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![]() | MT29F256G08AMCBBH7-6 : B TR | - | ![]() | 7600 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 152-TBGA | MT29F256G08 | 플래시 -Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 152-TBGA (14x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,000 | 167 MHz | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT46V16M16P-5B IT : K TR | - | ![]() | 1282 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT46V16M16 | sdram -ddr | 2.5V ~ 2.7V | 66-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 700 PS | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT29F16G08MAAWP : A TR | - | ![]() | 6135 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | MT29F16G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop i | - | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 16gbit | 플래시 | 2G X 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | M29W400DT55N6E | - | ![]() | 3199 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | M29W400 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop i | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 96 | 비 비 | 4mbit | 55 ns | 플래시 | 512k x 8, 256k x 16 | 평행한 | 55ns | |||
![]() | MT48LC8M8A2TG-75 : G TR | - | ![]() | 8415 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT48LC8M8A2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 5.4 ns | 음주 | 8m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
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![]() | MT41K512M8RH-125 V : e | - | ![]() | 7445 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | MT41K512M8 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (9x10.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,260 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 13.75 ns | 음주 | 512m x 8 | 평행한 | - | |||
![]() | MT48LC2M32B2TG-7 IT : G TR | - | ![]() | 8494 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT48LC2M32B2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 86-TSOP II | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 143 MHz | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 5.5 ns | 음주 | 2m x 32 | 평행한 | 14ns | ||
![]() | MT29F4G08ABBDAH-ait : d | - | ![]() | 8080 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F4G08 | 플래시 - NAND | 1.7V ~ 1.95V | 63-VFBGA (10.5x13) | - | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,140 | 비 비 | 4gbit | 플래시 | 512m x 8 | 평행한 | - | ||||||
![]() | mtfc8gamalna-aat tr | - | ![]() | 4143 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-tbga | MTFC8 | 플래시 - NAND | - | 100-TBGA (14x18) | - | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 64gbit | 플래시 | 8g x 8 | MMC | - | ||||
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![]() | EDFP112A3PB-GD-FR TR | - | ![]() | 1127 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | EDFP112 | sdram- 모바일 lpddr3 | 1.14V ~ 1.95V | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 24gbit | 음주 | 192m x 128 | 평행한 | - | ||||
MT29F8G01ADAFD12-AAT : F TR | - | ![]() | 1638 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | MT29F8G01 | 플래시 -Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | MT29F8G01ADAFD12-AAT : FTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 83MHz | 비 비 | 8gbit | 플래시 | 8g x 1 | SPI | - | |||
![]() | RC28F512M29ewha | - | ![]() | 9519 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-lbga | RC28F512 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (11x13) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,104 | 비 비 | 512mbit | 100 ns | 플래시 | 64m x 8, 32m x 16 | 평행한 | 100ns | |||
![]() | PF48F4400P0VBQE0 | - | ![]() | 8008 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 88-TFBGA, CSPBGA | 48F4400p0 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 2V | 88-SCSP (8x11) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 176 | 52MHz | 비 비 | 512mbit | 100 ns | 플래시 | 32m x 16 | 평행한 | 100ns | ||
![]() | MT28HL04GGB1EBK-0GCT | 15.4000 | ![]() | 4162 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | MT28HL04 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 270 | |||||||||||||||||
![]() | MT25QL256ABA1EW7-0SIT | 6.4700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | MT25QL256 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-wpdfn (6x5) (MLP8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,940 | 133 MHz | 비 비 | 256mbit | 플래시 | 32m x 8 | SPI | 8ms, 2.8ms | |||
![]() | MT29GZ5A5BPGGA-53AAT.87J TR | - | ![]() | 1115 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 149-WFBGA | MT29GZ5A5 | -Nand, dram -lpddr4 | 1.8V | 149-WFBGA (8x9.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 1866 MHz | 비 비, 휘발성 | 4GBIT (NAND), 4GBIT (LPDDR4) | 플래시, 램 | 512m x 8 (NAND), 128m x 32 (LPDDR4) | 평행한 | - |
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