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AS4C16M16SA-6BIN Alliance Memory, Inc. AS4C16M16SA-6BIN 5.8900
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA AS4C16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 348 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5 ns 음주 16m x 16 평행한 12ns
AS7C3256A-20JCN Alliance Memory, Inc. AS7C3256A-20JCN 2.2660
RFQ
ECAD 7508 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) AS7C3256 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 28-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 25 휘발성 휘발성 256kbit 20 ns SRAM 32k x 8 평행한 20ns
AS4C256M16D4A-75BCN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D4A-75BCN 9.5500
RFQ
ECAD 150 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C256 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (7.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 1450-AS4C256M16D4A-75BCN 귀 99 8542.32.0036 198 1.333 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 18 ns 음주 256m x 16 현물 현물 지불 15ns
AS6C2016-55BINTR Alliance Memory, Inc. AS6C2016-55BINTR 3.1099
RFQ
ECAD 1129 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA AS6C2016 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 2mbit 55 ns SRAM 128k x 16 평행한 55ns
AS6C2016-55ZIN Alliance Memory, Inc. AS6C2016-55ZIN 4.2400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS6C2016 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1025 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 2mbit 55 ns SRAM 128k x 16 평행한 55ns
AS4C128M8D3LB-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3LB-12BIN 7.9600
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 242 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
AS7C31026B-10JCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C31026B-10JCNTR 2.9779
RFQ
ECAD 6057 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C31026 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 10 ns SRAM 64k x 16 평행한 10ns
AS7C325632-10BINTR Alliance Memory, Inc. AS7C325632-10BINTR 15.3750
RFQ
ECAD 3585 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA AS7C325632 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 8mbit 10 ns SRAM 1m x 8 평행한 10ns
AS7C31024B-20TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C31024B-20TCNTR 3.2261
RFQ
ECAD 4060 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) AS7C31024 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 20 ns SRAM 128k x 8 평행한 20ns
AS4C16M16S-7TCN Alliance Memory, Inc. AS4C16M16S-7TCN -
RFQ
ECAD 6789 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1003 귀 99 8542.32.0024 108 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 14ns
AS7C31026B-12TINTR Alliance Memory, Inc. as7c31026b-12tintr 2.9779
RFQ
ECAD 7805 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C31026 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS7C31026B-12tintr 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 64k x 16 평행한 12ns
AS4C16M16MD1-6BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C16M16MD1-6BINTR -
RFQ
ECAD 6045 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA AS4C16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-FBGA (8x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 음주 16m x 16 평행한 15ns
AS4C128M16D3L-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3L-12BIN -
RFQ
ECAD 6882 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1086 귀 99 8542.32.0036 190 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
MT40A1G16KH-062E:E Alliance Memory, Inc. MT40A1G16KH-062E : e 24.1600
RFQ
ECAD 190 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-MT40A1G16KH-062E : e 귀 99 8542.32.0036 190 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 19 ns 음주 1g x 16 평행한 15ns
AS4C2M32D1A-5BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C2M32D1A-5BINTR 3.4742
RFQ
ECAD 2151 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-LFBGA AS4C2M32 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 144-LFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 200MHz 휘발성 휘발성 64mbit 700 PS 음주 2m x 32 평행한 15ns
AS7C256A-20TIN Alliance Memory, Inc. AS7C256A-20TIN 2.4473
RFQ
ECAD 4297 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS7C256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 256kbit 20 ns SRAM 32k x 8 평행한 20ns
AS6C1616-55TINLTR Alliance Memory, Inc. AS6C1616-55TINLTR -
RFQ
ECAD 7430 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) AS6C1616 SRAM 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 16mbit 55 ns SRAM 1m x 16 평행한 55ns
AS4C64M8D2-25BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D2-25BINTR 4.4911
RFQ
ECAD 3504 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA AS4C64 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
AS4C32M32MD1A-5BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M32MD1A-5BINTR 6.6000
RFQ
ECAD 8698 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) 표면 표면 90-VFBGA AS4C32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.9V 90-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,000 200MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 32m x 32 평행한 15ns
AS4C512M8D3L-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3L-12BIN -
RFQ
ECAD 5332 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA AS4C512 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1109 귀 99 8542.32.0036 220 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
AS7C256A-15TCN Alliance Memory, Inc. AS7C256A-15TCN 1.9941
RFQ
ECAD 3115 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS7C256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 Q9105101 귀 99 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 256kbit 15 ns SRAM 32k x 8 평행한 15ns
AS4C32M16D2A-25BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D2A-25BCNTR 3.2736
RFQ
ECAD 8412 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA AS4C32 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TFBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0024 2,500 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS7C3256A-10JCNTR Alliance Memory, Inc. as7c3256a-10jcntr 2.0183
RFQ
ECAD 4760 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) AS7C3256 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 28-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 256kbit 10 ns SRAM 32k x 8 평행한 10ns
AS4C64M16MD2A-25BIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16MD2A-25BIN 6.6709
RFQ
ECAD 9998 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 134-VFBGA AS4C64 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 134-FBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 128 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS4C64M16D3A-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3A-12BIN -
RFQ
ECAD 3250 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C64 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1369 귀 99 8542.32.0032 209 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS7C1026C-15TIN Alliance Memory, Inc. AS7C1026C-15TIN -
RFQ
ECAD 1745 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C1026 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 26 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 64k x 16 평행한 15ns
AS4C512M8D4-83BCN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D4-83BCN 11.2300
RFQ
ECAD 195 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA AS4C512 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x10.6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS4C512M8D4-83BCN 귀 99 8542.32.0036 242 1.2GHz 휘발성 휘발성 4gbit 18 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
AS4C256M8D3L-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3L-12BANTR -
RFQ
ECAD 1308 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
AS4C64M16D2-25BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D2-25BINTR -
RFQ
ECAD 9538 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA AS4C64 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TFBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS4C256M8D2A-25BCN Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D2A-25BCN 14.1900
RFQ
ECAD 64 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA AS4C256 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS4C256M8D2A-25BCN 귀 99 8542.32.0036 264 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 400 PS 음주 256m x 8 SSTL_18 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고