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메모리 (10402)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT46H128M32L2MC-5 IT : a	-	RFQ	7040	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	240-WFBGA	MT46H128M32	sdram- 모바일 lpddr	1.7V ~ 1.95V	240-WFBGA (14x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	200MHz	휘발성 휘발성	4gbit	5 ns	음주	128m x 32	평행한	15ns
MT55L256L18F1T-12TR	4.4300	RFQ	51	Micron Technology Inc.	ZBT®	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp		SRAM -ZBT	3.135V ~ 3.465V	100-TQFP (14x20.1)	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0041	1	83MHz	휘발성 휘발성	4mbit	9 ns	SRAM	256k x 18	평행한	-
mtfc4gmwdq-ait a	-	RFQ	3736	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	100-lbga	MTFC4	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	100-lbga (14x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)		mtfc4gmwdq-aita	쓸모없는	8542.32.0071	1		비 비	32gbit		플래시	4G X 8	MMC	-
MT46H8M32LFB5-10 IT : A TR	-	RFQ	3376	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	90-VFBGA	MT46H8M32	sdram- 모바일 lpddr	1.7V ~ 1.95V	90-VFBGA (8x13)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	104 MHz	휘발성 휘발성	256mbit	7 ns	음주	8m x 32	평행한	15ns
MT49H8M36BM-TI : B TR	-	RFQ	7219	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	144-TFBGA	MT49H8M36	음주	1.7V ~ 1.9V	144-µBGA (18.5x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0028	1,000		휘발성 휘발성	288mbit		음주	8m x 36	평행한	-
EDF840AAABH-GD-FD	-	RFQ	9954	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는								-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1,600
N25Q128A11ESE40G	-	RFQ	2431	Micron Technology Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	N25Q128A11	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	8- w	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	557-1572-5	3A991B1A	8542.32.0071	1,800	108 MHz	비 비	128mbit		플래시	32m x 4	SPI	8ms, 5ms
MT46V128M4BN-6 : D TR	-	RFQ	9402	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	60-TFBGA	MT46V128M4	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	60-FBGA (10x12.5)	-	Rohs3 준수	5 (48 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	167 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	700 PS	음주	128m x 4	평행한	15ns
PF38F5060M0Y0BEA	-	RFQ	9732	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	105-TFBGA, CSPBGA	38F5060M0	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	105- sp SCSP	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,800	133 MHz	비 비	512mbit	96 ns	플래시	32m x 16	평행한	96ns
MT53B384M64D4TP-062 XT ES : B TR	-	RFQ	9995	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-30 ° C ~ 105 ° C (TC)	-	-	MT53B384	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	1.6GHz	휘발성 휘발성	24gbit		음주	384m x 64	-	-
mtfc8gacaens-k1 ait	-	RFQ	5434	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	153-TFBGA	MTFC8	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	153-TFBGA (11.5x13)	-			영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,520		비 비	64gbit		플래시	8g x 8	MMC	-
RC28F128J3F95D	-	RFQ	2778	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-TBGA	RC28F128	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-ESYBGA (10x13)	-	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	864		비 비	128mbit	95 ns	플래시	16m x 8, 8m x 16	평행한	95ns
MT46V32M16FN-6 IT : f	-	RFQ	2642	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	60-TFBGA	MT46V32M16	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	60-FBGA (10x12.5)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	167 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	700 PS	음주	32m x 16	평행한	15ns
MT29F4G08ABADAH4-IT : d	5.9300	RFQ	445	Micron Technology Inc.	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	MT29F4G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		비 비	4gbit		플래시	512m x 8	평행한	-
PC28F640P33B85A	-	RFQ	3758	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	64-TBGA	PC28F640	플래시 - 아니오	2.3V ~ 3.6V	64-ESYBGA (10x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,800	52MHz	비 비	64mbit	85 ns	플래시	4m x 16	평행한	85ns
