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AS6C3216A-55TIN Alliance Memory, Inc. AS6C3216A-55TIN 23.2300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) AS6C3216 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1414 3A991B2A 8542.32.0041 156 휘발성 휘발성 32mbit 55 ns SRAM 2m x 16 평행한 55ns
AS7C32098A-20TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C32098A-20TCNTR 4.4831
RFQ
 ECAD 9914 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C32098 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 2mbit 20 ns SRAM 128k x 16 평행한 20ns
AS6C8016B-55ZIN Alliance Memory, Inc. AS6C8016B-55ZIN 7.3900
RFQ
 ECAD 132 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS6C8016B-55ZIN 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 8mbit 55 ns SRAM 512k x 16 평행한 55ns
AS6C4008-70SANTR Alliance Memory, Inc. AS6C4008-70SANTR 6.2010
RFQ
 ECAD 9997 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 32-SOIC (0.445 ", 11.30mm 너비) sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 32-SOP 다운로드 3 (168 시간) 1450-AS6C4008-70SANTR 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 70 ns SRAM 512k x 8 평행한 70ns
AS4C32M16SA-7TCN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16SA-7TCN -
RFQ
 ECAD 5408 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C2M32 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0024 108 143 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 2ns
AS7C34098A-20JIN Alliance Memory, Inc. AS7C34098A-20JIN 5.2767
RFQ
 ECAD 1680 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34098 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 16 휘발성 휘발성 4mbit 20 ns SRAM 256k x 16 평행한 20ns
AS4C32M16SB-7BIN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16SB-7BIN 13.0926
RFQ
 ECAD 2724 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA AS4C32 sdram 3V ~ 3.6V 54-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS4C32M16SB-7BIN 귀 99 8542.32.0028 348 143 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 6 ns 음주 32m x 16 평행한 14ns
AS4C256M16D3LB-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3LB-12BINTR -
RFQ
 ECAD 1070 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (13.5x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
MT48LC16M16A2TG-6A:GTR Alliance Memory, Inc. MT48LC16M16A2TG-6A : GTR -
RFQ
 ECAD 6006 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC16M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,000 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 12ns
AS7C3513B-12JCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C3513B-12JCNTR 4.0025
RFQ
 ECAD 4793 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C3513 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 500 휘발성 휘발성 512kbit 12 ns SRAM 32k x 16 평행한 12ns
AS7C3513B-10JCN Alliance Memory, Inc. AS7C3513B-10JCN 4.1694
RFQ
 ECAD 4098 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C3513 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 16 휘발성 휘발성 512kbit 10 ns SRAM 32k x 16 평행한 10ns
PC28F640P30BF65B Alliance Memory, Inc. PC28F640P30BF65B 8.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory, Inc. Axcell ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-TBGA PC28F640 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-PC28F640P30BF65BTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52MHz 비 비 64mbit 65 ns 플래시 4m x 16 평행한 65ns
AS7C31024B-12JCN Alliance Memory, Inc. AS7C31024B-12JCN 4.0100
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C31024 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1051 3A991B2B 8542.32.0041 21 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
AS7C31025B-12JINTR Alliance Memory, Inc. as7c31025b-12jintr 3.0606
RFQ
 ECAD 5282 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C31025 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
AS4C512M8D3B-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3B-12BANTR -
RFQ
 ECAD 4418 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C512 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (9x10.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,500 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
AS7C31026B-12TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C31026B-12TCNTR 2.8125
RFQ
 ECAD 6905 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C31026 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 64k x 16 평행한 12ns
AS7C4098A-15TIN Alliance Memory, Inc. AS7C4098A-15TIN 5.0129
RFQ
 ECAD 3766 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C4098 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 15 ns SRAM 256k x 16 평행한 15ns
AS7C34098A-12JINTR Alliance Memory, Inc. AS7C34098A-12JINTR 4.7627
RFQ
 ECAD 5806 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34098 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 500 휘발성 휘발성 4mbit 12 ns SRAM 256k x 16 평행한 12ns
AS6C62256-55STCN Alliance Memory, Inc. AS6C62256-55STCN 2.5379
RFQ
 ECAD 1758 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS6C62256 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 28-Stsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 256kbit 55 ns SRAM 32k x 8 평행한 55ns
AS4C64M8SA-7TCN Alliance Memory, Inc. AS4C64M8SA-7TCN -
RFQ
 ECAD 7016 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C64 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0024 96 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 64m x 8 평행한 -
MT48LC32M16A2P-75:C TR Alliance Memory, Inc. MT48LC32M16A2P-75 : C TR -
RFQ
 ECAD 6580 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC32M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS7C1026B-15JIN Alliance Memory, Inc. AS7C1026B-15JIN 3.2631
RFQ
 ECAD 6631 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C1026 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 16 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 64k x 16 평행한 15ns
AS7C3256A-15JCN Alliance Memory, Inc. AS7C3256A-15JCN 2.0847
RFQ
 ECAD 1365 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) AS7C3256 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 28-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 25 휘발성 휘발성 256kbit 15 ns SRAM 32k x 8 평행한 15ns
AS4C32M16MD1-6BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16MD1-6BCNTR -
RFQ
 ECAD 8576 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TJ) 표면 표면 60-TFBGA AS4C2M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x9) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS4C128M32MD2-18BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M32MD2-18BCN -
RFQ
 ECAD 9346 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-VFBGA AS4C128 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 134-FBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1404 귀 99 8542.32.0036 168 533 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 128m x 32 평행한 15ns
AS4C1G8D3LA-10BCN Alliance Memory, Inc. AS4C1G8D3LA-10BCN 28.3700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA AS4C1G8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1485 귀 99 8542.32.0032 220 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 1g x 8 평행한 -
AS4C4M32SA-6TCN Alliance Memory, Inc. AS4C4M32SA-6TCN 3.9882
RFQ
 ECAD 3312 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C4M32 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1292 3A991B2A 8542.32.0002 108 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 2ns
AS4C2M32D1A-5BIN Alliance Memory, Inc. AS4C2M32D1A-5BIN 3.7162
RFQ
 ECAD 5020 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-LFBGA AS4C2M32 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 144-LFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1406 귀 99 8542.32.0002 189 200MHz 휘발성 휘발성 64mbit 700 PS 음주 2m x 32 평행한 15ns
AS7C32096A-15TIN Alliance Memory, Inc. AS7C32096A-15TIN 5.0129
RFQ
 ECAD 2639 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C32096 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 2mbit 15 ns SRAM 256k x 8 평행한 15ns
AS4C32M32MD1-5BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M32MD1-5BINTR -
RFQ
 ECAD 2565 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) 표면 표면 90-VFBGA AS4C2M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.9V 90-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 32m x 32 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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