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메모리 (10402)

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MT48LC8M32B2B5-7 TR Micron Technology Inc. MT48LC8M32B2B5-7 TR -
RFQ
 ECAD 9761 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48LC8M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 6 ns 음주 8m x 32 평행한 14ns
MT46H128M32L2KQ-5 IT:B Micron Technology Inc. MT46H128M32L2KQ-5 IT : b -
RFQ
 ECAD 7759 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-WFBGA MT46H128M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 4gbit 5 ns 음주 128m x 32 평행한 15ns
MT53B4DBDT-DC TR Micron Technology Inc. MT53B4DBDT-DC TR -
RFQ
 ECAD 2276 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 MT53B4 sdram- 모바일 lpddr4 - 쓸모없는 2,000 휘발성 휘발성 음주
MT47H128M8CF-3:H TR Micron Technology Inc. MT47H128M8CF-3 : H TR -
RFQ
 ECAD 9737 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA MT47H128M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 128m x 8 평행한 15ns
MT53E4DCDT-DC Micron Technology Inc. MT53E4DCDT-DC 22.5000
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 ECAD 8023 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 MT53E4 - 영향을받지 영향을받지 557-MT53E4DCDT-DC 1,360
N25Q128A23BSF40E Micron Technology Inc. N25Q128A23BSF40E -
RFQ
 ECAD 4742 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) N25Q128A23 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 240 108 MHz 비 비 128mbit 플래시 32m x 4 SPI 8ms, 5ms
EDFM432A1PH-GD-F-D Micron Technology Inc. EDFM432A1PH-GD-FD -
RFQ
 ECAD 4341 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - EDFM432 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V 168-FBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,680 800MHz 휘발성 휘발성 12gbit 음주 384m x 32 평행한 -
MT29RZ4C4DZZMGMF-18 W.80U Micron Technology Inc. MT29RZ4C4DZZMGMF-18 W.80U -
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 ECAD 5653 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 MT29RZ4 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
M29F400BT70N6E Micron Technology Inc. M29F400BT70N6E -
RFQ
 ECAD 3724 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29F400 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 4mbit 70 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 70ns
MT29TZZZ4D4BKERL-125 W.94M TR Micron Technology Inc. MT29TZZZ4D4BKERL-125 W.94M TR -
RFQ
 ECAD 4136 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,000
MT28FW512ABA1HJS-0AAT Micron Technology Inc. MT28FW512ABA1HJS-0AAT -
RFQ
 ECAD 2038 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28FW512 플래시 - 아니오 1.7V ~ 3.6V 56-tsop - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 512mbit 105 ns 플래시 32m x 16 평행한 60ns
MT29F2G08ABAEAH4-E:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAH4-E : E TR -
RFQ
 ECAD 4211 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F2G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
MT46V128M4TG-6T:F TR Micron Technology Inc. MT46V128M4TG-6T : F TR -
RFQ
 ECAD 3259 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V128M4 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 128m x 4 평행한 15ns
PC28F256P30B85D TR Micron Technology Inc. PC28F256P30B85D TR -
RFQ
 ECAD 2513 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52MHz 비 비 256mbit 85 ns 플래시 16m x 16 평행한 85ns
MT25QL512ABB1EW9-0SIT Micron Technology Inc. MT25QL512ABB1EW9-0SIT -
RFQ
 ECAD 9805 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 MT25QL512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-WPDFN (8x6) (MLP8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,920 133 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT28EW512ABA1HJS-0AAT Micron Technology Inc. mt28ew512aba1hjs-0aat -
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 ECAD 3575 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28ew512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) -mt28ew512aba1hjs-0aat 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 512mbit 105 ns 플래시 64m x 8, 32m x 16 평행한 60ns
MT47H32M16HR-3:F Micron Technology Inc. MT47H32M16HR-3 : f -
RFQ
 ECAD 1167 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H32M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-1466 귀 99 8542.32.0024 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 450 ps 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT29F8G16ABBCAH4-IT:C Micron Technology Inc. MT29F8G16ABBCAH4-IT : C. -
RFQ
 ECAD 2733 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F8G16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 비 비 8gbit 플래시 512m x 16 평행한 -
MT47H32M16U67A3WC1 Micron Technology Inc. MT47H32M16U67A3WC1 -
RFQ
 ECAD 7012 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - - - MT47H32M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1 휘발성 휘발성 512mbit 음주 32m x 16 평행한 -
MT49H16M36BM-18 IT:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M36BM-18 IT : B TR -
RFQ
 ECAD 3181 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA MT49H16M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 576mbit 15 ns 음주 16m x 36 평행한 -
MT46H32M16LFBF-6 AT:C TR Micron Technology Inc. MT46H32M16LFBF-6 AT : C TR -
RFQ
 ECAD 4945 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA MT46H32M16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-VFBGA (8x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5 ns 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT53D384M32D2DS-046 AUT:E Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-046 AUT : e -
RFQ
 ECAD 8433 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53D384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 휘발성 휘발성 12gbit 음주 384m x 32 - -
MT29F16G08ADACAH4:C TR Micron Technology Inc. MT29F16G08ADACAH4 : C TR -
RFQ
 ECAD 7644 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F16G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 16gbit 플래시 2G X 8 평행한 -
PC28F128M29EWHF Micron Technology Inc. PC28F128M29EWHF -
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 ECAD 7948 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga PC28F128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 비 비 128mbit 60 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 60ns
MT53E1G32D2FW-046 AUT:B TR Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 AUT : B TR 37.9050
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 ECAD 8089 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) 다운로드 557-MT53E1G32D2FW-046AUT : BTR 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 3.5 ns 음주 1g x 32 평행한 18ns
MT29F256G08AUCDBJ6-6:D Micron Technology Inc. MT29F256G08AUCDBJ6-6 : d -
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 ECAD 6885 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-lbga MT29F256G08 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 132-LBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 166 MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
M25PE10-VMN6P Micron Technology Inc. M25PE10-VMN6P -
RFQ
 ECAD 3952 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25PE10 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 75MHz 비 비 1mbit 플래시 128k x 8 SPI 15ms, 3ms
MT61M256M32JE-12 AAT:A Micron Technology Inc. MT61M256M32JE-12 AAT : a -
RFQ
 ECAD 3865 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 180-TFBGA MT61M256 sgram -gddr6 1.21V ~ 1.29V 180-FBGA (12x14) 다운로드 귀 99 8542.32.0071 1,260 1.5GHz 휘발성 휘발성 8gbit 숫양 256m x 32 평행한 -
MT46V64M8FN-75 L:D Micron Technology Inc. MT46V64M8FN-75 L : D. -
RFQ
 ECAD 9758 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V64M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) - rohs 비준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 750 ps 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT28F008B5VG-8 BET TR Micron Technology Inc. MT28F008B5VG-8 BET TR -
RFQ
 ECAD 2304 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F008B5 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 40-tsop i 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 8mbit 80 ns 플래시 1m x 8 평행한 80ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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