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메모리 (10402)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
RC28F320J3D75A Micron Technology Inc. RC28F320J3D75A -
RFQ
 ECAD 2365 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA RC28F320 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 864 비 비 32mbit 75 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 75ns
MT48LC4M16A2B4-7E:J Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2B4-7E : J. -
RFQ
 ECAD 4790 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48LC4M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 14ns
MT29F64G08CBCGBWP-B:G Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCGBWP-B : g -
RFQ
 ECAD 1525 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 960 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT29VZZZBD8FQKSM-046 W.G8J TR Micron Technology Inc. MT29VZZZBD8FQKSM-046 W.G8J TR -
RFQ
 ECAD 3015 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 MT29VZZZBD8 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT29VZZZBD8FQKSM-046W.g8jtr 쓸모없는 2,000
MT53D4DBNZ-DC Micron Technology Inc. MT53D4DBNZ-DC -
RFQ
 ECAD 7149 0.00000000 Micron Technology Inc. * 상자 활동적인 MT53D4 - 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,190
MT40A1G16TD-062E AAT:F Micron Technology Inc. MT40A1G16TD-062E AAT : f 27.8700
RFQ
 ECAD 4228 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) - - sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V - - 557-MT40A1G16TD-062EAAT : f 1 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 19 ns 음주 1g x 16 현물 현물 지불 15ns
MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53D1G64D8NZ-046 WT : E TR 98.1150
RFQ
 ECAD 4375 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 376-WFBGA MT53D1G64 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 376-WFBGA (14x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 1G X 64 - -
MT41J256M8HX-15E IT:D TR Micron Technology Inc. MT41J256M8HX-15E IT : D TR -
RFQ
 ECAD 9986 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41J256M8 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (9x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 13.5 ns 음주 256m x 8 평행한 -
RD48F3000P0ZBQ0A Micron Technology Inc. RD48F3000P0ZBQ0A -
RFQ
 ECAD 8669 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 88-TFBGA, CSPBGA RD48F3000 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 88-SCSP (8x10) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 52MHz 비 비 128mbit 85 ns 플래시 8m x 16 평행한 85ns
MT47H512M4THN-25E:M TR Micron Technology Inc. MT47H512M4THN-25E : M TR -
RFQ
 ECAD 1125 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 63-TFBGA MT47H512M4 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 63-FBGA (8x10) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 400 PS 음주 512m x 4 평행한 15ns
MT53D1G64D8SQ-046 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53D1G64D8SQ-046 WT : E TR -
RFQ
 ECAD 9337 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 MT53d1 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 557-MT53D1G64D8SQ-046WT : ETR 쓸모없는 2,000
MT62F2G64D8EK-023 FAAT:B Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-023 FAAT : b 126.4350
RFQ
 ECAD 6573 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT62F2G64D8EK-023FAAT : b 1
RC28F512M29EWLA Micron Technology Inc. RC28F512M29ewla -
RFQ
 ECAD 2971 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga RC28F512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 비 비 512mbit 100 ns 플래시 64m x 8, 32m x 16 평행한 100ns
M28W320HSU70ZA6F TR Micron Technology Inc. M28W320HSU70ZA6F TR -
RFQ
 ECAD 9466 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TFBGA M28W320 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-TFBGA (10.5x6.39) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 비 비 32mbit 70 ns 플래시 2m x 16 평행한 70ns
MT29F1T08EELEEJ4-QC:E TR Micron Technology Inc. MT29F1T08ELEEJ4-QC : E TR 26.4750
RFQ
 ECAD 3563 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT29F1T08ELEEJ4-QC : ETR 2,000
MTFC8GACAANA-4M IT TR Micron Technology Inc. mtfc8gacaana-4m it tr -
RFQ
 ECAD 5998 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-tbga MTFC8 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.3V 100-TBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) mtfc8gacaana-4mittr 쓸모없는 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
MT40A256M16GE-075E AAT:B TR Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-075E AAT : B TR -
RFQ
 ECAD 4546 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT40A256M16 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (9x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 256m x 16 평행한 -
MT40A1G16TD-062E AUT:F TR Micron Technology Inc. MT40A1G16TD-062E AUT : F TR 22.8450
RFQ
 ECAD 3545 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) - - sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V - - 557-MT40A1G16TD-062EAUT : FTR 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 19 ns 음주 1g x 16 평행한 15ns
N28H00EB03EDK34E Micron Technology Inc. N28H00EB03EDK34E -
RFQ
 ECAD 1068 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 270
MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B Micron Technology Inc. MT29F1T08CMHBBJ4-3R : b -
RFQ
 ECAD 6268 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F1T08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 333 MHz 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 평행한 -
MT53D512M32D2NP-062 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-062 WT ES : D TR -
RFQ
 ECAD 7687 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53D512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 - -
MT40A1G4SA-062E:F Micron Technology Inc. MT40A1G4SA-062E : f -
RFQ
 ECAD 8361 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A1G4 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) - 3 (168 시간) 557-MT40A1G4SA-062E : f 쓸모없는 100 1.6GHz 휘발성 휘발성 4gbit 19 ns 음주 1g x 4 평행한 15ns
MT29F4G16ABBEAH4:E Micron Technology Inc. MT29F4G16ABBEAH4 : e -
RFQ
 ECAD 5363 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F4G16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 비 비 4gbit 플래시 256m x 16 평행한 -
M29W256GH70ZS3F TR Micron Technology Inc. M29W256GH70ZS3F TR -
RFQ
 ECAD 8993 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) - - M29W256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,800 비 비 256mbit 70 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 70ns
MT29F1T08EEHBFJ4-R:B TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EEHBFJ4-R : B TR -
RFQ
 ECAD 5266 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F1T08 플래시 -Nand (TLC) 1.7V ~ 1.95V 132-VBGA (12x18) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT29F1T08EEHBFJ4-R : BTR 쓸모없는 8542.32.0071 1,000 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 평행한 -
MT53B384M32D2NP-053 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M32D2NP-053 WT : B TR -
RFQ
 ECAD 3808 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53B384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 휘발성 휘발성 12gbit 음주 384m x 32 - -
N25Q00AA11GSF40G Micron Technology Inc. N25Q00AA1GSF40G -
RFQ
 ECAD 3822 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) N25Q00AA11 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 16- 형의 행위 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 2266-N25Q00A1GSF40G 쓸모없는 0000.00.0000 1,225 108 MHz 비 비 1gbit 플래시 256m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT29GZ5A3BPGGA-53AIT.87K TR Micron Technology Inc. MT29GZ5A3BPGGA-53AIT.87K TR 11.1900
RFQ
 ECAD 3929 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 MT29GZ5 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT29GZ5A3BPGGA-53AIT.87KTR 0000.00.0000 2,000
MT29F32G08CBACAWP-Z:C TR Micron Technology Inc. MT29F32G08CBACAWP-Z : C TR -
RFQ
 ECAD 8491 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F32G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 평행한 -
MT46V64M8CY-5B IT:J TR Micron Technology Inc. MT46V64M8CY-5B IT : J TR -
RFQ
 ECAD 1289 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V64M8 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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