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AS7C4098A-15JCN Alliance Memory, Inc. AS7C4098A-15JCN 6.2900
RFQ
ECAD 149 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C4098 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 16 휘발성 휘발성 4mbit 15 ns SRAM 256k x 16 평행한 15ns
AS4C32M16MD1-6BCN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16MD1-6BCN -
RFQ
ECAD 2380 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TJ) 표면 표면 60-TFBGA AS4C2M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x9) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 348 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS5F34G04SNDB-08LIN Alliance Memory, Inc. AS5F34G04SNDB-08LIN 9.2600
RFQ
ECAD 352 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-WLGA 플래시 -Nand (SLC) 3V ~ 3.6V 8-LGA (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 1450-AS5F34G04SNDB-08LIN 352 120MHz 비 비 2gbit 7.5 ns 플래시 512m x 4 spi-쿼드 i/o 700µs
AS7C32098A-15TCN Alliance Memory, Inc. AS7C32098A-15TCN 5.0129
RFQ
ECAD 6735 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C32098 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 2mbit 15 ns SRAM 128k x 16 평행한 15ns
AS4C32M16SB-7BCN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16SB-7BCN -
RFQ
ECAD 7858 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA AS4C32 sdram 3V ~ 3.6V 54-FBGA (8x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS4C32M16SB-7BCN 귀 99 8542.32.0028 348 143 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 6 ns 음주 32m x 16 평행한 14ns
JS28F128P33BF70A Alliance Memory, Inc. JS28F128P33BF70A -
RFQ
ECAD 4188 0.00000000 Alliance Memory, Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F128P33 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-JS28F128P33BF70A 3A991B1A 8542.32.0071 96 52MHz 비 비 128mbit 70 ns 플래시 8m x 16 평행한 70ns
AS7C34096A-15TINTR Alliance Memory, Inc. as7c34096a-15tintr 4.5617
RFQ
ECAD 1650 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34096 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 15 ns SRAM 512k x 8 평행한 15ns
AS7C256A-12JIN Alliance Memory, Inc. AS7C256A-12JIN 2.3566
RFQ
ECAD 8205 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) AS7C256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 25 휘발성 휘발성 256kbit 12 ns SRAM 32k x 8 평행한 12ns
AS4C256M8D3LB-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3LB-12BINTR -
RFQ
ECAD 5567 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,500 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
AS4C256M16D4-75BCN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D4-75BCN 11.2300
RFQ
ECAD 764 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C256 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (7.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS4C256M16D4-75BCN 귀 99 8542.32.0036 209 1.333 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 18 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
AS4C128M16D3C-93BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3C-93BCNTR 7.2000
RFQ
ECAD 1909 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (7.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS4C128M16D3C-93BCNTR 귀 99 8542.32.0036 2,500 1.066 GHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
AS4C64M16D3L-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3L-12BCNTR -
RFQ
ECAD 5511 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C64 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS4C64M16MD1-5BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16MD1-5BCNTR -
RFQ
ECAD 5176 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA AS4C64 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS4C8M32SA-7BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C8M32SA-7BCNTR 6.0000
RFQ
ECAD 3286 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA AS4C8M32 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,000 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 8m x 32 평행한 2ns
AS7C34096A-12JIN Alliance Memory, Inc. AS7C34096A-12JIN 5.0128
RFQ
ECAD 4524 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 36-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34096 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 36-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 19 휘발성 휘발성 4mbit 12 ns SRAM 512k x 8 평행한 12ns
AS4C256M8D3A-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3A-12BANTR -
RFQ
ECAD 9866 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C256 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,500 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
U62256AS2C07LLG1 Alliance Memory, Inc. U62256AS2C07LLG1 -
RFQ
ECAD 7842 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-SOIC (0.330 ", 8.38mm 너비) U62256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 25 휘발성 휘발성 256kbit 70 ns SRAM 32k x 8 평행한 70ns
AS4C16M16S-7BCN Alliance Memory, Inc. AS4C16M16S-7BCN -
RFQ
ECAD 4477 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA AS4C16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1002 귀 99 8542.32.0024 348 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 14ns
AS4C8M32MSA-6BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C8M32MSA-6BINTR 5.7851
RFQ
ECAD 6527 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA AS4C8M32 sdram- 모바일 1.14V ~ 1.95V 90-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
AS7C31024B-15JCN Alliance Memory, Inc. AS7C31024B-15JCN 3.1724
RFQ
ECAD 3070 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C31024 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 21 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 128k x 8 평행한 15ns
AS4C128M16D3B-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3B-12BCN -
RFQ
ECAD 6604 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 209 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
AS6C6264-55SINTR Alliance Memory, Inc. AS6C6264-55SINTR 2.5643
RFQ
ECAD 7540 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-SOIC (0.330 ", 8.38mm 너비) AS6C6264 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 28-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 64kbit 55 ns SRAM 8k x 8 평행한 55ns
AS7C34098A-12JIN Alliance Memory, Inc. AS7C34098A-12JIN 5.0129
RFQ
ECAD 5729 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34098 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 16 휘발성 휘발성 4mbit 12 ns SRAM 256k x 16 평행한 12ns
AS4C128M8D3-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3-12BIN -
RFQ
ECAD 4750 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA AS4C128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1090 귀 99 8542.32.0032 242 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
AS7C34098A-10BIN Alliance Memory, Inc. AS7C34098A-10BIN 4.6806
RFQ
ECAD 2350 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA AS7C34098 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 48- 바 미니 (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1062 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 256k x 16 평행한 10ns
AS4C256M8D3-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3-12BIN -
RFQ
ECAD 7187 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA AS4C256 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1101 귀 99 8542.32.0036 242 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
AS4C128M32MD2A-25BIN Alliance Memory, Inc. AS4C128M32MD2A-25BIN 13.2900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-VFBGA AS4C128 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 134-FBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 168 400MHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 128m x 32 평행한 15ns
AS4C128M8D3LA-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3LA-12BANTR -
RFQ
ECAD 7306 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,500 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
N25Q064A11ESEA0F Alliance Memory, Inc. N25Q064A11ESEA0F 1.7500
RFQ
ECAD 140 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) N25Q064A11 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-n25q064a11esea0ftr 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI 5ms
AS4C256M8D3LC-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3LC-12BCN 7.6972
RFQ
ECAD 6129 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (7.5x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS4C256M8D3LC-12BCN 귀 99 8542.32.0036 210 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고