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AS7C256A-12TCN Alliance Memory, Inc. AS7C256A-12TCN 2.6100
RFQ
 ECAD 6325 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS7C256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 256kbit 12 ns SRAM 32k x 8 평행한 12ns
AS4C64M32MD1-5BIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M32MD1-5BIN 13.3971
RFQ
 ECAD 6161 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA AS4C64 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.9V 90-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 348 200MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5 ns 음주 64m x 32 평행한 15ns
AS4C32M16D2A-25BAN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D2A-25BAN 4.3507
RFQ
 ECAD 5257 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA AS4C32 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TFBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 209 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS6C8008B-45ZIN Alliance Memory, Inc. AS6C8008B-45ZIN 8.2800
RFQ
 ECAD 183 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS6C8008 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS6C8008B-45ZIN 귀 99 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 8mbit 45 ns SRAM 1m x 8 평행한 45ns
AS7C34098A-10JCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C34098A-10JCNTR 4.7627
RFQ
 ECAD 8779 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34098 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 500 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 256k x 16 평행한 10ns
AS6C4016A-45ZIN Alliance Memory, Inc. AS6C4016A-45ZIN 3.7080
RFQ
 ECAD 2451 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS6C4016 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 44-TSOP2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 45 ns SRAM 256k x 16 평행한 45ns
AS4C32M16D1A-5TAN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D1A-5TAN 5.0129
RFQ
 ECAD 2049 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C32 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 108 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS4C64M16D1-6TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D1-6TINTR 22.8750
RFQ
 ECAD 4187 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C64 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 700 PS 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS6C4008-55SIN Alliance Memory, Inc. AS6C4008-55SIN 5.1500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-SOIC (0.445 ", 11.30mm 너비) AS6C4008 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 32-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1028 3A991B2A 8542.32.0041 72 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 512k x 8 평행한 55ns
AS7C32096A-10TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C32096A-10TCNTR 4.4831
RFQ
 ECAD 8614 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C32096 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 2mbit 10 ns SRAM 256k x 8 평행한 10ns
AS4C32M16SB-7TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16SB-7tintr 17.0100
RFQ
 ECAD 259 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C32 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 143 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 14ns
AS4C128M16D3A-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3A-12BIN -
RFQ
 ECAD 8856 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1374 귀 99 8542.32.0036 209 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
AS7C38096A-10TINTR Alliance Memory, Inc. as7c38096a-10tintr 11.6250
RFQ
 ECAD 4133 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C38096 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 8mbit 10 ns SRAM 1m x 8 평행한 10ns
AS4C64M16D3LB-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3LB-12BCNTR 4.8717
RFQ
 ECAD 4598 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C64 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS4C2M32S-6BIN Alliance Memory, Inc. AS4C2M32S-6BIN 6.2000
RFQ
 ECAD 9256 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA AS4C2M32 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0002 190 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 2m x 32 평행한 2ns
AS6C4008-55STIN Alliance Memory, Inc. AS6C4008-55STIN 5.2700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-LFSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS6C4008 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 32-Stsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1029 3A991B2A 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 512k x 8 평행한 55ns
AS4C4M16SA-7TCN Alliance Memory, Inc. AS4C4M16SA-7TCN 3.0900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C4M16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1262 귀 99 8542.32.0002 108 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 2ns
AS6C4016-55BINTR Alliance Memory, Inc. AS6C4016-55BINTR 4.1105
RFQ
 ECAD 9221 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA AS6C4016 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 256k x 16 평행한 55ns
AS4C512M16D3LC-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D3LC-12BIN 25.8000
RFQ
 ECAD 140 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C512 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 1450-AS4C512M16D3LC-12BIN 귀 99 8542.32.0036 190 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
AS4C64M8D1-5BCN Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D1-5BCN 4.2446
RFQ
 ECAD 3028 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA AS4C64 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1330 귀 99 8542.32.0028 240 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
AS4C32M16D3-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D3-12BCN 5.1600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C32 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1425 귀 99 8542.32.0028 190 800MHz 휘발성 휘발성 512mbit 20 ns 음주 32m x 16 평행한
AS4C64M16D3LB-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3LB-12BINTR 5.5500
RFQ
 ECAD 7742 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C64 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS4C256M16D3LB-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3LB-12BIN -
RFQ
 ECAD 6410 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (13.5x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 180 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
AS7C4096A-20TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C4096A-20TCNTR 4.7977
RFQ
 ECAD 1287 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C4096 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 20 ns SRAM 512k x 8 평행한 20ns
AS4C2M32S-6BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C2M32S-6BINTR 4.6433
RFQ
 ECAD 9317 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA AS4C2M32 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,000 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 2m x 32 평행한 2ns
MT48LC16M16A2F4-6A:G Alliance Memory, Inc. MT48LC16M16A2F4-6A : g -
RFQ
 ECAD 3045 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-LFBGA MT48LC16M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 14ns
AS4C128M8D3LB-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3LB-12BIN 7.9600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 242 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
AS6C2016-55ZIN Alliance Memory, Inc. AS6C2016-55ZIN 4.2400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS6C2016 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1025 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 2mbit 55 ns SRAM 128k x 16 평행한 55ns
AS7C31026B-10JCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C31026B-10JCNTR 2.9779
RFQ
 ECAD 6057 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C31026 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 10 ns SRAM 64k x 16 평행한 10ns
AS4C16M16S-6TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C16M16S-6TCNTR -
RFQ
 ECAD 3412 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 12ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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