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메모리 (10402)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT53D1024M64D8NW-062 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M64D8NW-062 WT : D TR -
RFQ
 ECAD 9693 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 432-VFBGA MT53D1024 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 432-VFBGA (15x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 1G X 64 - -
MT53D768M64D8WF-053 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D768M64D8WF-053 WT ES : d -
RFQ
 ECAD 2570 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 376-WFBGA MT53D768 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 376-WFBGA (14x14) - 1 (무제한) 귀 99 8542.32.0036 1,190 1.866 GHz 휘발성 휘발성 48gbit 음주 768m x 64 - -
PC28F512P33TF0 Micron Technology Inc. PC28F512P33TF0 -
RFQ
 ECAD 7542 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F512 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 64-EASYBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 184 52MHz 비 비 512mbit 95 ns 플래시 32m x 16 평행한 95ns
MT25QU512ABB1EW9-0SIT Micron Technology Inc. mt25qu512abb1ew9-0sit 9.8600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 MT25QU512 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 8-WPDFN (8x6) (MLP8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,920 133 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT47H128M8HQ-3 IT:G Micron Technology Inc. MT47H128M8HQ-3 IT : g -
RFQ
 ECAD 6742 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 60-FBGA MT47H128M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 128m x 8 평행한 15ns
M58LT256JSB8ZA6E Micron Technology Inc. M58LT256JSB8ZA6E -
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 ECAD 2922 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 80-lbga M58LT256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 80-lbga (10x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -M58LT256JSB8ZA6E 3A991B1A 8542.32.0071 816 52MHz 비 비 256mbit 85 ns 플래시 16m x 16 평행한 85ns
MT29F64G08AKCCBH2-10Z:C Micron Technology Inc. MT29F64G08AKCCBH2-10Z : c -
RFQ
 ECAD 4264 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-tbga MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-TBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
N25Q256A13E12A0F TR Micron Technology Inc. N25Q256A13E12A0F TR -
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 ECAD 1738 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA N25Q256A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 2,500 108 MHz 비 비 256mbit 플래시 64m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAWP-IT : e 3.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F2G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 960 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
MT53D384M64D4FL-046 XT ES:E Micron Technology Inc. MT53D384M64D4FL-046 XT ES : e -
RFQ
 ECAD 4324 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 쓸모없는 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) MT53D384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - 쓸모없는 1,120 2.133 GHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 384m x 64 - -
MT53D4DADT-DC Micron Technology Inc. MT53D4DADT-DC -
RFQ
 ECAD 8735 0.00000000 Micron Technology Inc. * 상자 활동적인 MT53D4 - 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,360
MT45W2MW16BGB-708 WT TR Micron Technology Inc. MT45W2MW16BGB-708 WT TR -
RFQ
 ECAD 4576 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 54-VFBGA MT45W2MW16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 32mbit 70 ns psram 2m x 16 평행한 70ns
MT46V64M4TG-75:G TR Micron Technology Inc. MT46V64M4TG-75 : G TR -
RFQ
 ECAD 6890 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V64M4 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 750 ps 음주 64m x 4 평행한 15ns
MT40A8G4NEA-062E:F Micron Technology Inc. MT40A8G4NEA-062E : f 52.5000
RFQ
 ECAD 7976 0.00000000 Micron Technology Inc. Twindie ™ 상자 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) - 557-MT40A8G4NEA-062E : f 1 1.6GHz 휘발성 휘발성 32gbit 13.75 ns 음주 8g x 4 평행한 -
MT29F2T08CVCBBG6-6C:B Micron Technology Inc. MT29F2T08CVCBBG6-6C : b -
RFQ
 ECAD 2510 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 272-LFBGA MT29F2T08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 272-LFBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1 167 MHz 비 비 2tbit 플래시 256g x 8 평행한 -
MT40A2G8JE-062E AIT:E Micron Technology Inc. MT40A2G8JE-062E AIT : e 15.6150
RFQ
 ECAD 2310 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x11) 다운로드 557-MT40A2G8JE-062EAIT : e 1 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 19 ns 음주 2G X 8 현물 현물 지불 15ns
MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAH4-AATX : e -
RFQ
 ECAD 7587 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F2G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
M36L0R7050L3ZSF TR Micron Technology Inc. M36L0R7050L3ZSF TR -
RFQ
 ECAD 8855 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 M36L0R7050 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 2,500
PC48F4400P0TB0E3 Micron Technology Inc. PC48F4400P0TB0E3 -
RFQ
 ECAD 6572 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-lbga PC48F4400 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0051 144 52MHz 비 비 512mbit 95 ns 플래시 32m x 16 평행한 95ns
MT47H128M4BT-37E:A TR Micron Technology Inc. MT47H128M4BT-37E : A TR 27.7200
RFQ
 ECAD 745 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 92-TFBGA MT47H128M4 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 92-FBGA (11x19) 다운로드 Rohs3 준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 267 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 500 PS 음주 128m x 4 평행한 15ns
MT29F1T08CUECBH8-12:C Micron Technology Inc. MT29F1T08CUECBH8-12 : c -
RFQ
 ECAD 2439 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-lbga MT29F1T08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 152-lbga (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 980 83MHz 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 평행한 -
MT29F16G08ABACAWP-Z:C Micron Technology Inc. MT29F16G08ABACAWP-Z : c -
RFQ
 ECAD 6934 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F16G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 960 비 비 16gbit 플래시 2G X 8 평행한 -
M36L0R7050U3ZSE Micron Technology Inc. M36L0R7050U3ZSE -
RFQ
 ECAD 1069 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 M36L0R7050 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 2,304
MT49H16M36BM-33:B Micron Technology Inc. MT49H16M36BM-33 : b -
RFQ
 ECAD 2436 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H16M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 300MHz 휘발성 휘발성 576mbit 20 ns 음주 16m x 36 평행한 -
MT46H32M32LFCM-6 L IT:A Micron Technology Inc. MT46H32M32LFCM-6 L IT : a -
RFQ
 ECAD 9746 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT46H32M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 32m x 32 평행한 15ns
MTFC4GLYAM-WT TR Micron Technology Inc. MTFC4GLYAM-WT TR -
RFQ
 ECAD 1458 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - MTFC4 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 MMC -
MT48LC64M4A2P-7E:D TR Micron Technology Inc. MT48LC64M4A2P-7E : D TR -
RFQ
 ECAD 1067 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC64M4A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 64m x 4 평행한 14ns
MT45W4MW16BFB-708 L WT Micron Technology Inc. MT45W4MW16BFB-708 L WT -
RFQ
 ECAD 3694 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 54-VFBGA MT45W4MW16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (6x9) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 64mbit 70 ns psram 4m x 16 평행한 70ns
JS28F064M29EWBA Micron Technology Inc. JS28F064M29ewba -
RFQ
 ECAD 3436 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F064M29 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 64mbit 70 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 70ns
MT53D8DBPM-DC TR Micron Technology Inc. MT53D8DBPM-DC TR -
RFQ
 ECAD 4287 0.00000000 Micron Technology Inc. * 테이프 & tr (TR) 활동적인 MT53d8 - 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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