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AS6C1016-55BINTR Alliance Memory, Inc. AS6C1016-55BINTR 2.9462
RFQ
 ECAD 1424 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA AS6C1016 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 1mbit 55 ns SRAM 64k x 16 평행한 55ns
AS4C128M16D3-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3-12BCN -
RFQ
 ECAD 8827 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1083 귀 99 8542.32.0036 190 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
AS6C8016B-55ZINTR Alliance Memory, Inc. as6c8016b-55zintr 4.8468
RFQ
 ECAD 6979 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 3 (168 시간) 1450-AS6C8016B-55Zintr 2,000 휘발성 휘발성 8mbit 55 ns SRAM 512k x 16 평행한 55ns
AS4C8M16SA-7BCN Alliance Memory, Inc. AS4C8M16SA-7BCN 4.7200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA AS4C8M16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1268 귀 99 8542.32.0002 348 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 14ns
AS4C8M16S-6TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C8M16S-6tintr -
RFQ
 ECAD 6727 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C8M16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5 ns 음주 8m x 16 평행한 2ns
AS4C16M32MD1-5BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C16M32MD1-5BINTR 5.1909
RFQ
 ECAD 9786 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) 표면 표면 90-VFBGA AS4C16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5 ns 음주 16m x 32 평행한 15ns
AS7C4098A-15JCN Alliance Memory, Inc. AS7C4098A-15JCN 6.2900
RFQ
 ECAD 149 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C4098 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 16 휘발성 휘발성 4mbit 15 ns SRAM 256k x 16 평행한 15ns
AS6C2008-55STIN Alliance Memory, Inc. AS6C2008-55STIN 3.3415
RFQ
 ECAD 2561 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-LFSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS6C2008 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 32-Stsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 2mbit 55 ns SRAM 256k x 8 평행한 55ns
AS7C4096A-12TIN Alliance Memory, Inc. AS7C4096A-12TIN 5.0129
RFQ
 ECAD 8878 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C4096 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 12 ns SRAM 512k x 8 평행한 12ns
N25Q032A13EF440F Alliance Memory, Inc. N25Q032A13EF440F -
RFQ
 ECAD 4088 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-udfn n 패드 N25Q032A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-UFDFPN (MLP8) (4x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 비 비 32mbit 플래시 8m x 4 SPI 5ms
AS7C513B-15TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C513B-15TCNTR 3.8051
RFQ
 ECAD 6781 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C513 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 512kbit 15 ns SRAM 32k x 16 평행한 15ns
AS4C64M16D2-25BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D2-25BINTR -
RFQ
 ECAD 9538 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA AS4C64 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TFBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS6C4008-55SIN Alliance Memory, Inc. AS6C4008-55SIN 5.1500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-SOIC (0.445 ", 11.30mm 너비) AS6C4008 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 32-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1028 3A991B2A 8542.32.0041 72 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 512k x 8 평행한 55ns
AS7C3513B-12JCTR Alliance Memory, Inc. AS7C3513B-12JCTR 2.0000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ - 3277-AS7C3513B-12JCTR 귀 99 8542.32.0041 500 휘발성 휘발성 512kbit SRAM 32k x 16 평행한 12ns 확인되지 확인되지
AS4C32M16D1A-5TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D1A-5TCNTR 3.5570
RFQ
 ECAD 4556 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C32 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS4C32M16D3L-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D3L-12BINTR 4.3258
RFQ
 ECAD 5609 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C32 sdram -ddr3 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,500 800MHz 휘발성 휘발성 512mbit 20 ns 음주 32m x 16 평행한
AS9F38G08SA-25BIN Alliance Memory, Inc. AS9F38G08SA-25BIN 4.8400
RFQ
 ECAD 210 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 63-FBGA (9x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 1450-AS9F38G08SA-25BIN 210 비 비 4gbit 20 ns 플래시 512m x 8 평행한 25ns, 700µs
AS6C2008-55STINTR Alliance Memory, Inc. AS6C2008-55STINTR 3.1434
RFQ
 ECAD 8231 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-LFSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS6C2008 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 32-Stsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 휘발성 휘발성 2mbit 55 ns SRAM 256k x 8 평행한 55ns
AS4C128M8D3LB-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3LB-12BIN 7.9600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 242 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
AS8C401825-QC75N Alliance Memory, Inc. AS8C401825-QC75N 4.3972
RFQ
 ECAD 8496 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp AS8C401825 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 100 117 MHz 휘발성 휘발성 4mbit 7.5 ns SRAM 256k x 18 평행한 8.5ns
U62256AS2K07LLG1 Alliance Memory, Inc. U62256AS2K07LLG1 -
RFQ
 ECAD 8783 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-SOIC (0.330 ", 8.38mm 너비) U62256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 25 휘발성 휘발성 256kbit 70 ns SRAM 32k x 8 평행한 70ns
AS4C16M16SB-7TCN Alliance Memory, Inc. AS4C16M16SB-7TCN 4.4700
RFQ
 ECAD 145 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS4C16M16SB-7TCN 귀 99 8542.32.0041 108 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 lvttl 14ns
AS6C62256-55STIN Alliance Memory, Inc. AS6C62256-55STIN 2.7093
RFQ
 ECAD 9011 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS6C62256 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 28-Stsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 256kbit 55 ns SRAM 32k x 8 평행한 55ns
AS4C128M16D3B-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3B-12BCN -
RFQ
 ECAD 6604 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 209 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
N25Q064A13EF8H0E Alliance Memory, Inc. N25Q064A13EF8H0E 1.3772
RFQ
 ECAD 4915 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 N25Q064A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (mlp8) (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-N25Q064A13EF8H0E 3A991B1A 8542.32.0071 320 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI 5ms
AS6C6264-55SCNTR Alliance Memory, Inc. AS6C6264-55SCNTR 2.4816
RFQ
 ECAD 7401 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-SOIC (0.330 ", 8.38mm 너비) AS6C6264 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 28-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 64kbit 55 ns SRAM 8k x 8 평행한 55ns
AS4C4M16SB-6TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C4M16SB-6tintr 2.3237
RFQ
 ECAD 6421 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 3 (168 시간) 1450-AS4C4M16SB-6tintr 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5 ns 음주 4m x 16 lvttl 12ns
AS4C16M16S-6BIN Alliance Memory, Inc. AS4C16M16S-6BIN -
RFQ
 ECAD 4519 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA AS4C16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1075 3A991B2A 8542.32.0024 348 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 12ns
AS4C512M16D3LC-10BIN Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D3LC-10BIN 23.6900
RFQ
 ECAD 190 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 1450-AS4C512M16D3LC-10BIN 190 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
AS4C256M8D3LB-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3LB-12BINTR -
RFQ
 ECAD 5567 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,500 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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