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AS4C64M16D3-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3-12BIN -
RFQ
ECAD 6373 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C64 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (13x9) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1112 귀 99 8542.32.0032 190 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS4C8M16SA-6BIN Alliance Memory, Inc. AS4C8M16SA-6BIN 5.6100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA AS4C8M16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1264 귀 99 8542.32.0002 348 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5 ns 음주 8m x 16 평행한 12ns
AS7C256B-15PINTR Alliance Memory, Inc. AS7C256B-15PINTR -
RFQ
ECAD 7634 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 28-DIP (0.300 ", 7.62mm) AS7C256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-PDIP 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 256kbit 15 ns SRAM 32k x 8 평행한 15ns
AS4C64M4SA-6TIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M4SA-6TIN 4.2601
RFQ
ECAD 2763 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C64 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 108 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 64m x 4 평행한 -
MT46V32M16CV-5B IT:J Alliance Memory, Inc. MT46V32M16CV-5B IT : J. -
RFQ
ECAD 2580 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V32M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (8x12.5) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 55 ns 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS29CF800T-55TIN Alliance Memory, Inc. AS29CF800T-55TIN 9.1000
RFQ
ECAD 93 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) AS29CF800 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop i 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS29CF800T-55TIN 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 8mbit 55 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 55ns
AS7C256A-20TCN Alliance Memory, Inc. AS7C256A-20TCN 2.1753
RFQ
ECAD 4566 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS7C256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-tsop i 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 256kbit 20 ns SRAM 32k x 8 평행한 20ns
AS4C512M8D3L-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3L-12BIN -
RFQ
ECAD 5332 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA AS4C512 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x10.5) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1109 귀 99 8542.32.0036 220 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
AS4C128M16D2-25BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D2-25BCN 14.6900
RFQ
ECAD 5887 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA AS4C128 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (10.5x13.5) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1080 귀 99 8542.32.0036 162 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 음주 128m x 16 평행한 15ns
AS4C256M8D3LC-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3LC-12BCNTR 6.8250
RFQ
ECAD 1921 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (7.5x10.5) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS4C256M8D3LC-12BCNTR 귀 99 8542.32.0036 2,500 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
AS4C256M16D4-83BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D4-83BCNTR 7.3815
RFQ
ECAD 7774 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (7.5x13.5) 다운로드 3 (168 시간) 1450-AS4C256M16D4-83BCNTR 2,500 1.2GHz 휘발성 휘발성 4gbit 18 ns 음주 256m x 16 현물 현물 지불 15ns
AS6C2008-55STIN Alliance Memory, Inc. AS6C2008-55STIN 3.3415
RFQ
ECAD 2561 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-LFSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS6C2008 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 32-Stsop 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 2mbit 55 ns SRAM 256k x 8 평행한 55ns
AS4C32M16D1-5BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D1-5BANTR 4.5617
RFQ
ECAD 1570 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (8x13) 다운로드 3 (168 시간) 1450-AS4C32M16D1-5BANTR 2,500 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 sstl_2 15ns
AS4C512M8D3L-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3L-12BCN -
RFQ
ECAD 8588 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA AS4C512 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x10.5) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1108 귀 99 8542.32.0036 220 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
AS4C8M16D1-5BCN Alliance Memory, Inc. AS4C8M16D1-5BCN 3.3415
RFQ
ECAD 5806 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA AS4C8M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1321 귀 99 8542.32.0002 240 200MHz 휘발성 휘발성 128mbit 700 PS 음주 8m x 16 평행한 15ns
M45PE80-VMP6G Alliance Memory, Inc. M45PE80-VMP6G -
RFQ
ECAD 3603 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M45PE80 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-VFQFPN (6x5) - ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-M45PE80-VMP6G 3A991B1A 8542.32.0071 490 75MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 SPI 3ms
AS4C32M32MD1A-5BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M32MD1A-5BINTR 6.6000
RFQ
ECAD 8698 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) 표면 표면 90-VFBGA AS4C32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.9V 90-FBGA (8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,000 200MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 32m x 32 평행한 15ns
AS4C64M8D2-25BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D2-25BINTR 4.4911
RFQ
ECAD 3504 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA AS4C64 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
AS4C64M8D2-25BAN Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D2-25BAN 5.6950
RFQ
ECAD 3088 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA AS4C64 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 264 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
AS7C34096A-15JINTR Alliance Memory, Inc. AS7C34096A-15JINTR 4.7627
RFQ
ECAD 2713 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 36-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34096 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 36-SOJ 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 500 휘발성 휘발성 4mbit 15 ns SRAM 512k x 8 평행한 15ns
AS4C512M8D3LB-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LB-12BCNTR -
RFQ
ECAD 2384 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA AS4C512 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x10.5) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,500 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
AS4C256M16D3LA-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3LA-12BIN -
RFQ
ECAD 2399 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x13) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1382 귀 99 8542.32.0036 190 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
AS4C256M16D3L-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3L-12BCNTR -
RFQ
ECAD 6263 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x13) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
AS4C512M8D3-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3-12BAN -
RFQ
ECAD 6145 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-FBGA AS4C512 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (9x10.5) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1105 귀 99 8542.32.0036 220 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
AS4C512M8D3LA-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LA-12BCN -
RFQ
ECAD 9437 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C512 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x10.5) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 220 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
AS4C16M16S-6TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C16M16S-6TCNTR -
RFQ
ECAD 3412 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 12ns
PC28F256P33TFE Alliance Memory, Inc. PC28F256p3333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333까지까지합니다합니다 6.1500
RFQ
ECAD 5057 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga PC28F256 플래시- m (MLC) 2.3V ~ 3.6V 64-lbga (11x13) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-PC28F256P333333333333333333333333333333333333333333 33333333333333333333333333333333333333333333333333333333 입니다나 3A991B1A 8542.32.0071 96 52MHz 비 비 256mbit 95 ns 플래시 16m x 16 CFI -
AS7C1026B-20JCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C1026B-20JCNTR 3.3915
RFQ
ECAD 8746 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C1026 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-SOJ 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 20 ns SRAM 64k x 16 평행한 20ns
AS7C38096B-10BIN Alliance Memory, Inc. AS7C38096B-10BIN 11.6463
RFQ
ECAD 6454 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA AS7C38096 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1137 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 8mbit 10 ns SRAM 1m x 8 평행한 10ns
AS4C512M8D3LA-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LA-12BANTR -
RFQ
ECAD 5734 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C512 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x10.5) - ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,500 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고