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AS4C8M32MD2A-25BCN Alliance Memory, Inc. AS4C8M32MD2A-25BCN 5.5100
RFQ
ECAD 1861 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -20 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 134-VFBGA AS4C8M32 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 134-FBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 171 400MHz 휘발성 휘발성 256mbit 음주 8m x 32 평행한 15ns
AS4C64M16D3-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3-12BCNTR -
RFQ
ECAD 1736 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C64 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS7C3256A-20JCN Alliance Memory, Inc. AS7C3256A-20JCN 2.2660
RFQ
ECAD 7508 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) AS7C3256 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 28-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 25 휘발성 휘발성 256kbit 20 ns SRAM 32k x 8 평행한 20ns
AS4C256M16D3LC-10BIN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3LC-10BIN 11.2800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (7.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS4C256M16D3LC-10BIN 귀 99 8542.32.0036 209 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
AS4C256M8D3LC-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3LC-12BCN 7.6972
RFQ
ECAD 6129 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (7.5x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS4C256M8D3LC-12BCN 귀 99 8542.32.0036 210 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
AS7C3256A-15TINTR Alliance Memory, Inc. as7c3256a-15tintr 1.9342
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ECAD 2398 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS7C3256 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 28-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 256kbit 15 ns SRAM 32k x 8 평행한 15ns
AS4C1G16D4-062BCN Alliance Memory, Inc. AS4C1G16D4-062BCN 23.8100
RFQ
ECAD 159 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 1450-AS4C1G16D4-062BCN 귀 99 8542.32.0036 190 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 19 ns 음주 1g x 16 평행한 15ns
AS4C1G8D4-75BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C1G8D4-75BINTR 10.8395
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ECAD 9446 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x12) 다운로드 3 (168 시간) 1450-AS4C1G8D4-75BINTR 2,500 1.333 GHz 휘발성 휘발성 8gbit 18 ns 음주 1g x 8 현물 현물 지불 15ns
AS7C325632-10BINTR Alliance Memory, Inc. AS7C325632-10BINTR 15.3750
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ECAD 3585 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA AS7C325632 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 8mbit 10 ns SRAM 1m x 8 평행한 10ns
AS4C256M16D3LB-10BCN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3LB-10BCN -
RFQ
ECAD 9864 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (13.5x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1491 귀 99 8542.32.0036 180 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
M29F160FB5AN6F2 Alliance Memory, Inc. M29F160FB5AN6F2 4.2900
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ECAD 469 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29F160 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 16mbit 55 ns 플래시 2m x 8, 1m x 16 평행한 55ns
AS6C8008A-45ZINTR Alliance Memory, Inc. AS6C8008A-45ZINTR -
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ECAD 1223 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS6C8008 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 8mbit 45 ns SRAM 1m x 8 평행한 45ns
AS4C64M16D3LA-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3LA-12BAN -
RFQ
ECAD 3512 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C64 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 209 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS4C128M16D2A-25BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D2A-25BANTR 11.7040
RFQ
ECAD 6879 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TFBGA (8x12.5) 다운로드 3 (168 시간) 1450-AS4C128M16D2A-25BANTR 2,500 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 400 PS 음주 128m x 16 SSTL_18 15ns
AS29CF160B-55TIN Alliance Memory, Inc. AS29CF160B-55TIN 10.1300
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ECAD 44 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) AS29CF160 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS29CF160B-55TIN 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 16mbit 55 ns 플래시 2m x 8, 1m x 16 평행한 55ns
AS7C4096A-12JCN Alliance Memory, Inc. AS7C4096A-12JCN 5.0128
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ECAD 3432 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 36-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C4096 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 36-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1070 3A991B2A 8542.32.0041 19 휘발성 휘발성 4mbit 12 ns SRAM 512k x 8 평행한 12ns
AS4C64M16D3A-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3A-12BINTR -
RFQ
ECAD 5982 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C64 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,500 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS4C32M16MSB-6BIN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16MSB-6BIN 7.5000
RFQ
ECAD 319 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA sdram- 모바일 sdram 1.7V ~ 1.95V 54-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 1450-AS4C32M16MSB-6BIN 319 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.5 ns 음주 32m x 16 LVCMOS 15ns
AS4C64M32MD1-5BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M32MD1-5BCNTR 11.7000
RFQ
ECAD 6556 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA AS4C64 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.9V 90-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5 ns 음주 64m x 32 평행한 15ns
AS9F32G08SA-25BIN Alliance Memory, Inc. AS9F32G08SA-25BIN 3.7900
RFQ
ECAD 210 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 63-FBGA (9x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 1450-AS9F32G08SA-25BIN 210 비 비 4gbit 20 ns 플래시 512m x 8 평행한 25ns, 700µs
AS6C2008-55STINTR Alliance Memory, Inc. AS6C2008-55STINTR 3.1434
RFQ
ECAD 8231 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-LFSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS6C2008 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 32-Stsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 휘발성 휘발성 2mbit 55 ns SRAM 256k x 8 평행한 55ns
AS4C32M16D1A-5TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D1A-5TCNTR 3.5570
RFQ
ECAD 4556 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C32 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS4C128M8D3L-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3L-12BIN -
RFQ
ECAD 2793 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA AS4C128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1092 귀 99 8542.32.0032 242 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
AS9F38G08SA-25BIN Alliance Memory, Inc. AS9F38G08SA-25BIN 4.8400
RFQ
ECAD 210 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 63-FBGA (9x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 1450-AS9F38G08SA-25BIN 210 비 비 4gbit 20 ns 플래시 512m x 8 평행한 25ns, 700µs
AS4C256M8D2-25BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D2-25BINTR 13.6500
RFQ
ECAD 5775 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA AS4C256 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,500 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 57.5 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
AS4C32M16D3L-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D3L-12BINTR 4.3258
RFQ
ECAD 5609 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C32 sdram -ddr3 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,500 800MHz 휘발성 휘발성 512mbit 20 ns 음주 32m x 16 평행한
AS4C32M16MS-7BCN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16MS-7BCN -
RFQ
ECAD 4206 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA AS4C2M32 sdram- 모바일 sdram 1.7V ~ 1.95V 54-BGA (9x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1409 귀 99 8542.32.0028 264 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS4C64M16D2-25BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D2-25BINTR -
RFQ
ECAD 9538 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA AS4C64 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TFBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS6C4008-55SIN Alliance Memory, Inc. AS6C4008-55SIN 5.1500
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ECAD 10 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-SOIC (0.445 ", 11.30mm 너비) AS6C4008 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 32-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1028 3A991B2A 8542.32.0041 72 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 512k x 8 평행한 55ns
AS7C3513B-12JCTR Alliance Memory, Inc. AS7C3513B-12JCTR 2.0000
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ - 3277-AS7C3513B-12JCTR 귀 99 8542.32.0041 500 휘발성 휘발성 512kbit SRAM 32k x 16 평행한 12ns 확인되지 확인되지
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고