래시 | 2m x 8, 1m x 16 | 평행한 | 70ns | |||
![]() | MT29GZ5A3BPGGA-53AIT.87K | 11.1900 | ![]() | 6577 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | MT29GZ5 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1,260 | |||||||||||||||||
![]() | MT62F1G64D4EK-023 AUT : C TR | 109.1100 | ![]() | 3897 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 557-MT62F1G64D4EK-023AUT : CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT46H32M32LFB5-6 AT : B TR | - | ![]() | 2086 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-VFBGA | MT46H32M32 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 90-VFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 5 ns | 음주 | 32m x 32 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT62F4G32D8DV-023 AAT : B TR | 126.4350 | ![]() | 8808 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | - | sdram- 모바일 lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F4G32D8DV-023AAT : BTR | 2,000 | 4.266 GHz | 휘발성 휘발성 | 128gbit | 음주 | 4G X 32 | 평행한 | - | ||||||||
![]() | MT29F2G01ABBGDSF-IT : g | - | ![]() | 5593 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | MT29F2G01 | 플래시 - NAND | 1.7V ~ 1.95V | 16- 형의 행위 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,440 | 비 비 | 2gbit | 플래시 | 2G x 1 | SPI | - | ||||
![]() | N25Q064A13EF8A0E | - | ![]() | 1888 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-vdfn d 패드 | N25Q064A13 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-vdfpn (mlp8) (8x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,920 | 108 MHz | 비 비 | 64mbit | 플래시 | 16m x 4 | SPI | 8ms, 5ms | |||
![]() | N25Q032A13ESEC0G | - | ![]() | 2536 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | N25Q032A13 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8- w | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 108 MHz | 비 비 | 32mbit | 플래시 | 8m x 4 | SPI | 8ms, 5ms | ||||
![]() | MT40A1G4RH-083E : B TR | - | ![]() | 6238 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | MT40A1G4 | sdram -ddr4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (9x10.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | MT40A1G4RH-083E : Btr | 쓸모없는 | 2,000 | 1.2GHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 19 ns | 음주 | 1g x 4 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | M25P32-VMW3GB | - | ![]() | 5573 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | M25P32 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 100 | 75MHz | 비 비 | 32mbit | 플래시 | 4m x 8 | SPI | 15ms, 5ms | ||||
![]() | M25PX64-VMF6TP TR | - | ![]() | 1544 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | M25PX64 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 75MHz | 비 비 | 64mbit | 플래시 | 8m x 8 | SPI | 15ms, 5ms | |||
![]() | MT25TL256HAA1ESF-0AAT | - | ![]() | 4375 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | MT25TL256 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,000 | 133 MHz | 비 비 | 256mbit | 플래시 | 32m x 8 | SPI | 8ms, 2.8ms | ||||
![]() | MT29F4G08ABBFAH4-AATES : F TR | - | ![]() | 3937 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F4G08 | 플래시 - NAND | 1.7V ~ 1.95V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 비 비 | 4gbit | 플래시 | 512m x 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | MTFC256GBCAQTC-AAT ES TR | 99.4350 | ![]() | 2083 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 557-MTFC256GBCAQTC-AATEST | 2,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT40A1G16KH-062E AUT : e | 24.0300 | ![]() | 3568 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | sdram -ddr4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (9x13) | 다운로드 | 557-MT40A1G16KH-062EAUT : e | 1 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 16gbit | 19 ns | 음주 | 1g x 16 | 현물 현물 지불 | 15ns | |||||||
![]() | MT53B1024M64D8WF-062 WT : d | - | ![]() | 1761 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B1024 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,190 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 64gbit | 음주 | 1G X 64 | - | - | ||||
![]() | MT49H16M36FM-25 : b | - | ![]() | 6816 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 144-TFBGA | MT49H16M36 | 음주 | 1.7V ~ 1.9V | 144-µBGA (18.5x11) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0032 | 1,000 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 576mbit | 20 ns | 음주 | 16m x 36 | 평행한 | - | ||
![]() | MT29C1G12MaacyAml-5 IT | - | ![]() | 5218 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-VFBGA | MT29C1G12 | 플래시 -Nand, n lpdram | 1.7V ~ 1.95V | 153-VFBGA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200MHz | 비 비, 휘발성 | 1GBIT (NAND), 512MBIT (LPDRAM) | 플래시, 램 | 64m x 16 (NAND), 16m x 32 (lpdram) | 평행한 | - | ||||
![]() | MT29F1G08ABBDAH4-ITX : D TR | - | ![]() | 9947 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F1G08 | 플래시 - NAND | 1.7V ~ 1.95V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 1gbit | 플래시 | 128m x 8 | 평행한 | - | ||||
| MT25QL256ABA8E12-0AUT TR | 6.2100 | ![]() | 7491 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | MT25QL256 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | MT25QL256ABA8E12-0Auttr | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 비 비 | 256mbit | 플래시 | 32m x 8 | SPI | 1.8ms | |||
![]() | N2M400HDB321A3CF | - | ![]() | 1773 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lbga | N2M400 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 100-lbga (14x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 588 | 52MHz | 비 비 | 128gbit | 플래시 | 16g x 8 | MMC | - | ||||
![]() | MT29F1T08GBLCEJ4-M : C TR | 19.5450 | ![]() | 1659 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 557-MT29F1T08GBLCEJ4-M : CTR | 2,000 |

일일 평균 RFQ 볼륨

표준 제품 단위

전 세계 제조업체

재고 창고