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메모리 (10402)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT41J64M16JT-15E AIT : G TR	-	RFQ	8438	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	96-TFBGA	MT41J64M16	sdram -ddr3	1.425V ~ 1.575V	96-FBGA (8x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	2,000	667 MHz	휘발성 휘발성	1gbit		음주	64m x 16	평행한	-
MT41K128M16HA-15E IT : d	-	RFQ	4589	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	96-TFBGA	MT41K128M16	sdram -ddr3l	1.283V ~ 1.45V	96-FBGA (9x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	667 MHz	휘발성 휘발성	2gbit	13.5 ns	음주	128m x 16	평행한	-
MT47H64M8B6-5E IT : D TR	-	RFQ	5381	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	60-FBGA	MT47H64M8	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	60-FBGA	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	200MHz	휘발성 휘발성	512mbit	600 ps	음주	64m x 8	평행한	15ns
M29W064FB70N3F TR	-	RFQ	4790	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	M29W064	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,500		비 비	64mbit	70 ns	플래시	8m x 8, 4m x 16	평행한	70ns
TE28F128P33B85A	-	RFQ	3023	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	28F128P33	플래시 - 아니오	2.3V ~ 3.6V	56-tsop	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	576	40MHz	비 비	128mbit	85 ns	플래시	8m x 16	평행한	85ns
MT53B384M32D2DS-062 AUT : b	-	RFQ	8335	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TC)	표면 표면	200-WFBGA	MT53B384	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-WFBGA (10x14.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,360	1.6GHz	휘발성 휘발성	12gbit		음주	384m x 32	-	-
MT47H64M8CB-5E IT : B TR	-	RFQ	3494	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	60-FBGA	MT47H64M8	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	60-FBGA	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	200MHz	휘발성 휘발성	512mbit	600 ps	음주	64m x 8	평행한	15ns
MT29F256G08CMCBBH2-10 : b	-	RFQ	3831	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-tbga	MT29F256G08	플래시 -Nand (MLC)	2.7V ~ 3.6V	100-TBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,120	100MHz	비 비	256gbit		플래시	32g x 8	평행한	-
MT41K512M16TNA-125 M : e	-	RFQ	6601	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	96-TFBGA	MT41K512M16	sdram -ddr3l	1.283V ~ 1.45V	96-FBGA (10x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	800MHz	휘발성 휘발성	8gbit	13.5 ns	음주	512m x 16	평행한	-
EDB1316BDBH-1DAAT-FD	-	RFQ	7254	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	표면 표면	134-VFBGA	EDB1316	sdram- 모바일 lpddr2	1.14V ~ 1.95V	134-VFBGA (10x11.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0032	2,100	533 MHz	휘발성 휘발성	1gbit		음주	64m x 16	평행한	-
MT44K64M18RB-093E : A TR	80.5650	RFQ	1885	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	168-TBGA	MT44K64M18	rldram 3	1.28V ~ 1.42V	168-BGA (13.5x13.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	1.066 GHz	휘발성 휘발성	1.125gbit	8 ns	음주	64m x 18	평행한	-
MT42L256M32D2LG-25 WT : A TR	-	RFQ	3490	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	168-WFBGA	MT42L256M32	sdram- 모바일 lpddr2	1.14V ~ 1.3V	168-FBGA (12x12)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	400MHz	휘발성 휘발성	8gbit		음주	256m x 32	평행한	-
MT61M256M32JE-12 N : A TR	-	RFQ	8937	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	180-TFBGA	MT61M256	sgram -gddr6	1.21V ~ 1.29V	180-FBGA (12x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	2,000	1.5GHz	휘발성 휘발성	8gbit		숫양	256m x 32	평행한	-
MT29TZZZ7D7DKLAH-107 W ES.9B7 TR	-	RFQ	3795	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는								-		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1,000
MT48LC64M8A2P-75 : c	-	RFQ	6902	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT48LC64M8A2	sdram	3V ~ 3.6V	54-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	5.4 ns	음주	64m x 8	평행한	15ns
M50FW080N5TG TR	-	RFQ	5426	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	M50FW080	플래시 - 아니오	3V ~ 3.6V	40-tsop	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	1,500	33MHz	비 비	8mbit	250 ns	플래시	1m x 8	평행한	-
mtfc32gakaeef-aat tr	-	RFQ	4825	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	169-TFBGA	MTFC32G	플래시 - NAND	-	169-TFBGA (14x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	256gbit		플래시	32g x 8	MMC	-
MTFC128GAOANAM-WT ES TR	-	RFQ	4711	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				MTFC128				-		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1,000
MT53D384M16D1Z1AMWC1	-	RFQ	6452	Micron Technology Inc.	*	대부분	활동적인				MT53D384				-		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1
MT47H128M4B6-25 : D TR	-	RFQ	7712	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	60-FBGA	MT47H128M4	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	60-FBGA	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0024	1,000	400MHz	휘발성 휘발성	512mbit	400 PS	음주	128m x 4	평행한	15ns
MT53B256M64D2NK-053 WT ES : C TR	-	RFQ	6559	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53B256	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,000	1.866 GHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	256m x 64	-	-
mtfc4glgdm-ait a	-	RFQ	9091	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	153-TFBGA	MTFC4	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	153-TFBGA (11.5x13)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	mtfc4glgdm-aita	쓸모없는	8542.32.0071	1,520		비 비	32gbit		플래시	4G X 8	MMC	-
MT29E512G08CMCCBH7-6 : c	-	RFQ	2658	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	-	MT29E512G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	152-TBGA	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	980	167 MHz	비 비	512gbit		플래시	64g x 8	평행한	-
MT48V4M32LFB5-10 IT : G TR	-	RFQ	8018	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	90-VFBGA	MT48V4M32	sdram- 모바일 lpsdr	2.3V ~ 2.7V	90-VFBGA (8x13)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	100MHz	휘발성 휘발성	128mbit	7 ns	음주	4m x 32	평행한	15ns
MT29F256G08CBCBBJ4-5M : B TR	-	RFQ	6600	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	132-VBGA	MT29F256G08	플래시 -Nand (MLC)	2.7V ~ 3.6V	132-VBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200MHz	비 비	256gbit		플래시	32g x 8	평행한	-
MT48LC8M32B2P-7 TR	-	RFQ	2532	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT48LC8M32B2	sdram	3V ~ 3.6V	86-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	143 MHz	휘발성 휘발성	256mbit	6 ns	음주	8m x 32	평행한	14ns
MT29F1G16ABBDAH4 : d	-	RFQ	9895	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	MT29F1G16	플래시 - NAND	1.7V ~ 1.95V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		비 비	1gbit		플래시	64m x 16	평행한	-
M29W400DT45N6E	-	RFQ	9604	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	M29W400	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0071	96		비 비	4mbit	45 ns	플래시	512k x 8, 256k x 16	평행한	45ns
MT46V64M8BN-6 : D TR	-	RFQ	2866	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	60-TFBGA	MT46V64M8	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	60-FBGA (10x12.5)	-	Rohs3 준수	5 (48 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	167 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	700 PS	음주	64m x 8	평행한	15ns
MT46V128M4BN-6 : d	-	RFQ	7393	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	60-TFBGA	MT46V128M4	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	60-FBGA (10x12.5)	-	Rohs3 준수	5 (48 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	167 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	700 PS	음주	128m x 4	평행한	15ns

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

메모리 (10402)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²