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메모리 (10402)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
N25Q032A13EF440E Micron Technology Inc. N25Q032A13EF440E -
RFQ
 ECAD 1691 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-udfn N25Q032A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-PDFN (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 490 108 MHz 비 비 32mbit 플래시 8m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT52L256M64D2FT-107 WT:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M64D2FT-107 WT : B TR 24.1050
RFQ
 ECAD 5861 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT52L256 sdram- 모바일 lpddr3 1.2V - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,000 933 MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 - -
MT62F2G64D8EK-026 AAT:B Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-026 AAT : b 126.4350
RFQ
 ECAD 2825 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT62F2G64D8EK-026AAT : b 1
MT45W4MW16PBA-70 IT TR Micron Technology Inc. MT45W4MW16PBA-70 IT TR -
RFQ
 ECAD 5272 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 48-VFBGA MT45W4MW16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 64mbit 70 ns psram 4m x 16 평행한 70ns
EDB8132B4PM-1DAT-F-D Micron Technology Inc. EDB8132B4PM-1DAT-FD -
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 ECAD 3667 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 168-WFBGA EDB8132 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 168-FBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,008 533 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 평행한 -
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAH4-IT : E TR 4.2400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F2G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
MT58L128L36P1T-7.5 Micron Technology Inc. MT58L128L36P1T-7.5 2.7800
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 ECAD 34 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 휘발성 휘발성 4mbit 4 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
MT29C1G12MAACVAML-5 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAACVAML-5 IT -
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 ECAD 1318 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA MT29C1G12 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 153-VFBGA 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비, 휘발성 1GBIT (NAND), 512MBIT (LPDRAM) 플래시, 램 64m x 16 (NAND), 32m x 16 (lpdram) 평행한 -
MT41J256M8JE-187E:A Micron Technology Inc. MT41J256M8JE-187E : a -
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 ECAD 2653 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 82-FBGA MT41J256M8 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 82-FBGA (12.5x15.5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 Q4329252 귀 99 8542.32.0036 25 533 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 13.125 ns 음주 256m x 8 평행한 -
MT40A1G8AG-062E AIT:R Micron Technology Inc. MT40A1G8AG-062E AIT : r -
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 ECAD 4173 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) - 영향을받지 영향을받지 557-MT40A1G8AG-062EAIT : r 1 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 19 ns 음주 1g x 8 평행한 15ns
MT53E512M16D1Z11MWC1 Micron Technology Inc. MT53E512M16D1Z11MWC1 11.2300
RFQ
 ECAD 1086 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 표면 표면 주사위 sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 웨이퍼 - 557-MT53E512M16D1Z11MWC1 1 휘발성 휘발성 8gbit 3.5 ns 음주 512m x 16 평행한 18ns
MT55L256L18F1F-10 Micron Technology Inc. MT55L256L18F1F-10 4.4800
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 ECAD 264 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA SRAM -ZBT 3.135V ~ 3.465V 165-FBGA (13x15) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 100MHz 휘발성 휘발성 4mbit 7.5 ns SRAM 256k x 18 평행한 -
EDB1332BDPC-1D-F-R TR Micron Technology Inc. EDB1332BDPC-1D-FR TR -
RFQ
 ECAD 6458 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-VFBGA EDB1332 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 134-VFBGA (10x11.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 32m x 32 평행한 -
MT29F1G08ABAEAWP:E Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAWP : e 2.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F1G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 960 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 평행한 -
MT41K128M16JT-107:K TR Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-107 : K TR -
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 ECAD 6051 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K128M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 -
MT62F1G32D2DS-023 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-023 WT : B TR 22.8450
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 ECAD 2715 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1G32D2DS-023WT : BTR 2,000 3.2GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 평행한 -
M25P40-VMP6TGB0A TR Micron Technology Inc. M25P40-VMP6TGB0A TR -
RFQ
 ECAD 6306 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M25P40 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-vdfpn (6x5) (MLP8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 4,000 75MHz 비 비 4mbit 플래시 512k x 8 SPI 15ms, 5ms
MT29F1G16ABCHC-ET:C Micron Technology Inc. MT29F1G16ABCHC-ET : c -
RFQ
 ECAD 8726 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F1G16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (10.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 1gbit 플래시 64m x 16 평행한 -
MT29F1T08EBLCEJ4-ES:C TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EBLCEJ4-ES : C TR -
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 ECAD 6510 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT29F1T08EBLCEJ4-ES : CTR 2,000
MT35XL512ABA1G12-0AAT Micron Technology Inc. MT35XL512ABA1G12-0AAT 11.5200
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 ECAD 983 0.00000000 Micron Technology Inc. XCCELA ™ -MT35X 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 24-TBGA MT35XL512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 xccela 버스 -
MT46H16M16LFBF-5 IT:H TR Micron Technology Inc. MT46H16M16LFBF-5 IT : H TR -
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 ECAD 6969 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA MT46H16M16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-VFBGA (8x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5 ns 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT47H128M16RT-25E IT:C TR Micron Technology Inc. MT47H128M16RT-25E IT : C TR 15.2500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H128M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (9x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 400 PS 음주 128m x 16 평행한 15ns
MT58L256L18F1T-8.5 Micron Technology Inc. MT58L256L18F1T-8.5 2.5900
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 ECAD 55 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 500 100MHz 휘발성 휘발성 4mbit 8.5 ns SRAM 256k x 18 평행한 -
MT53E512M32D2NP-053 RS WT:G Micron Technology Inc. MT53E512M32D2NP-053 RS WT : g -
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 ECAD 8381 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 표면 표면 200-WFBGA 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 557-MT53E512M32D2NP-053RSWT : g 쓸모없는 1,360
JR28F064M29EWLB TR Micron Technology Inc. jr28f064m29ewlb tr -
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 ECAD 5728 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JR28F064M29 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 비 비 64mbit 70 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 70ns
MT42L16M32D1AC-25 AIT:A Micron Technology Inc. MT42L16M32D1AC-25 AIT : a -
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 ECAD 2792 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-VFBGA MT42L16M32 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 134-VFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0032 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 음주 16m x 32 평행한 -
MT62F2G64D8EK-023 WT:C Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-023 WT : c 90.4650
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 ECAD 8962 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 441-TFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F2G64D8EK-023WT : c 1 4.266 GHz 휘발성 휘발성 128gbit 음주 2G X 64 평행한 -
MT53D512M32D2NP-046 AUT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-046 AUT ES : D TR -
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 ECAD 5305 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53D512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 - -
EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR Micron Technology Inc. EDB8164B4PT-1DIT-FR TR -
RFQ
 ECAD 1960 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 216-WFBGA EDB8164 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 216-FBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 128m x 64 평행한 -
MT62F2G32D4DS-023 WT ES:C Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-023 WT ES : c 45.6900
RFQ
 ECAD 5861 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F2G32D4DS-023WTES : c 1 2.133 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 2G X 32 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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