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![]() | MT48LC32M8A2P-75 L : D. | - | ![]() | 8448 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT48LC32M8A2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.4 ns | 음주 | 32m x 8 | 평행한 | 15ns | |
MT48H8M16LFB4-8 IT TR | - | ![]() | 7666 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-VFBGA | MT48H8M16 | sdram- 모바일 lpsdr | 1.7V ~ 1.9V | 54-VFBGA (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 125MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 7 ns | 음주 | 8m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT29E512G08CUCDBJ6-6 : d | - | ![]() | 7314 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | - | MT29E512G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 132-LBGA (12x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 167 MHz | 비 비 | 512gbit | 플래시 | 64g x 8 | 평행한 | - | |||
![]() | N25Q064A13ESFH0E | - | ![]() | 4089 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | N25Q064A13 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 16- 형의 행위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 108 MHz | 비 비 | 64mbit | 플래시 | 16m x 4 | SPI | 8ms, 5ms | ||
![]() | M29W160ET90ZA6T TR | - | ![]() | 3156 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFBGA | M29W160 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 비 비 | 16mbit | 90 ns | 플래시 | 2m x 8, 1m x 16 | 평행한 | 90ns | ||
![]() | MT29E1HT08EMHBBJ4-3 : B TR | - | ![]() | 1499 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 132-VBGA | MT29E1HT08 | 플래시 - NAND | 2.5V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 1.5tbit | 플래시 | 192g x 8 | 평행한 | - | |||
![]() | MT53E2G32D8QD-053 WT : E TR | - | ![]() | 9965 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E2G32 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | - | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 2,000 | 1.866 GHz | 휘발성 휘발성 | 64gbit | 음주 | 2G X 32 | - | - | ||||||||
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![]() | MT46V8M16P-75 : D TR | - | ![]() | 4529 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT46V8M16 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 66-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 750 ps | 음주 | 8m x 16 | 평행한 | 15ns | |
![]() | MT29F64G08AECDBJ4-6ITR : D TR | - | ![]() | 8718 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 132-VBGA | MT29F64G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 166 MHz | 비 비 | 64gbit | 플래시 | 8g x 8 | 평행한 | - | ||
MT35XL512ABA1G12-0AAT TR | - | ![]() | 9876 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | XCCELA ™ -MT35X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | 표면 표면 | 24-TBGA | MT35XL512 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 비 비 | 512mbit | 플래시 | 64m x 8 | xccela 버스 | - | |||
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![]() | M28W320FCB70N6E | - | ![]() | 6198 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | M28W320 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 비 비 | 32mbit | 70 ns | 플래시 | 2m x 16 | 평행한 | 70ns | ||
![]() | N25Q128A13ESFH0E | - | ![]() | 1685 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | N25Q128A13 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 108 MHz | 비 비 | 128mbit | 플래시 | 32m x 4 | SPI | 8ms, 5ms | ||
![]() | MT28F800B3WP-9 b | - | ![]() | 5908 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | MT28F800B3 | 플래시 - 아니오 | 3V ~ 3.6V | 48-tsop i | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 8mbit | 90 ns | 플래시 | 1m x 8, 512k x 16 | 평행한 | 90ns | ||
![]() | MT47H64M4BP-37E : B TR | 9.5600 | ![]() | 456 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 60-FBGA | MT47H64M4 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-FBGA (8x12) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 267 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 500 PS | 음주 | 64m x 4 | 평행한 | 15ns | |
![]() | MT48LC32M4A2P-7E : g | - | ![]() | 4856 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | sic에서 중단되었습니다 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT48LC32M4A2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 5.4 ns | 음주 | 32m x 4 | 평행한 | 14ns | |
![]() | MT49H16M18SJ-25 IT : b | - | ![]() | 6530 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 144-TFBGA | MT49H16M18 | 음주 | 1.7V ~ 1.9V | 144-FBGA (18.5x11) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,120 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 288mbit | 20 ns | 음주 | 16m x 18 | 평행한 | - | |
![]() | RC28F640P33B85A | - | ![]() | 2776 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 64-TBGA | RC28F640 | 플래시 - 아니오 | 2.3V ~ 3.6V | 64-EASYBGA (8x10) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 52MHz | 비 비 | 64mbit | 85 ns | 플래시 | 4m x 16 | 평행한 | 85ns | |
![]() | MT46V64M8BN-6 L : f | - | ![]() | 7982 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-TFBGA | MT46V64M8 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 60-FBGA (10x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 167 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 700 PS | 음주 | 64m x 8 | 평행한 | 15ns | |
![]() | N25Q256A13ESF40F TR | - | ![]() | 7788 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | N25Q256A13 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 108 MHz | 비 비 | 256mbit | 플래시 | 64m x 4 | SPI | 8ms, 5ms | ||
![]() | M29F400FT5AM62 | - | ![]() | 7474 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비) | M29F400 | 플래시 - 아니오 | 4.5V ~ 5.5V | 44- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 240 | 비 비 | 4mbit | 55 ns | 플래시 | 512k x 8, 256k x 16 | 평행한 | 55ns | |||
![]() | MT29F64G08CBCGBSX-37BES : G TR | - | ![]() | 4067 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT29F64G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 267 MHz | 비 비 | 64gbit | 플래시 | 8g x 8 | 평행한 | - | ||
![]() | PC28F00AP33EF0 | - | ![]() | 9285 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell ™ | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-TBGA | PC28F00A | 플래시 - 아니오 | 2.3V ~ 3.6V | 64-EASYBGA (8x10) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 184 | 52MHz | 비 비 | 1gbit | 95 ns | 플래시 | 64m x 16 | 평행한 | 95ns | |
![]() | MT41K512M8DA-107 AAT : P TR | 9.6400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | MT41K512M8 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (8x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 20 ns | 음주 | 512m x 8 | 평행한 | - | |
![]() | MT46V32M8BG-5B : GTR | - | ![]() | 3130 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-FBGA | MT46V32M8 | sdram -ddr | 2.5V ~ 2.7V | 60-FBGA (8x14) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 700 PS | 음주 | 32m x 8 | 평행한 | 15ns | |
![]() | MT41J512M8THU-187E : a | - | ![]() | 3473 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 82-FBGA | MT41J512M8 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 533 MHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 13.125 ns | 음주 | 512m x 8 | 평행한 | - | |
![]() | MT41K512M4DA-107 : k | - | ![]() | 5167 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | MT41K512M4 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (8x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 20 ns | 음주 | 512m x 4 | 평행한 | - | ||
MT48LC4M32LFB5-8 : G TR | - | ![]() | 2312 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-VFBGA | MT48LC4M32 | sdram- 모바일 lpsdr | 3V ~ 3.6V | 90-VFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 125MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 7 ns | 음주 | 4m x 32 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MTFC64GAJAEDQ-AIAT TR | - | ![]() | 3970 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lbga | MTFC64 | 플래시 - NAND | - | 100-lbga (14x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 512gbit | 플래시 | 64g x 8 | MMC | - |
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표준 제품 단위
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