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메모리 (10402)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT28EW01GABA1LPC-0AAT TR Micron Technology Inc. mt28ew01gaba1lpc-0aat tr -
RFQ
 ECAD 9636 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga MT28ew01 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-lbga (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 비 비 1gbit 105 ns 플래시 128m x 8, 64m x 16 평행한 60ns
MT29TZZZ5D6JKFRL-107 W.96R TR Micron Technology Inc. MT29TZZZ5D6JKFRL-107 W.96R TR -
RFQ
 ECAD 6916 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 MT29TZZZ5 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
MT29F8T08EWLEEM5-QA:E Micron Technology Inc. MT29F8T08EWLEEM5-QA : e -
RFQ
 ECAD 7472 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 쓸모없는 - 557-MT29F8T08EWLEEM5-QA : e 쓸모없는 1
MT29F1T08CUCBBH8-6R:B Micron Technology Inc. MT29F1T08CUCBBH8-6R : b -
RFQ
 ECAD 9836 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-lbga MT29F1T08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 152-lbga (14x18) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 980 167 MHz 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 평행한 -
MT29F128G08CBCEBRT-37B:E Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCEBRT-37B : e -
RFQ
 ECAD 6470 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 267 MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
N25Q008A11ESC40G Micron Technology Inc. N25Q008A11ESC40G -
RFQ
 ECAD 5951 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) N25Q008A11 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 108 MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 SPI 8ms, 5ms
MT46V16M16FG-75:F TR Micron Technology Inc. MT46V16M16FG-75 : F TR -
RFQ
 ECAD 5482 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-FBGA MT46V16M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (8x14) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 750 ps 음주 16m x 16 평행한 15ns
EDBA232B2PD-1D-F-R TR Micron Technology Inc. EDBA232B2PD-1D-FR TR -
RFQ
 ECAD 1397 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDBA232 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 평행한 -
MT48LC64M8A2P-75 IT:C Micron Technology Inc. MT48LC64M8A2P-75 IT : c -
RFQ
 ECAD 9807 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC64M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT29F1G01ABAFDM78A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F1G01ABAFDM78A3WC1 -
RFQ
 ECAD 7880 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F1G01 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 주사위 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1 비 비 1gbit 플래시 1g x 1 SPI -
MT38M4041A3034EZZI.XK6 Micron Technology Inc. MT38M4041A3034EZZI.XK6 -
RFQ
 ECAD 2839 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-VFBGA MT38M4041 플래시 - 아니오, psram 1.7V ~ 1.95V 56-VFBGA (8x8) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,560 133 MHz 비 비, 휘발성 256mbit ((), 128mbit (RAM) 플래시, 램 16m x 16, 8m x 16 평행한 -
MT47H512M4THN-3:E TR Micron Technology Inc. MT47H512M4THN-3 : E TR -
RFQ
 ECAD 6676 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 63-TFBGA MT47H512M4 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 63-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0036 2,000 333 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 450 ps 음주 512m x 4 평행한 15ns
MT48LC16M16A2FG-7E:D TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2FG-7E : D TR -
RFQ
 ECAD 9204 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48LC16M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-VFBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 14ns
MT48LC8M32B2B5-7 Micron Technology Inc. MT48LC8M32B2B5-7 -
RFQ
 ECAD 1110 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48LC8M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 6 ns 음주 8m x 32 평행한 14ns
MTC20C2085S1EC56BAZ Micron Technology Inc. MTC20C2085S1EC56BAZ 334.4700
RFQ
 ECAD 5253 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MTC20C2085S1EC56BAZ 1
MT48LC4M32B2F5-7:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2F5-7 : G TR -
RFQ
 ECAD 8370 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48LC4M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.5 ns 음주 4m x 32 평행한 14ns
MT52L256M32D1PF-107 WT:B Micron Technology Inc. MT52L256M32D1PF-107 WT : b 15.1400
RFQ
 ECAD 976 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 178-VFBGA MT52L256 sdram- 모바일 lpddr3 1.2V 178-FBGA (11.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,890 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 - -
MT48H16M16LFBF-75:H Micron Technology Inc. MT48H16M16LFBF-75 : h -
RFQ
 ECAD 1048 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48H16M16 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (8x9) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 Q4707290 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABAFAH4-AATES : F TR -
RFQ
 ECAD 8790 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 63-VFBGA MT29F4G16 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 비 비 4gbit 플래시 256m x 16 평행한 -
MT46V32M16P-5B:J Micron Technology Inc. MT46V32M16P-5B : J. -
RFQ
 ECAD 1582 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,080 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT46V16M16TG-75 IT:F Micron Technology Inc. MT46V16M16TG-75 IT : f -
RFQ
 ECAD 6503 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V16M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 750 ps 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT29PZZZ4D4BKESK-18 W.94H TR Micron Technology Inc. MT29PZZZ4D4BKESK-18 W.94H TR -
RFQ
 ECAD 7364 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 168-VFBGA 168-VFBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAWP-AATX : e 3.7300
RFQ
 ECAD 906 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F1G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 960 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 평행한 -
EMB8132B4PM-DV-F-D Micron Technology Inc. EMB8132B4PM-DV-FD -
RFQ
 ECAD 3325 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 EMB8132 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,680
MT46H16M16LFBF-6 IT:A TR Micron Technology Inc. MT46H16M16LFBF-6 IT : A TR -
RFQ
 ECAD 9646 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA MT46H16M16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-VFBGA (8x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5 ns 음주 16m x 16 평행한 12ns
MT41J256M16HA-125:E TR Micron Technology Inc. MT41J256M16HA-125 : E TR -
RFQ
 ECAD 7041 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41J256M16 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (9x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 13.75 ns 음주 256m x 16 평행한 -
MT47H32M16HR-25E AAT:G Micron Technology Inc. MT47H32M16HR-25E AAT : g -
RFQ
 ECAD 6168 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H32M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT40A1G4RH-075E:B Micron Technology Inc. MT40A1G4RH-075E : b -
RFQ
 ECAD 1551 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A1G4 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x10.5) - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,260 1.33 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 1g x 4 평행한 -
MT29F1G08ABAEAWP-AITX:E Micron Technology Inc. mt29f1g08abaeawp-aitx : e 3.5100
RFQ
 ECAD 948 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F1G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 960 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 평행한 -
MT28F400B5WG-8 BET Micron Technology Inc. MT28F400B5WG-8 BET -
RFQ
 ECAD 8753 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F400B5 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop i 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 4mbit 80 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 80ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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