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AS7C3513B-12JCTR Alliance Memory, Inc. AS7C3513B-12JCTR 2.0000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ - 3277-AS7C3513B-12JCTR 귀 99 8542.32.0041 500 휘발성 휘발성 512kbit SRAM 32k x 16 평행한 12ns 확인되지 확인되지
AS4C2M32S-5TCN Alliance Memory, Inc. AS4C2M32S-5TCN -
RFQ
 ECAD 2969 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C2M32 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 108 200MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 2m x 32 평행한 2ns
AS4C64M16D3LC-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3LC-12BIN 6.9500
RFQ
 ECAD 246 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C64 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (7.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 1450-AS4C64M16D3LC-12BIN 귀 99 8542.32.0032 198 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS4C4M32S-6BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C4M32S-6BCNTR 3.6783
RFQ
 ECAD 7005 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 3 (168 시간) 1450-AS4C4M32S-6BCNTR 2,000 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 lvttl -
AS7C31026B-20TCN Alliance Memory, Inc. AS7C31026B-20TCN 3.4443
RFQ
 ECAD 6652 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C31026 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 1mbit 20 ns SRAM 64k x 16 평행한 20ns
AS7C38096A-10TAN Alliance Memory, Inc. AS7C38096A-10TAN 15.9000
RFQ
 ECAD 4790 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 44-TSOP II - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS7C38096A-10TAN 135 휘발성 휘발성 8mbit 10 ns SRAM 1m x 8 평행한 10ns
AS4C512M8D4-83BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D4-83BINTR 8.1795
RFQ
 ECAD 1344 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x10.6) 다운로드 3 (168 시간) 1450-AS4C512M8D4-83BINTR 2,500 1.2GHz 휘발성 휘발성 4gbit 18 ns 음주 512m x 8 현물 현물 지불 15ns
AS6C4008-55PINTR Alliance Memory, Inc. AS6C4008-55PINTR 4.4187
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 ECAD 1133 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 32-DIP (0.600 ", 15.24mm) sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 32-PDIP 다운로드 1 (무제한) 1450-AS6C4008-55PINTR 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 512k x 8 평행한 55ns
AS7C3256A-20JCNTR Alliance Memory, Inc. as7c3256a-20jcntr 2.1865
RFQ
 ECAD 5863 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) AS7C3256 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 28-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 256kbit 20 ns SRAM 32k x 8 평행한 20ns
AS7C4096A-12TIN Alliance Memory, Inc. AS7C4096A-12TIN 5.0129
RFQ
 ECAD 8878 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C4096 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 12 ns SRAM 512k x 8 평행한 12ns
AS7C3256A-12JINTR Alliance Memory, Inc. AS7C3256A-12Jintr 2.3547
RFQ
 ECAD 5334 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) AS7C3256 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 28-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 256kbit 12 ns SRAM 32k x 8 평행한 12ns
AS4C32M16D2A-25BCN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D2A-25BCN 4.4700
RFQ
 ECAD 220 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA AS4C32 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0024 209 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS4C128M16D3LC-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3LC-12BAN 11.1300
RFQ
 ECAD 646 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (7.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1541 귀 99 8542.32.0036 198 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
AS4C64M16D3LA-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3LA-12BAN -
RFQ
 ECAD 3512 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C64 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 209 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS4C128M8D3L-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3L-12BCNTR -
RFQ
 ECAD 9992 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA AS4C128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
AS7C1024B-20TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C1024B-20TCNTR 3.2261
RFQ
 ECAD 2097 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) AS7C1024 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 20 ns SRAM 128k x 8 평행한 20ns
AS6C8008A-45ZIN Alliance Memory, Inc. AS6C8008A-45ZIN -
RFQ
 ECAD 6087 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS6C8008 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 8mbit 45 ns SRAM 1m x 8 평행한 45ns
AS6C1016-55BINTR Alliance Memory, Inc. AS6C1016-55BINTR 2.9462
RFQ
 ECAD 1424 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA AS6C1016 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 1mbit 55 ns SRAM 64k x 16 평행한 55ns
AS4C16M16SB-7TCN Alliance Memory, Inc. AS4C16M16SB-7TCN 4.4700
RFQ
 ECAD 145 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS4C16M16SB-7TCN 귀 99 8542.32.0041 108 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 lvttl 14ns
AS4C4M32S-7TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C4M32S-7TCNTR -
RFQ
 ECAD 9857 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C4M32 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.5 ns 음주 4m x 32 평행한 2ns
AS6C6264-55SIN Alliance Memory, Inc. AS6C6264-55SIN 3.4400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-SOIC (0.330 ", 8.38mm 너비) AS6C6264 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 28-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1038 귀 99 8542.32.0041 25 휘발성 휘발성 64kbit 55 ns SRAM 8k x 8 평행한 55ns
AS4C16M16MD1-6BCN Alliance Memory, Inc. AS4C16M16MD1-6BCN 4.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C (TJ) 표면 표면 60-TFBGA AS4C16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-FBGA (8x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 160 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 음주 16m x 16 평행한 15ns
AS7C3513B-12JCN Alliance Memory, Inc. AS7C3513B-12JCN 4.1694
RFQ
 ECAD 2933 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C3513 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 16 휘발성 휘발성 512kbit 12 ns SRAM 32k x 16 평행한 12ns
AS4C128M8D3-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3-12BANTR -
RFQ
 ECAD 9900 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA AS4C128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
AS4C512M8D3LA-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LA-12BANTR -
RFQ
 ECAD 5734 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C512 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x10.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,500 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
AS4C4M16SA-6TCN Alliance Memory, Inc. AS4C4M16SA-6TCN 3.0900
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C4M16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1259 귀 99 8542.32.0002 108 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 2ns
AS7C316098A-10TINTR Alliance Memory, Inc. as7c316098a-10tintr 18.6750
RFQ
 ECAD 5678 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) AS7C316098 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 16mbit 10 ns SRAM 1m x 16 평행한 10ns
AS7C38098A-10BINTR Alliance Memory, Inc. AS7C38098A-10BINTR 10.3075
RFQ
 ECAD 3034 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA AS7C38098 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 8mbit 10 ns SRAM 512k x 16 평행한 10ns
AS4C32M8D1-5TCN Alliance Memory, Inc. AS4C32M8D1-5TCN -
RFQ
 ECAD 9354 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C2M32 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1325 귀 99 8542.32.0024 108 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 32m x 8 평행한 15ns
AS8C801825-QC75N Alliance Memory, Inc. AS8C801825-QC75N 8.4670
RFQ
 ECAD 3187 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp AS8C801825 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 100 117 MHz 휘발성 휘발성 9mbit 7.5 ns SRAM 512k x 18 평행한 8.5ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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