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메모리 (10402)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 시계 시계 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 | sic 프로그램 가능 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT52L512M32D2PF-093 WT : B TR | - |  | 5448 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 178-VFBGA | MT52L512 | sdram- 모바일 lpddr3 | 1.2V | 178-FBGA (11.5x11) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1067 MHz | 휘발성 휘발성 | 16gbit | 음주 | 512m x 32 | - | - | ||||
 | MT29FEN64GDKCAAXDQ-10 : A TR | - | | 4920 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | MT29FEN64 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | ||||||||||||||||||
| MT29F8T08EULCHD5-T : C. | 167.8050 | | 8013 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | - | 557-MT29F8T08EULCHD5-T : C. | 1 | ||||||||||||||||||||||
| MT62F1G32D2DS-023 WT : b | 22.8450 | | 7261 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | - | 표면 표면 | 200-WFBGA | sdram- 모바일 lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023WT : b | 1 | 4.266 GHz | 휘발성 휘발성 | 32gbit | 음주 | 1g x 32 | 평행한 | - | |||||||||
 | MT29F256G08CECABH6-6R : a | - | | 1270 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 152-VBGA | MT29F256G08 | 플래시 -Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 152-VBGA (14x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | 평행한 | - | |||||
| MT53D768M16D1Z3BMWC1 | 63.5400 | | 9249 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | - | 557-MT53D768M16D1Z3BMWC1 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| MT29C8G96MAZBADKD-5 IT TR | - | | 4261 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 168-VFBGA | MT29C8G96 | 플래시 -Nand, n lpdram | 1.7V ~ 1.95V | 168-VFBGA (12x12) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200MHz | 비 비, 휘발성 | 8GBIT (NAND), 4GBIT (LPDRAM) | 플래시, 램 | 512m x 16 (NAND), 128m x 32 (lpdram) | 평행한 | - | |||||
 | MT29F64G08CBCBBH1-10X : b | - | | 3079 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-VBGA | MT29F64G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 100-VBGA (12x18) | - | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 100MHz | 비 비 | 64gbit | 플래시 | 8g x 8 | 평행한 | - | ||||||
| MT62F2G32D4DS-026 WT : c | 45.6900 | | 7312 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | - | 557-MT62F2G32D4DS-026WT : c | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | MT29E512G08CEHBBJ4-3 : b | - | | 7811 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 132-VBGA | MT29E512G08 | 플래시 - NAND | 2.5V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 333 MHz | 비 비 | 512gbit | 플래시 | 64g x 8 | 평행한 | - | 확인되지 확인되지 | |||||
 | MT29C2G24MAAAAKAMD-5 IT | - | | 1198 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 130-VFBGA | MT29C2G24 | 플래시 -Nand, n lpdram | 1.7V ~ 1.95V | 130-VFBGA (8x9) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200MHz | 비 비, 휘발성 | 2GBIT (NAND), 1GBIT (LPDRAM) | 플래시, 램 | 256m x 8 (NAND), 32m x 32 (lpdram) | 평행한 | - | ||||
| MTFC32GAMALAM-WT TR | - | | 3935 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | MTFC32G | 플래시 - NAND | - | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,000 | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | MMC | - | |||||
| MTFC256GAXATHF-WT | 27.5700 | | 4851 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | - | 557-MTFC256GAXATHF-WT | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | MT40A512M8SA-062E : g | - | | 5887 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | MT40A512M8 | sdram -ddr4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 557-MT40A512M8SA-062E : g | 쓸모없는 | 1,260 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 19 ns | 음주 | 512m x 8 | 평행한 | 15ns | ||||
| MT47H256M8EB-3 : c | - | | 7023 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 60-TFBGA | MT47H256M8 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-FBGA (9x11.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,320 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 450 ps | 음주 | 256m x 8 | 평행한 | 15ns | ||||
| MT53D8DANW-DC TR | - | | 7930 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | MT53d8 | - | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||||
| MT29F2T08GELCEJ4-M : C TR | 39.0600 | | 5097 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 557-MT29F2T08GELCEJ4-M : CTR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
 | RC28F128J3D75B TR | - | | 1124 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-TBGA | RC28F128 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 64-ESYBGA (10x13) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 비 비 | 128mbit | 75 ns | 플래시 | 16m x 8, 8m x 16 | 평행한 | 75ns | ||||
| MT29E3T08EQHBBG2-3ES : b | - | | 4752 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 272-LFBGA | MT29E3T08 | 플래시 - NAND | 2.5V ~ 3.6V | 272-LFBGA (14x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 980 | 333 MHz | 비 비 | 3tbit | 플래시 | 384g x 8 | 평행한 | - | |||||
| EMFA164A2PM-DV-FD | - | | 8945 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | EMFA164 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1,190 | ||||||||||||||||||
 | MT46V128M8P-6T IT : a | - | | 4392 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT46V128M8 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 66-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 167 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 700 PS | 음주 | 128m x 8 | 평행한 | 15ns | |||
| M50FLW040AN5G | - | | 9621 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | M50FLW040 | 플래시 - 아니오 | 3V ~ 3.6V | 40-tsop | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 120 | 33MHz | 비 비 | 4mbit | 250 ns | 플래시 | 512k x 8 | 평행한 | - | |||
 | MT29F512G08CUCABJ3-10RZ : A TR | - | | 2937 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 132-lbga | MT29F512G08 | 플래시 -Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 132-LBGA (12x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100MHz | 비 비 | 512gbit | 플래시 | 64g x 8 | 평행한 | - | ||||
| MT29F2G08ABBEAM69A3WC1 | - | | 4771 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 주사위 | MT29F2G08 | 플래시 - NAND | 1.7V ~ 1.95V | 주사위 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | 비 비 | 2gbit | 플래시 | 256m x 8 | 평행한 | - | |||||
| MT44K64M18RB-083E : a | - | | 1319 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 168-TBGA | MT44K64M18 | rldram 3 | 1.28V ~ 1.42V | 168-BGA (13.5x13.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,190 | 1.2GHz | 휘발성 휘발성 | 1.125gbit | 7.5 ns | 음주 | 64m x 18 | 평행한 | - | |||
| MT29F8T08GULCEM4-QB : C TR | 156.3000 | | 3487 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 557-MT29F8T08GULCEM4-QB : CTR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
| MT29VZZZ7D8DQFSL-046 W.9J8 TR | - | | 2612 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | MT29VZZZ7 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | MT29VZZZ7D8DQFSL-046W.9J8TR | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||
 | MT41K1G8SN-125 IT : A TR | - | | 3370 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | MT41K1G8 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (9x13.2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 13.75 ns | 음주 | 1g x 8 | 평행한 | - | |||
 | MTFC16GJDDQ-4M IT | - | | 9831 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lbga | MTFC16G | 플래시 - NAND | 1.65V ~ 3.6V | 100-lbga (14x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 비 비 | 128gbit | 플래시 | 16g x 8 | MMC | - | |||||
| MTFC128GAVATTC-AAT | 61.8150 | | 4705 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-LFBGA | 플래시 -Nand (SLC) | 2.4V ~ 2.7V | 153-LFBGA (11.5x13) | - | 557-MTFC128GAVATTC-AAT | 1 | 비 비 | 1tbit | 플래시 | 128g x 8 | EMMC | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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