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JS28F256P30T2E Micron Technology Inc. JS28F256P30T2E -
RFQ
 ECAD 6618 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F256P30 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 56-tsop - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 576 40MHz 비 비 256mbit 110 ns 플래시 16m x 16 평행한 110ns
MT29F256G08AUCDBJ6-6:D Micron Technology Inc. MT29F256G08AUCDBJ6-6 : d -
RFQ
 ECAD 6885 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-lbga MT29F256G08 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 132-LBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 166 MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
M58LT128KSB7ZA6E Micron Technology Inc. M58LT128KSB7ZA6E -
RFQ
 ECAD 4649 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA M58LT128 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-TBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 136 52MHz 비 비 128mbit 70 ns 플래시 8m x 16 평행한 70ns
MT46V16M8TG-75:D TR Micron Technology Inc. MT46V16M8TG-75 : D TR -
RFQ
 ECAD 4763 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V16M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 750 ps 음주 16m x 8 평행한 15ns
MT41K128M16JT-125 M:K TR Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-125 M : K TR -
RFQ
 ECAD 3615 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K128M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 13.75 ns 음주 128m x 16 평행한 -
M29F200FB55N3E2 Micron Technology Inc. M29F200FB55N3E2 -
RFQ
 ECAD 4167 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29F200 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 2mbit 55 ns 플래시 256k x 8, 128k x 16 평행한 55ns
MT46V64M8TG-6T L:F TR Micron Technology Inc. MT46V64M8TG-6T L : F TR -
RFQ
 ECAD 7393 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V64M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT41J256M8JE-15E:A Micron Technology Inc. MT41J256M8JE-15E : a -
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 ECAD 7444 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 82-FBGA MT41J256M8 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 82-FBGA (12.5x15.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 13.5 ns 음주 256m x 8 평행한 -
M58WR064KU70D16 Micron Technology Inc. M58WR064KU70D16 -
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 ECAD 8921 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - M58WR064 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V - - Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1 66MHz 비 비 64mbit 70 ns 플래시 4m x 16 평행한 70ns
N25Q064A13EV140 Micron Technology Inc. N25Q064A13EV140 -
RFQ
 ECAD 5342 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA N25Q064A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT41J512M4HX-15E:D Micron Technology Inc. MT41J512M4HX-15E : d -
RFQ
 ECAD 1944 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41J512M4 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (9x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 13.5 ns 음주 512m x 4 평행한 -
MT29F2G08ABAEAH4-E:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAH4-E : E TR -
RFQ
 ECAD 4211 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F2G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
MT46V32M16P-5B:J TR Micron Technology Inc. MT46V32M16P-5B : J TR 6.4700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
MTFC8GLWDQ-3L AAT Z TR Micron Technology Inc. MTFC8GLWDQ-3L AAT Z TR -
RFQ
 ECAD 2429 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga MTFC8 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-lbga (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
MT46V32M16TG-6T:F TR Micron Technology Inc. MT46V32M16TG-6T : F TR -
RFQ
 ECAD 2233 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT49H32M18FM-25E:B Micron Technology Inc. MT49H32M18FM-25E : b -
RFQ
 ECAD 7465 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H32M18 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0032 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 576mbit 15 ns 음주 32m x 18 평행한 -
MT29C4G48MAZAMAMK-5 IT Micron Technology Inc. MT29C4G48MAZAMAMK-5 IT -
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 ECAD 2531 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA MT29C4G48 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 153-VFBGA 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비, 휘발성 4GBIT (NAND), 2GBIT (LPDRAM) 플래시, 램 256m x 16 (NAND), 128m x 16 (lpdram) 평행한 -
JS28F128P33TF70A Micron Technology Inc. JS28F128P33TF70A -
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 ECAD 4650 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F128P33 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 40MHz 비 비 128mbit 70 ns 플래시 8m x 16 평행한 70ns
M29W640GSL70ZS6F TR Micron Technology Inc. M29W640GSL70ZS6F TR -
RFQ
 ECAD 8643 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga M29W640 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 비 비 64mbit 70 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 70ns
MT53E1G64D4HJ-046 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT53E1G64D4HJ-046 AAT : C TR 56.5050
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 ECAD 1283 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 556-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 556-WFBGA (12.4x12.4) 다운로드 557-MT53E1G64D4HJ-046AAT : CTR 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 3.5 ns 음주 1G X 64 평행한 18ns
JS28F512M29EWH0 Micron Technology Inc. JS28F512M29ewh0 -
RFQ
 ECAD 3576 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F512M29 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0051 96 비 비 512mbit 110 ns 플래시 64m x 8, 32m x 16 평행한 110ns
MT53E256M16D1FW-046 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53E256M16D1FW-046 WT : B TR 7.4850
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 ECAD 5256 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) 다운로드 557-MT53E256MD1FW-046WT : BTR 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 3.5 ns 음주 256m x 16 평행한 18ns
MTFC128GAJAECE-AAT TR Micron Technology Inc. MTFC128GAJAECE-AAT TR -
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 ECAD 4091 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 169-LFBGA MTFC128 플래시 - NAND - 169-LFBGA (14x18) - 1 (무제한) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 MMC -
RC28F256P33TFE Micron Technology Inc. RC28F256p333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333까지까지합니다합니다 -
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 ECAD 7865 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-TBGA RC28F256 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 64-EASYBGA (8x10) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -rc28f256p33333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333까지합니다 합니다서 3A991B1A 8542.32.0071 864 52MHz 비 비 256mbit 95 ns 플래시 16m x 16 평행한 95ns
MT29F8T08EWLEEM5-T:E TR Micron Technology Inc. MT29F8T08EWLEEM5-T : E TR 171.6300
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 ECAD 8452 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C - - 플래시 -Nand (TLC) - - - 557-MT29F8T08EWLEEM5-T : ETR 1,500 비 비 8tbit 플래시 1T X 8 평행한 -
MT53D2G32D8QD-046 WT ES:E Micron Technology Inc. MT53D2G32D8QD-046 WT ES : e -
RFQ
 ECAD 5835 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 쓸모 쓸모 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53D2G32 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 2G X 32 - -
JS28F128J3F75G Micron Technology Inc. JS28F128J3F75G -
RFQ
 ECAD 8587 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F128J3 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 96 비 비 128mbit 75 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 75ns
MT41J128M16JT-125:K TR Micron Technology Inc. MT41J128M16JT-125 : K TR 5.3700
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 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41J128M16 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 13.75 ns 음주 128m x 16 평행한 -
MT46H16M16LFBF-5:H Micron Technology Inc. MT46H16M16LFBF-5 : h -
RFQ
 ECAD 9064 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA MT46H16M16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-VFBGA (8x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5 ns 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT29F6T08ETCBBM5-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F6T08ETCBBM5-37ES : B TR -
RFQ
 ECAD 5873 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F6T08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 비 비 6tbit 플래시 768g x 8 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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