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메모리 (10402)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
EDF8164A3MA-JD-F-D Micron Technology Inc. EDF8164A3MA-JD-FD -
RFQ
 ECAD 8037 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 - EDF8164 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V 253-FBGA (11x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,980 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 128m x 64 평행한 -
MT46V32M16BN-75:C Micron Technology Inc. MT46V32M16BN-75 : c -
RFQ
 ECAD 6463 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V32M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) - Rohs3 준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 750 ps 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT48LC8M32B2F5-7 TR Micron Technology Inc. MT48LC8M32B2F5-7 TR -
RFQ
 ECAD 4690 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48LC8M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 6 ns 음주 8m x 32 평행한 14ns
PC48F4400P0VB0EF TR Micron Technology Inc. PC48F4400P0VB0EF TR -
RFQ
 ECAD 7095 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-lbga PC48F4400 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52MHz 비 비 512mbit 85 ns 플래시 32m x 16 평행한 85ns
MT29C4G48MAAGBBAKS-48 IT Micron Technology Inc. MT29C4G48MAAGBBAKS-48 IT -
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 ECAD 1549 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 137-VFBGA MT29C4G48 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 137-VFBGA (13x10.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 208 MHz 비 비, 휘발성 4GBIT (NAND), 2GBIT (LPDRAM) 플래시, 램 512m x 8 (NAND), 64m x 32 (lpdram) 평행한 -
MT47H32M16NF-187E:H TR Micron Technology Inc. MT47H32M16NF-187E : H TR -
RFQ
 ECAD 5868 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H32M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 533 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 350 ps 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT46V16M8TG-6T IT:D TR Micron Technology Inc. MT46V16M8TG-6T IT : D TR 8.7400
RFQ
 ECAD 219 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V16M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 700 PS 음주 16m x 8 평행한 15ns
ECB440ABBCN-Y3 Micron Technology Inc. ECB440ABBCN-Y3 -
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 ECAD 6616 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모 쓸모 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1
MT40A512M16LY-062E AT:E Micron Technology Inc. MT40A512M16LY-062E AT : e -
RFQ
 ECAD 9421 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT40A512M16 sdram -ddr4 - 96-FBGA (7.5x13.5) - 557-MT40A512MM16LY-062EAT : e 쓸모없는 8542.32.0071 180 1.6GHz 비 비 8gbit 음주 512m x 16 - -
EDF8132A3PF-GD-F-D Micron Technology Inc. EDF8132A3PF-GD-FD -
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 ECAD 4893 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDF8132 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,680 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 평행한 -
MTFC4GACAECN-1M WT Micron Technology Inc. MTFC4GACAECN-1M WT -
RFQ
 ECAD 6257 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 대부분 쓸모 쓸모 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) MTFC4 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 MMC -
MT41K512M8V90BWC1 Micron Technology Inc. MT41K512M8V90BWC1 -
RFQ
 ECAD 1635 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 95 ° C (TC) MT41K512M8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 100 휘발성 휘발성 4gbit 음주 512m x 8 평행한 -
MT28F128J3RG-12 MET TR Micron Technology Inc. MT28F128J3RG-12를 만났다 -
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 ECAD 2160 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F128J3 플래시 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128mbit 120 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 -
MTFC16GJDEC-H1 WT Micron Technology Inc. MTFC16GJDEC-H1 WT -
RFQ
 ECAD 6348 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 대부분 쓸모 쓸모 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) MTFC16G 플래시 - NAND 1.65V ~ 3.6V - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 MMC -
MT28F800B5WP-8 BET TR Micron Technology Inc. MT28F800B5WP-8 BET TR -
RFQ
 ECAD 2666 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F800B5 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 8mbit 80 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 80ns
MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A TR Micron Technology Inc. MT29F512G08EEHAFJ4-3R : A TR 28.9650
RFQ
 ECAD 5140 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F512G08 플래시 -Nand (TLC) 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MT29AZ5A5CMGWD-18AIT.87C Micron Technology Inc. mt29az5a5cmgwd-18ait.87c -
RFQ
 ECAD 9067 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모 쓸모 MT29AZ5 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 557-mt29az5a5cmgwd-18ait.87c 쓸모없는 1,440
MT28EW256ABA1HPC-0SIT Micron Technology Inc. mt28ew256aba1hpc-0sit 9.0300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga MT28ew256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-lbga (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 비 비 256mbit 75 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 60ns
MT53E1DBDS-DC TR Micron Technology Inc. MT53E1DBDS-DC TR 22.5000
RFQ
 ECAD 9059 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 MT53E1 - 영향을받지 영향을받지 557-MT53E1DBDS-DCTR 2,000
MT29F512G08EBHAFJ4-3T:A Micron Technology Inc. MT29F512G08EBHAFJ4-3T : a -
RFQ
 ECAD 7053 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F512G08 플래시 -Nand (TLC) 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 8542.32.0071 1,120 333 MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MT48H8M32LFB5-10 IT Micron Technology Inc. MT48H8M32LFB5-10 IT -
RFQ
 ECAD 4576 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48H8M32 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 100MHz 휘발성 휘발성 256mbit 7 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
MT29F2G08ABCWP:C TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABCWP : C TR -
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 ECAD 7671 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F2G08 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
MT29F64G08CBCABH1-12:A Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCABH1-12 : a -
RFQ
 ECAD 2852 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-VBGA MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT46V64M8TG-6T:D TR Micron Technology Inc. MT46V64M8TG-6T : D TR -
RFQ
 ECAD 2082 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V64M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT40A8G4BAF-062E:B Micron Technology Inc. MT40A8G4BAF-062E : b -
RFQ
 ECAD 5484 0.00000000 Micron Technology Inc. Twindie ™ 쟁반 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A8G4 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (10.5x11) - 557-MT40A8G4BAF-062E : b 쓸모없는 8542.32.0071 168 1.6GHz 비 비 32gbit 13.75 ns 음주 8g x 4 평행한 -
MTFC8GLUEA-AIT Micron Technology Inc. mtfc8gluea-ait -
RFQ
 ECAD 9268 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-WFBGA MTFC8 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-WFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
MT28F400B3WG-8 BET Micron Technology Inc. MT28F400B3WG-8 BET -
RFQ
 ECAD 8931 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F400B3 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 4mbit 80 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 80ns
MT48LC16M16A2P-7E IT:G Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-7E IT : g -
RFQ
 ECAD 6730 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC16M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,080 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 14ns
MTFC32GJDED-3M WT TR Micron Technology Inc. MTFC32GJDED-3M WT TR -
RFQ
 ECAD 8542 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 169-VFBGA MTFC32G 플래시 - NAND 1.65V ~ 3.6V 169-VFBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 MMC -
MT29F256G08CKCABH2-10:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CKCABH2-10 : A TR -
RFQ
 ECAD 3812 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-tbga MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 100-TBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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