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AS4C4M32S-6TIN Alliance Memory, Inc. AS4C4M32S-6TIN -
RFQ
ECAD 2686 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C4M32 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0002 108 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.5 ns 음주 4m x 32 평행한 2ns
AS4C512M16D3LA-10BCN Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D3LA-10BCN 28.3700
RFQ
ECAD 641 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C512 sdram -ddr3l 1.275V ~ 1.425V 96-FBGA (13.5x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1487 귀 99 8542.32.0036 180 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 -
AS6C8016B-55ZIN Alliance Memory, Inc. AS6C8016B-55ZIN 7.3900
RFQ
ECAD 132 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS6C8016B-55ZIN 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 8mbit 55 ns SRAM 512k x 16 평행한 55ns
PC28F640P30TF65A Alliance Memory, Inc. PC28F640P30TF65A 5.3100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Alliance Memory, Inc. Axcell ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-TBGA PC28F640 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-PC28F640P30TF65A 3A991B1A 8542.32.0051 96 52MHz 비 비 64mbit 65 ns 플래시 4m x 16 평행한 65ns
AS7C31025B-20JCN Alliance Memory, Inc. AS7C31025B-20JCN 3.6256
RFQ
ECAD 8410 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C31025 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 21 휘발성 휘발성 1mbit 20 ns SRAM 128k x 8 평행한 20ns
AS7C32096A-10TCN Alliance Memory, Inc. AS7C32096A-10TCN 5.0129
RFQ
ECAD 5400 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C32096 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 2mbit 10 ns SRAM 256k x 8 평행한 10ns
AS4C128M8D3A-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3A-12BAN -
RFQ
ECAD 2045 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 242 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
AS7C164A-15JCN Alliance Memory, Inc. AS7C164A-15JCN 2.6286
RFQ
ECAD 2502 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) AS7C164 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1048 귀 99 8542.32.0041 25 휘발성 휘발성 64kbit 15 ns SRAM 8k x 8 평행한 15ns
AS4C8M16SA-6TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C8M16SA-6tintr 3.3088
RFQ
ECAD 5669 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C8M16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5 ns 음주 8m x 16 평행한 12ns
AS7C31026B-12TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C31026B-12TCNTR 2.8125
RFQ
ECAD 6905 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C31026 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 64k x 16 평행한 12ns
AS4C1M16S-7TCN Alliance Memory, Inc. AS4C1M16S-7TCN 2.6100
RFQ
ECAD 594 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 50TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C1M16 sdram 3V ~ 3.6V 50-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1004 귀 99 8542.32.0002 117 143 MHz 휘발성 휘발성 16mbit 5.4 ns 음주 1m x 16 평행한 2ns
AS7C31026B-12JCNTR Alliance Memory, Inc. as7c31026b-12jcntr 2.9779
RFQ
ECAD 6859 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C31026 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 64k x 16 평행한 12ns
AS6C2016-55ZINTR Alliance Memory, Inc. AS6C2016-55Zintr 3.1434
RFQ
ECAD 2177 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS6C2016 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 2mbit 55 ns SRAM 128k x 16 평행한 55ns
AS6C62256A-70SCNTR Alliance Memory, Inc. AS6C62256A-70SCNTR -
RFQ
ECAD 5851 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-SOIC (0.330 ", 8.38mm 너비) AS6C62256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 256kbit 70 ns SRAM 32k x 8 평행한 70ns
AS4C512M8D4-83BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D4-83BCNTR 7.3815
RFQ
ECAD 9783 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x10.6) 다운로드 3 (168 시간) 1450-AS4C512M8D4-83BCNTR 2,500 1.2GHz 휘발성 휘발성 4gbit 18 ns 음주 512m x 8 현물 현물 지불 15ns
AS4C32M16D2-25BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D2-25BCNTR -
RFQ
ECAD 2820 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA AS4C2M32 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TFBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS7C3256A-10JINTR Alliance Memory, Inc. AS7C3256A-10Jintr 2.0183
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ECAD 4102 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) AS7C3256 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 28-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 256kbit 10 ns SRAM 32k x 8 평행한 10ns
AS4C32M16D2-25BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D2-25BINTR -
RFQ
ECAD 6965 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA AS4C2M32 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TFBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS4C512M16D3LB-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D3LB-12BCN 28.3700
RFQ
ECAD 129 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C512 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (13.5x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1493 귀 99 8542.32.0036 180 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
AS7C34096B-10TIN Alliance Memory, Inc. AS7C34096B-10TIN 5.3647
RFQ
ECAD 3225 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) AS7C34096 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 512k x 8 평행한 10ns
AS4C256M16MD4V-062BAN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16MD4V-062BAN 20.5900
RFQ
ECAD 136 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-FBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 1450-AS4C256M16MD4V-062BAN 귀 99 8542.32.0036 136 1.6GHz 휘발성 휘발성 2gbit 3.5 ns 음주 128m x 16 lvstl 18ns
AS4C1G8MD3L-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C1G8MD3L-12BCNTR -
RFQ
ECAD 8175 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA AS4C1G8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x13.2) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 13.75 ns 음주 1g x 8 평행한 -
AS4C512M16D3LC-10BCN Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D3LC-10BCN 21.8600
RFQ
ECAD 190 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 1450-AS4C512M16D3LC-10BCN 190 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
AS4C32M16SB-7BIN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16SB-7BIN 13.0926
RFQ
ECAD 2724 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA AS4C32 sdram 3V ~ 3.6V 54-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS4C32M16SB-7BIN 귀 99 8542.32.0028 348 143 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 6 ns 음주 32m x 16 평행한 14ns
AS4C128M8D1-6TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D1-6TINTR -
RFQ
ECAD 1435 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C128 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 700 PS 음주 128m x 8 평행한 15ns
AS6C1616B-55TIN Alliance Memory, Inc. AS6C1616B-55TIN 9.7454
RFQ
ECAD 1673 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 3 (168 시간) 1450-AS6C1616B-55TIN 135 휘발성 휘발성 16mbit 55 ns SRAM 1m x 16 평행한 55ns
AS7C32096A-12TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C32096A-12TCNTR 4.4831
RFQ
ECAD 6420 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C32096 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 2mbit 12 ns SRAM 256k x 8 평행한 12ns
AS4C16M16D2-25BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D2-25BCNTR 3.0281
RFQ
ECAD 4777 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA AS4C16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TFBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,500 400MHz 휘발성 휘발성 256mbit 400 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
AS4C128M8D3B-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3B-12BCN 6.4200
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 242 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
AS4C128M16D3A-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3A-12BAN -
RFQ
ECAD 4461 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1372 귀 99 8542.32.0036 209 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고