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메모리 (10402)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 sic 프로그램 가능 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT40A512M8RH-075E:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-075E : B TR -
RFQ
 ECAD 9458 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A512M8 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 512m x 8 평행한 -
MT48V8M16LFF4-8:G Micron Technology Inc. MT48V8M16LFF4-8 : g -
RFQ
 ECAD 2632 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48V8M16 sdram- 모바일 lpsdr 2.3V ~ 2.7V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 128mbit 7 ns 음주 8m x 16 평행한 15ns
MT46V64M8FN-75:D TR Micron Technology Inc. MT46V64M8FN-75 : D TR -
RFQ
 ECAD 3203 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V64M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) - rohs 비준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 750 ps 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT48LC4M32B2F5-6:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2F5-6 : G TR -
RFQ
 ECAD 6763 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48LC4M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.5 ns 음주 4m x 32 평행한 12ns
MT62F3G32D8DV-023 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-023 AIT : B TR 86.2050
RFQ
 ECAD 2719 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT62F3G32D8DV-023AIT : BTR 2,000
MT28F400B3WG-8 T Micron Technology Inc. MT28F400B3WG-8 T -
RFQ
 ECAD 9883 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F400B3 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 4mbit 80 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 80ns
MT48H4M16LFF4-10 IT Micron Technology Inc. MT48H4M16LFF4-10 IT -
RFQ
 ECAD 8337 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48H4M16 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.9V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 104 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 7 ns 음주 4m x 16 평행한 15ns
PC28F256P30B85F Micron Technology Inc. PC28F256P30B85F -
RFQ
 ECAD 8229 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 144 52MHz 비 비 256mbit 85 ns 플래시 16m x 16 평행한 85ns
RC28F256P30BFE Micron Technology Inc. RC28F256P30BFE -
RFQ
 ECAD 3814 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA RC28F256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1 52MHz 비 비 256mbit 100 ns 플래시 16m x 16 평행한 100ns
MT62F1536M32D4DS-023 WT:B Micron Technology Inc. MT62F1536M32D4DS-023 WT : b 34.2750
RFQ
 ECAD 6910 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr5 - 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1536M32D4DS-023WT : b 1 4.266 GHz 휘발성 휘발성 48gbit 음주 1.5GX 32 평행한 -
MT52L4DAGN-DC TR Micron Technology Inc. MT52L4DAGN-DC TR -
RFQ
 ECAD 4967 0.00000000 Micron Technology Inc. * 테이프 & tr (TR) 활동적인 MT52L4 확인되지 확인되지 - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,000
MT53D4D1ASQ-DC Micron Technology Inc. MT53D4D1ASQ-DC -
RFQ
 ECAD 5547 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 MT53D4 - 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,360
MT48LC16M16A2P-6A AAT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-6A AAT : G TR -
RFQ
 ECAD 6099 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC16M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 12ns
MT48H16M32LFB5-6 IT:C TR Micron Technology Inc. MT48H16M32LFB5-6 IT : C TR 7.6400
RFQ
 ECAD 9734 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48H16M32 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5 ns 음주 16m x 32 평행한 15ns
EDF8164A3PF-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDF8164A3PF-GD-FR TR -
RFQ
 ECAD 1083 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 - EDF8164 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 128m x 64 평행한 -
MT46V64M8BN-6:F TR Micron Technology Inc. MT46V64M8BN-6 : F TR -
RFQ
 ECAD 1776 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V64M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT29F64G8CBABAL84A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F64G8CBABAL84A3WC1 -
RFQ
 ECAD 9423 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F64G8 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 주사위 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT40A2G4SA-075:E Micron Technology Inc. MT40A2G4SA-075 : e 10.1850
RFQ
 ECAD 5764 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A2G4 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,260 1.33 GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 2G X 4 평행한 -
MT53E1G64D4SQ-046 AAT:A TR Micron Technology Inc. MT53E1G64D4SQ-046 AAT : A TR -
RFQ
 ECAD 7665 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) MT53E1G64 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - Rohs3 준수 3 (168 시간) MT53E1G64D4SQ-046AAT : ATR 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 1G X 64 - -
MTFC4GACAANA-4M IT Micron Technology Inc. mtfc4gacaana-4m -
RFQ
 ECAD 5250 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) MTFC4 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 980 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 MMC -
MT42L64M32D1TK-18 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT42L64M32D1TK-18 AAT : C TR -
RFQ
 ECAD 5224 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 134-WFBGA MT42L64M32 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V 134-FBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 음주 64m x 32 평행한 -
MT35XU01GBBA2G12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT35XU01GBBA2G12-0AAT TR -
RFQ
 ECAD 4166 0.00000000 Micron Technology Inc. XCCELA ™ -MT35X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 24-TBGA MT35XU01 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 200MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 xccela 버스 -
MT29F4G01ABAFDWB-ITES:F TR Micron Technology Inc. mt29f4g01abafdwb- 사이트 : f tr -
RFQ
 ECAD 1109 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-udfn MT29F4G01 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 8-updfn (8x6) (mlp8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 비 비 4gbit 플래시 4g x 1 SPI -
M25PX64SOVZM6P Micron Technology Inc. M25PX64SOVZM6P -
RFQ
 ECAD 4474 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA M25PX64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 187 75MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 SPI 15ms, 5ms
MT29RZ4C4DZZHGPL-18 W.80U TR Micron Technology Inc. MT29RZ4C4DZZHGPL-18 W.80U TR -
RFQ
 ECAD 6543 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 MT29RZ4 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
MT48H16M32L2F5-10 Micron Technology Inc. MT48H16M32L2F5-10 -
RFQ
 ECAD 3897 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48H16M32 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.9V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 100MHz 휘발성 휘발성 512mbit 7.5 ns 음주 16m x 32 평행한 -
PC28F512P33TFA Micron Technology Inc. PC28F512P33TFA -
RFQ
 ECAD 1489 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F512 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 64-EASYBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 52MHz 비 비 512mbit 95 ns 플래시 32m x 16 평행한 95ns
MT53D4DDSB-DC Micron Technology Inc. MT53D4DDSB-DC -
RFQ
 ECAD 1852 0.00000000 Micron Technology Inc. * 대부분 활동적인 MT53D4 - 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,190
MT47H64M16B7-5E:A Micron Technology Inc. MT47H64M16B7-5E : a -
RFQ
 ECAD 9907 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 92-TFBGA MT47H64M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 92-FBGA (11x19) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 1gbit 600 ps 음주 64m x 16 평행한 15ns
MT28EW512ABA1HPC-0AAT TR Micron Technology Inc. Mt28ew512aba1hpc-0aat tr -
RFQ
 ECAD 2727 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga MT28ew512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-lbga (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 비 비 512mbit 105 ns 플래시 64m x 8, 32m x 16 평행한 60ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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