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메모리 (10402)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT29F8T08GULCEM4:C TR Micron Technology Inc. MT29F8T08GULCEM4 : C TR 156.3000
RFQ
 ECAD 2767 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT29F8T08GULCEM4 : CTR 2,000
MT29F256G08EBCAGJ4-5M:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08EBCAGJ4-5M : A TR 12.7800
RFQ
 ECAD 4908 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F256G08 플래시 -Nand (TLC) 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 2,000 200MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT46H64M32LFCX-5 WT:B TR Micron Technology Inc. MT46H64M32LFCX-5 WT : B TR -
RFQ
 ECAD 2448 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT46H64M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5 ns 음주 64m x 32 평행한 15ns
MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAFAWP-ite : F TR -
RFQ
 ECAD 6167 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F1G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 평행한 -
M28W160FST70ZA6E Micron Technology Inc. M28W160FST70ZA6E -
RFQ
 ECAD 1141 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - M28W160 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 136 비 비 16mbit 70 ns 플래시 1m x 16 평행한 70ns
TE28F160C3BD70A Micron Technology Inc. TE28F160C3BD70A -
RFQ
 ECAD 7002 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) 28F160C3 플래시 - 블록 부트 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 16mbit 70 ns 플래시 1m x 16 평행한 70ns
MT29E512G08CKCBBH7-6:B TR Micron Technology Inc. MT29E512G08CKCBBH7-6 : B TR -
RFQ
 ECAD 9839 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 - MT29E512G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 152-TBGA - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 167 MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
M25P05-AVMN6T TR Micron Technology Inc. M25P05-AVMN6T TR -
RFQ
 ECAD 9306 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25P05-A 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 50MHz 비 비 512kbit 플래시 64k x 8 SPI 15ms, 5ms
NAND128W3A0BN6E Micron Technology Inc. NAND128W3A0BN6E -
RFQ
 ECAD 4710 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) NAND128 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 96 비 비 128mbit 50 ns 플래시 16m x 8 평행한 50ns
MT52L4DAGN-DC Micron Technology Inc. MT52L4DAGN-DC -
RFQ
 ECAD 4759 0.00000000 Micron Technology Inc. * 상자 활동적인 MT52L4 - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,190
MT41J128M16HA-125G:D TR Micron Technology Inc. MT41J128MA-125G : D TR -
RFQ
 ECAD 9804 0.00000000 Micron Technology Inc. - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41J128M16 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (9x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 13.75 ns 음주 128m x 16 평행한 -
MT41J128M8DA-093:J Micron Technology Inc. MT41J128M8DA-093 : J. -
RFQ
 ECAD 3076 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 MT41J128M8 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 100
MT29F4G08ABADAWP-AT:D Micron Technology Inc. mt29f4g08abadawp-at : d -
RFQ
 ECAD 6051 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F4G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 960 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
N25Q256A11E1240F TR Micron Technology Inc. N25Q256A11E1240F TR -
RFQ
 ECAD 1685 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA N25Q256A11 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 108 MHz 비 비 256mbit 플래시 64m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT46V32M16TG-75E:C Micron Technology Inc. MT46V32M16TG-75E : c -
RFQ
 ECAD 3398 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop - rohs 비준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 750 ps 음주 32m x 16 평행한 15ns
PC28F128P30T85A Micron Technology Inc. PC28F128P30T85A -
RFQ
 ECAD 3569 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F128 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 864 52MHz 비 비 128mbit 85 ns 플래시 8m x 16 평행한 85ns
M58LT256KST8ZA6F TR Micron Technology Inc. M58LT256KST8ZA6F TR -
RFQ
 ECAD 7509 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA M58LT256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-TBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 52MHz 비 비 256mbit 85 ns 플래시 16m x 16 평행한 85ns
MT41K128M16JT-125 AIT:K Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-125 AIT : k 7.0700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K128M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 13.75 ns 음주 128m x 16 평행한 -
M29W040B90K6 Micron Technology Inc. M29W040B90K6 -
RFQ
 ECAD 4653 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-LCC (J-Lead) M29W040 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 32-PLCC (11.35x13.89) - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 32 비 비 4mbit 90 ns 플래시 512k x 8 평행한 90ns
MT46V32M16TG-6T:F TR Micron Technology Inc. MT46V32M16TG-6T : F TR -
RFQ
 ECAD 2233 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT29F2G08ABBEAH4:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBEAH4 : E TR -
RFQ
 ECAD 9549 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F2G08 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
MT29F8G16ABACAH4-IT:C TR Micron Technology Inc. MT29F8G16ABACAH4-IT : C TR -
RFQ
 ECAD 8595 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F8G16 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 8gbit 플래시 512m x 16 평행한 -
MT46V32M16BN-75 IT:C Micron Technology Inc. MT46V32M16BN-75 IT : c -
RFQ
 ECAD 4018 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V32M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) - Rohs3 준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 750 ps 음주 32m x 16 평행한 15ns
EDFP264A2PB-JD-F-D Micron Technology Inc. EDFP264A2PB-JD-FD -
RFQ
 ECAD 5451 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TA) - - EDFP264 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,190 933 MHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 384m x 64 평행한 -
MT46V32M16P-5B IT:J Micron Technology Inc. MT46V32M16P-5B IT : J. -
RFQ
 ECAD 8647 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,080 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT29F16G08ABCCBH1-AAT:C TR Micron Technology Inc. MT29F16G08ABCCBH1-AAT : C TR 36.7600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 100-VBGA MT29F16G08 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 비 비 16gbit 20 ns 플래시 2G X 8 onfi 20ns
PC28F512P33BFD Micron Technology Inc. PC28F512P33BFD -
RFQ
 ECAD 8900 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F512 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 64-EASYBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 52MHz 비 비 512mbit 95 ns 플래시 32m x 16 평행한 95ns
MT46V64M8FN-75 L:D Micron Technology Inc. MT46V64M8FN-75 L : D. -
RFQ
 ECAD 9758 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V64M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) - rohs 비준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 750 ps 음주 64m x 8 평행한 15ns
M25P64-VMF6TP TR Micron Technology Inc. M25P64-VMF6TP TR -
RFQ
 ECAD 8903 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) M25P64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 50MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 SPI 15ms, 5ms
MT46V32M16P-5B:J TR Micron Technology Inc. MT46V32M16P-5B : J TR 6.4700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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