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AS7C3513B-12JCTR Alliance Memory, Inc. AS7C3513B-12JCTR 2.0000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ - 3277-AS7C3513B-12JCTR 귀 99 8542.32.0041 500 휘발성 휘발성 512kbit SRAM 32k x 16 평행한 12ns 확인되지 확인되지
AS6C2016-55BINTR Alliance Memory, Inc. AS6C2016-55BINTR 3.1099
RFQ
 ECAD 1129 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA AS6C2016 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 2mbit 55 ns SRAM 128k x 16 평행한 55ns
AS4C64M8D1-5BIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D1-5BIN 5.9500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA AS4C64 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1331 귀 99 8542.32.0028 240 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
AS4C64M16D3A-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3A-12BINTR -
RFQ
 ECAD 5982 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C64 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,500 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS4C4M32D1A-5BCN Alliance Memory, Inc. AS4C4M32D1A-5BCN 3.9882
RFQ
 ECAD 2796 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 144-LFBGA AS4C4M32 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 144-LFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 189 200MHz 휘발성 휘발성 128mbit 700 PS 음주 4m x 32 평행한 12ns
AS4C32M16MSB-6BIN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16MSB-6BIN 7.5000
RFQ
 ECAD 319 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA sdram- 모바일 sdram 1.7V ~ 1.95V 54-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 1450-AS4C32M16MSB-6BIN 319 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.5 ns 음주 32m x 16 LVCMOS 15ns
AS7C32096A-10TINTR Alliance Memory, Inc. as7c32096a-10tintr 4.4831
RFQ
 ECAD 5625 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C32096 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 2mbit 10 ns SRAM 256k x 8 평행한 10ns
AS7C256A-12TCN Alliance Memory, Inc. AS7C256A-12TCN 2.6100
RFQ
 ECAD 6325 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS7C256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 256kbit 12 ns SRAM 32k x 8 평행한 12ns
AS7C4096A-15JCN Alliance Memory, Inc. AS7C4096A-15JCN 5.0128
RFQ
 ECAD 4003 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 36-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C4096 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 36-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 19 휘발성 휘발성 4mbit 15 ns SRAM 512k x 8 평행한 15ns
AS7C256A-20TIN Alliance Memory, Inc. AS7C256A-20TIN 2.4473
RFQ
 ECAD 4297 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS7C256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 256kbit 20 ns SRAM 32k x 8 평행한 20ns
AS4C128M16D3A-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3A-12BIN -
RFQ
 ECAD 8856 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1374 귀 99 8542.32.0036 209 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
AS4C16M32MS-6BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C16M32MS-6BINTR -
RFQ
 ECAD 2802 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA AS4C16 sdram- 모바일 sdram 1.7V ~ 1.95V 90-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 16m x 32 평행한 15ns
CY62256NLL-70PXC Alliance Memory, Inc. cy62256nll-70pxc -
RFQ
 ECAD 2809 0.00000000 Alliance Memory, Inc. Mobl® 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 구멍을 구멍을 28-DIP (0.600 ", 15.24mm) Cy62256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1450-1480 쓸모없는 8542.32.0041 42 휘발성 휘발성 256kbit 70 ns SRAM 32k x 8 평행한 70ns
AS4C32M16D2A-25BAN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D2A-25BAN 4.3507
RFQ
 ECAD 5257 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA AS4C32 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TFBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 209 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS6C62256-55STIN Alliance Memory, Inc. AS6C62256-55STIN 2.7093
RFQ
 ECAD 9011 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS6C62256 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 28-Stsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 256kbit 55 ns SRAM 32k x 8 평행한 55ns
AS7C3256A-15TINTR Alliance Memory, Inc. as7c3256a-15tintr 1.9342
RFQ
 ECAD 2398 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS7C3256 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 28-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 256kbit 15 ns SRAM 32k x 8 평행한 15ns
AS4C128M8D3L-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3L-12BAN -
RFQ
 ECAD 9226 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 242 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
AS4C128M8D3-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3-12BIN -
RFQ
 ECAD 4750 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA AS4C128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1090 귀 99 8542.32.0032 242 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
AS4C8M16MSA-6BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C8M16MSA-6BINTR 4.7977
RFQ
 ECAD 7282 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA AS4C8M16 sdram- 모바일 1.7V ~ 1.95V 54-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5 ns 음주 8m x 16 평행한 -
AS7C1024B-12TJCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C1024B-12TJCNTR 2.9779
RFQ
 ECAD 6596 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) AS7C1024 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
M45PE20-VMN6P Alliance Memory, Inc. M45PE20-VMN6P 1.4092
RFQ
 ECAD 3392 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M45PE20 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 100 75MHz 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 SPI 3ms
AS7C31026B-15TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C31026B-15TCNTR 2.8125
RFQ
 ECAD 3855 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C31026 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 64k x 16 평행한 15ns
AS4C64M32MD1-5BCN Alliance Memory, Inc. AS4C64M32MD1-5BCN 15.6000
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA AS4C64 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.9V 90-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 348 200MHz 휘발성 2gbit 5 ns 음주 64m x 32 평행한 15ns
N25Q032A13ESCA0F Alliance Memory, Inc. N25Q032A13ESCA0F 1.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) N25Q032A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-N25Q032A13ESCA0FTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 108 MHz 비 비 32mbit 플래시 8m x 4 SPI 5ms
N25Q064A13EF8A0E Alliance Memory, Inc. N25Q064A13EF8A0E 1.8600
RFQ
 ECAD 131 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 N25Q064A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (mlp8) (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-N25Q064A13EF8A0E 3A991B1A 8542.32.0071 320 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI 5ms
AS4C128M8D3LB-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3LB-12BCNTR 4.9478
RFQ
 ECAD 5205 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,500 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
AS7C34096A-8TIN Alliance Memory, Inc. AS7C34096A-8tin 4.6903
RFQ
 ECAD 5911 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34096 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 8 ns SRAM 512k x 8 평행한 8ns
AS4C256M16D3LA-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3LA-12BANTR -
RFQ
 ECAD 6902 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
AS4C8M16S-6BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C8M16S-6BINTR -
RFQ
 ECAD 4320 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA AS4C8M16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5 ns 음주 8m x 16 평행한 2ns
AS7C256A-10JINTR Alliance Memory, Inc. AS7C256A-10Jintr 2.2706
RFQ
 ECAD 4992 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) AS7C256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 256kbit 10 ns SRAM 32k x 8 평행한 10ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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