MT48H8M16LFF4-8	-	RFQ	9065	Micron Technology Inc.	-	상자	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	54-VFBGA	MT48H8M16	sdram- 모바일 lpsdr	1.7V ~ 1.9V	54-VFBGA (8x8)	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	125MHz	휘발성 휘발성	128mbit	6 ns	음주	8m x 16	평행한	15ns
MT29F1G08ABBDAHC : D TR	-	RFQ	1346	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	MT29F1G08	플래시 - NAND	1.7V ~ 1.95V	63-VFBGA (10.5x13)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	1gbit		플래시	128m x 8	평행한	-
MT29F8G08ABACAM71M3WC1L	7.3700	RFQ	1218	Micron Technology Inc.	-	상자	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	-	-		플래시 -Nand (SLC)	2.7V ~ 3.6V	-	-				557-MT29F8G08ABACAM71M3WC1L			1		비 비	8gbit	20 ns	플래시	1g x 8	onfi	20ns
MTFC16GKQDI-IT MS	-	RFQ	8219	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	-	MTFC16G	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	128gbit		플래시	16g x 8	MMC	-
MT46H64M16LFBF-5 AIT : B TR	9.8100	RFQ	828	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	60-VFBGA	MT46H64M16	sdram- 모바일 lpddr	1.7V ~ 1.95V	60-VFBGA (8x9)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	200MHz	휘발성 휘발성	1gbit	5 ns	음주	64m x 16	평행한	15ns
MT62F768M64D4EK-023 WT ES : B TR	61.3800	RFQ	9221	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인				MT62F768				-				557-MT62F768M64D4EK-023WTES : BTR			1,500
M29W128GSH70ZA6F TR	-	RFQ	2237	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-TBGA	M29W128	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-TBGA (10x13)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	2,500		비 비	128mbit	70 ns	플래시	16m x 8, 8m x 16	평행한	70ns
MTC20F2085S1RC56BG1	334.4700	RFQ	9558	Micron Technology Inc.	-	상자	활동적인								-				557-MTC20F2085S1RC56BG1			1
MT48LC4M32B2B5-6A AIT : L TR	-	RFQ	5481	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	90-VFBGA	MT48LC4M32B2	sdram	3V ~ 3.6V	90-VFBGA (8x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	2,000	167 MHz	휘발성 휘발성	128mbit	5.4 ns	음주	4m x 32	평행한	12ns
MT41K512M16HA-125 : a	-	RFQ	3703	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	96-TFBGA	MT41K512M16	sdram -ddr3l	1.283V ~ 1.45V	96-FBGA (9x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	2832-MT41K512M16HA-125 : ATR	귀 99	8542.32.0036	1	800MHz	휘발성 휘발성	8gbit	13.5 ns	음주	512m x 16	평행한	-
MT40A1G16KNR-062E : e	21.7650	RFQ	3041	Micron Technology Inc.	-	쟁반	활동적인	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	96-TFBGA	MT40A1G16	sdram -ddr4	1.14V ~ 1.26V	96-FBGA (7.5x13.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,080	1.6GHz	휘발성 휘발성	16gbit	19 ns	음주	1g x 16	평행한	15ns
PC28F128P30BF65E	-	RFQ	2009 년 년	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-TBGA	PC28F128	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	64-ESYBGA (10x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	864	52MHz	비 비	128mbit	65 ns	플래시	8m x 16	평행한	65ns
MT25QU01GBBB1EW9-0SIT	13.1400	RFQ	1696	Micron Technology Inc.	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-wdfn n 패드	MT25QU01	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	8-wpdfn (6x8) (MLP8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	-791-MT25QU01GBBB1EW9-0SIT	3A991B1A	8542.32.0071	1,920	133 MHz	비 비	1gbit		플래시	128m x 8	SPI	8ms, 2.8ms
MT48H8M16LFB4-8 : J TR	-	RFQ	4562	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	54-VFBGA	MT48H8M16	sdram- 모바일 lpsdr	1.7V ~ 1.9V	54-VFBGA (8x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	125MHz	휘발성 휘발성	128mbit	7 ns	음주	8m x 16	평행한	15ns
MT40A1G4HX-083E : a	-	RFQ	5901	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT40A1G4	sdram -ddr4	1.14V ~ 1.26V	78-FBGA (9x11.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0036	1,000	1.2GHz	휘발성 휘발성	4gbit		음주	1g x 4	평행한	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

메모리 (10402)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²