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AS7C3513B-12JCTR Alliance Memory, Inc. AS7C3513B-12JCTR 2.0000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ - 3277-AS7C3513B-12JCTR 귀 99 8542.32.0041 500 휘발성 휘발성 512kbit SRAM 32k x 16 평행한 12ns 확인되지 확인되지
AS4C32M16D3L-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D3L-12BINTR 4.3258
RFQ
 ECAD 5609 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C32 sdram -ddr3 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,500 800MHz 휘발성 휘발성 512mbit 20 ns 음주 32m x 16 평행한
AS9F38G08SA-25BIN Alliance Memory, Inc. AS9F38G08SA-25BIN 4.8400
RFQ
 ECAD 210 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 63-FBGA (9x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 1450-AS9F38G08SA-25BIN 210 비 비 4gbit 20 ns 플래시 512m x 8 평행한 25ns, 700µs
AS6C2008-55STINTR Alliance Memory, Inc. AS6C2008-55STINTR 3.1434
RFQ
 ECAD 8231 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-LFSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS6C2008 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 32-Stsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 휘발성 휘발성 2mbit 55 ns SRAM 256k x 8 평행한 55ns
AS4C128M8D3LB-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3LB-12BIN 7.9600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 242 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
AS8C401825-QC75N Alliance Memory, Inc. AS8C401825-QC75N 4.3972
RFQ
 ECAD 8496 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp AS8C401825 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 100 117 MHz 휘발성 휘발성 4mbit 7.5 ns SRAM 256k x 18 평행한 8.5ns
U62256AS2K07LLG1 Alliance Memory, Inc. U62256AS2K07LLG1 -
RFQ
 ECAD 8783 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-SOIC (0.330 ", 8.38mm 너비) U62256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 25 휘발성 휘발성 256kbit 70 ns SRAM 32k x 8 평행한 70ns
AS4C128M16D3B-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3B-12BCN -
RFQ
 ECAD 6604 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 209 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
N25Q064A13EF8H0E Alliance Memory, Inc. N25Q064A13EF8H0E 1.3772
RFQ
 ECAD 4915 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 N25Q064A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (mlp8) (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-N25Q064A13EF8H0E 3A991B1A 8542.32.0071 320 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI 5ms
AS4C4M16SB-6TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C4M16SB-6tintr 2.3237
RFQ
 ECAD 6421 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 3 (168 시간) 1450-AS4C4M16SB-6tintr 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5 ns 음주 4m x 16 lvttl 12ns
AS4C16M16S-6BIN Alliance Memory, Inc. AS4C16M16S-6BIN -
RFQ
 ECAD 4519 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA AS4C16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1075 3A991B2A 8542.32.0024 348 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 12ns
AS4C256M8D3LB-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3LB-12BINTR -
RFQ
 ECAD 5567 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,500 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
AS7C38098A-10TIN Alliance Memory, Inc. AS7C38098A-10TIN 14.5100
RFQ
 ECAD 921 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C38098 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1069 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 8mbit 10 ns SRAM 512k x 16 평행한 10ns
AS4C512M8D3B-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3B-12BAN -
RFQ
 ECAD 4737 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C512 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (9x10.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 220 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
AS4C16M16SA-7BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C16M16SA-7BCNTR 4.1866
RFQ
 ECAD 4037 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA AS4C16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 14ns
AS4C16M32SC-7TIN Alliance Memory, Inc. AS4C16M32SC-7TIN 17.3100
RFQ
 ECAD 197 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C16 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1468 귀 99 8542.32.0028 108 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 17 ns 음주 16m x 32 평행한 15ns
AS4C64M16D1-6TIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D1-6TIN 29.7100
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C64 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1333 귀 99 8542.32.0032 108 166 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 700 PS 음주 64m x 16 평행한 15ns
ASFC4G31M-51BIN Alliance Memory, Inc. ASFC4G31M-51BIN 7.8400
RFQ
 ECAD 150 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA AS8C803625 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-FBGA (11.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-ASFC4G31M-51BIN 3A991B1A 8542.32.0071 160 200MHz 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 MMC -
MT46V64M8CV-5B IT:J Alliance Memory, Inc. MT46V64M8CV-5B IT : J. -
RFQ
 ECAD 2899 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V64M8 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (8x12.5) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1344 귀 99 8542.32.0028 2,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS4C256M16D4-75BCN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D4-75BCN 11.2300
RFQ
 ECAD 764 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C256 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (7.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS4C256M16D4-75BCN 귀 99 8542.32.0036 209 1.333 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 18 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
AS4C256M8D3-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3-12BIN -
RFQ
 ECAD 7187 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA AS4C256 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1101 귀 99 8542.32.0036 242 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
AS6C62256-55STCNTR Alliance Memory, Inc. AS6C62256-55STCNTR 2.4388
RFQ
 ECAD 3767 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS6C62256 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 28-Stsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,500 휘발성 휘발성 256kbit 55 ns SRAM 32k x 8 평행한 55ns
AS8C403601-QC166N Alliance Memory, Inc. AS8C403601-QC166N 4.3972
RFQ
 ECAD 3615 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp AS8C403601 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 100 166 MHz 휘발성 휘발성 4mbit 3.5 ns SRAM 128k x 36 평행한 6ns
AS7C3256A-15TCN Alliance Memory, Inc. AS7C3256A-15TCN 1.9941
RFQ
 ECAD 5376 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS7C3256 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 28-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 256kbit 15 ns SRAM 32k x 8 평행한 15ns
AS6C6264-55SIN Alliance Memory, Inc. AS6C6264-55SIN 3.4400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-SOIC (0.330 ", 8.38mm 너비) AS6C6264 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 28-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1038 귀 99 8542.32.0041 25 휘발성 휘발성 64kbit 55 ns SRAM 8k x 8 평행한 55ns
AS7C34096A-8TIN Alliance Memory, Inc. AS7C34096A-8tin 4.6903
RFQ
 ECAD 5911 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34096 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 8 ns SRAM 512k x 8 평행한 8ns
AS25F364MQ-10WIN Alliance Memory, Inc. AS25F364MQ-10-WIN 3.0900
RFQ
 ECAD 560 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS25F364MQ-10WIN 3A991B1A 8542.32.0071 570 104 MHz 비 비 64mbit 6 ns 플래시 16m x 4 spi-쿼드 i/o, qpi 30µs, 800µs
AS4C64M16MD1-6BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16MD1-6BCNTR -
RFQ
 ECAD 5965 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA AS4C64 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS7C256A-12TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C256A-12TCNTR 1.9342
RFQ
 ECAD 6055 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS7C256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 256kbit 12 ns SRAM 32k x 8 평행한 12ns
AS25F364MQ-10SINTR Alliance Memory, Inc. AS25F364MQ-10SINTR 1.7815
RFQ
 ECAD 6195 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 3 (168 시간) 1450-AS25F364MQ-10SINTR 2,000 104 MHz 비 비 64mbit 6 ns 플래시 16m x 4 spi-쿼드 i/o, qpi 30µs, 800µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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