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메모리 (10402)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MTFC8GACAEAM-1M WT Micron Technology Inc. MTFC8GACAEAM-1M WT -
RFQ
 ECAD 3956 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 대부분 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) MTFC8 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
MT25TL01GHBB8ESF-0AAT Micron Technology Inc. MT25TL01GHBB8ESF-0AAT -
RFQ
 ECAD 2032 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 튜브 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MT25TL01 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 133 MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT42L256M64D4EV-25 WT:A Micron Technology Inc. MT42L256M64D4EV-25 WT : a -
RFQ
 ECAD 3515 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 253-TFBGA MT42L256M64 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V 253-FBGA (11x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 평행한 -
N25Q128A23BSF40G Micron Technology Inc. N25Q128A23BSF40G -
RFQ
 ECAD 1530 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) N25Q128A23 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,225 108 MHz 비 비 128mbit 플래시 32m x 4 SPI 8ms, 5ms
EDF8164A3MA-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDF8164A3MA-JD-FR TR -
RFQ
 ECAD 8578 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 - EDF8164 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V 253-FBGA (11x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 128m x 64 평행한 -
MT29F128G08AMEDBJ5-12:D TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AMEDBJ5-12 : D TR -
RFQ
 ECAD 6728 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 - MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 132-TBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
M29DW256G70ZA6F TR Micron Technology Inc. M29DW256G70ZA6F TR -
RFQ
 ECAD 6172 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA M29DW256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-TBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 비 비 256mbit 70 ns 플래시 16m x 16 평행한 70ns
MT29F64G08AJABAWP:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G08AJABAWP : B TR -
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 ECAD 3131 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT29F16G08ABCBBH1-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F16G08ABCBBH1-12 : B TR -
RFQ
 ECAD 7916 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-VBGA MT29F16G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 16gbit 플래시 2G X 8 평행한 -
MT53D4D1ASQ-DC TR Micron Technology Inc. MT53D4D1ASQ-DC TR -
RFQ
 ECAD 1224 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 MT53D4 - 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 2,000
MT40A512M8SA-062E:F Micron Technology Inc. MT40A512M8SA-062E : f 8.3250
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 ECAD 9576 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A512M8 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1 1.6GHz 휘발성 휘발성 4gbit 13.75 ns 음주 512m x 8 평행한 -
MT25QL128ABB8E12-CAUT Micron Technology Inc. MT25QL128ABB8E12-CAUT 4.8849
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 ECAD 3572 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -791-MT25QL128ABB8E12-CAUT 1,122 133 MHz 비 비 128mbit 5 ns 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o 1.8ms
MT53D512M64D4HR-053 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D512M64D4HR-053 WT ES : D. -
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 ECAD 7532 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 366-WFBGA MT53D512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 366-WFBGA (12x12.7) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 - -
MT48LC64M4A2P-75:D TR Micron Technology Inc. MT48LC64M4A2P-75 : D TR -
RFQ
 ECAD 7514 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC64M4A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 64m x 4 평행한 15ns
N25Q032A13ESF40F TR Micron Technology Inc. N25Q032A13ESF40F TR -
RFQ
 ECAD 4181 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) N25Q032A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 비 비 32mbit 플래시 8m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT42L128M64D4LD-25 IT:A Micron Technology Inc. MT42L128M64D4LD-25 IT : a -
RFQ
 ECAD 1766 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 sic에서 중단되었습니다 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 220-VFBGA MT42L128M64 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V 220-FBGA (14x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 128m x 64 평행한 -
M50FW080N5 Micron Technology Inc. M50FW080N5 -
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 ECAD 2171 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -20 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M50FW080 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 40-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 120 33MHz 비 비 8mbit 250 ns 플래시 1m x 8 평행한 -
MT29F256G08EBHAFB16A3WSA Micron Technology Inc. MT29F256G08EBHAFB16A3WSA -
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 ECAD 8814 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F256G08 플래시 -Nand (TLC) 2.5V ~ 3.6V 주사위 - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1 333 MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT41K512M8DA-107:P TR Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-107 : P TR 5.2703
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 ECAD 9246 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K512M8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT41K512M8DA-107 : PTR 귀 99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 -
MT46V256M4P-75:A TR Micron Technology Inc. MT46V256M4P-75 : A TR -
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 ECAD 1252 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V256M4 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 750 ps 음주 256m x 4 평행한 15ns
MT29F128G08EBCDBWP-10M:D TR Micron Technology Inc. MT29F128G08EBCDBWP-10M : D TR -
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 ECAD 3740 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
N25Q128A13EF8C0F TR Micron Technology Inc. N25Q128A13EF8C0F TR -
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 ECAD 8072 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 N25Q128A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (mlp8) (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 비 비 128mbit 플래시 32m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT53D4DBBP-DC TR Micron Technology Inc. MT53D4DBBP-DC TR -
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 ECAD 8427 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 - - MT53D4 sdram- 모바일 lpddr4 - - 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 2,000 휘발성 휘발성 음주
MT41K256M4JP-15E:G Micron Technology Inc. MT41K256M4JP-15E : g -
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 ECAD 1420 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K256M4 sdram -ddr3 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 667 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 13.5 ns 음주 256m x 4 평행한 -
MT28EW512ABA1HPN-0SIT TR Micron Technology Inc. Mt28ew512aba1hpn-0sit tr -
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 ECAD 6321 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-VFBGA MT28ew512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-VFBGA (7x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) mt28ew512aba1hpn-0sittr 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 비 비 512mbit 95 ns 플래시 64m x 8, 32m x 16 평행한 60ns
ECF440AACCN-Y3 Micron Technology Inc. ECF440AACCN-Y3 -
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 ECAD 2247 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 ECF440 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1
MT48LC8M16A2TG-7E:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2TG-7E : G TR -
RFQ
 ECAD 5861 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC8M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 14ns
MT29F1G01ABBFD12-AAT:F TR Micron Technology Inc. MT29F1G01ABBFD12-AAT : F TR 2.9665
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 ECAD 3763 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT29F1G01 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT29F1G01ABBFD12-AAT : FTR 8542.32.0071 2,000 비 비 1gbit 플래시 1g x 1 SPI -
MT52L512M32D2PF-093 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT52L512M32D2PF-093 WT ES : B TR -
RFQ
 ECAD 8324 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 178-VFBGA MT52L512 sdram- 모바일 lpddr3 1.2V 178-FBGA (11.5x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 1067 MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 - -
M29F400BT70M1 Micron Technology Inc. M29F400BT70M1 -
RFQ
 ECAD 8944 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비) M29F400 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 44- - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 16 비 비 4mbit 70 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 70ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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