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AS4C32M16D1-5BIN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D1-5BIN 6.1800
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA AS4C32 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1327 귀 99 8542.32.0028 240 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS4C128M16D2-25BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D2-25BCN 14.6900
RFQ
 ECAD 5887 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA AS4C128 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (10.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1080 귀 99 8542.32.0036 162 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 음주 128m x 16 평행한 15ns
AS6C6264A-70PCN Alliance Memory, Inc. AS6C6264A-70PCN -
RFQ
 ECAD 4407 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 구멍을 구멍을 28-DIP (0.600 ", 15.24mm) AS6C6264 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 15 휘발성 휘발성 64kbit 70 ns SRAM 8k x 8 평행한 70ns
AS7C3256B-10TINTR Alliance Memory, Inc. AS7C3256B-10 TINTR -
RFQ
 ECAD 8304 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS7C3256 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 28-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 256kbit 10 ns SRAM 32k x 8 평행한 10ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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