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AS7C34098A-20TCN Alliance Memory, Inc. AS7C34098A-20TCN 5.2767
RFQ
ECAD 5978 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34098 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 20 ns SRAM 256k x 16 평행한 20ns
AS7C3256A-10TCN Alliance Memory, Inc. AS7C3256A-10TCN 1.9941
RFQ
ECAD 2238 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS7C3256 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 28-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 256kbit 10 ns SRAM 32k x 8 평행한 10ns
AS4C128M16D3L-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3L-12BANTR -
RFQ
ECAD 8866 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-BGA (13x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
AS6C2008A-55TINTR Alliance Memory, Inc. AS6C2008A-55tintr 3.1434
RFQ
ECAD 6245 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) AS6C2008 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 휘발성 휘발성 2mbit 55 ns SRAM 256k x 8 평행한 55ns
AS4C4M16S-7TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C4M16S-7TCNTR -
RFQ
ECAD 9189 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C4M16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 2ns
AS4C512M8D3A-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3A-12BINTR -
RFQ
ECAD 6223 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C512 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (9x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,500 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
U62256ADK07LLG1 Alliance Memory, Inc. U62256ADK07LLG1 -
RFQ
ECAD 5473 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 28-DIP (0.600 ", 15.24mm) U62256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 15 휘발성 휘발성 256kbit 70 ns SRAM 32k x 8 평행한 70ns
AS4C32M16D1-5BCN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D1-5BCN 4.4252
RFQ
ECAD 3792 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA AS4C32 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-bga 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1122 귀 99 8542.32.0028 240 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS4C64M4SA-7TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M4SA-7TCNTR 3.5570
RFQ
ECAD 5081 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C64 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 64m x 4 평행한 -
ASFC8G31M-51BIN Alliance Memory, Inc. ASFC8G31M-51BIN 9.9900
RFQ
ECAD 160 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA AS8C803625 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-FBGA (11.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-ASFC8G31M-51BIN 3A991B1A 8542.32.0071 160 200MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
AS4C128M16MD2A-25BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16MD2A-25BCN -
RFQ
ECAD 8076 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-VFBGA AS4C128 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 134-FBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 128 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 음주 128m x 16 평행한 15ns
AS4C64M16D3LA-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3LA-12BCN -
RFQ
ECAD 2926 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C64 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1370 귀 99 8542.32.0032 209 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS4C1M16S-7TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C1M16S-7TCNTR 1.9342
RFQ
ECAD 2912 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 50TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C1M16 sdram 3V ~ 3.6V 50-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 휘발성 휘발성 16mbit 5.4 ns 음주 1m x 16 평행한 2ns
AS7C256A-15JINTR Alliance Memory, Inc. AS7C256A-15JINTR 2.2706
RFQ
ECAD 1386 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) AS7C256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 256kbit 15 ns SRAM 32k x 8 평행한 15ns
AS4C64M16MD1-6BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16MD1-6BINTR -
RFQ
ECAD 7668 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA AS4C64 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS4C32M16D3L-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D3L-12BCN 5.5100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C32 sdram -ddr3 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1427 귀 99 8542.32.0028 190 800MHz 휘발성 휘발성 512mbit 20 ns 음주 32m x 16 평행한
AS4C1M16S-6TCN Alliance Memory, Inc. AS4C1M16S-6TCN 2.0619
RFQ
ECAD 9164 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 50TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C1M16 sdram 3V ~ 3.6V 50-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 117 166 MHz 휘발성 휘발성 16mbit 5.4 ns 음주 1m x 16 평행한 2ns
AS4C32M16MS-7BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16MS-7BCNTR -
RFQ
ECAD 5791 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA AS4C2M32 sdram- 모바일 sdram 1.7V ~ 1.95V 54-BGA (9x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS7C513B-15JCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C513B-15JCNTR 4.0025
RFQ
ECAD 9976 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C513 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 500 휘발성 휘발성 512kbit 15 ns SRAM 32k x 16 평행한 15ns
AS4C64M16D2-25BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D2-25BCNTR -
RFQ
ECAD 1939 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA AS4C64 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TFBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS4C512M8D3LB-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LB-12BAN -
RFQ
ECAD 6693 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA AS4C512 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 220 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
AS7C32098A-10TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C32098A-10TCNTR 4.4831
RFQ
ECAD 4285 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C32098 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 2mbit 10 ns SRAM 128k x 16 평행한 10ns
AS4C2M32SA-6TIN Alliance Memory, Inc. AS4C2M32SA-6TIN 4.3507
RFQ
ECAD 9707 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C2M32 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1284 3A991B2A 8542.32.0002 108 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 2m x 32 평행한 2ns
AS7C34096A-10TIN Alliance Memory, Inc. AS7C34096A-10TIN 5.0129
RFQ
ECAD 3018 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34096 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 512k x 8 평행한 10ns
AS6C2008-55TINTR Alliance Memory, Inc. AS6C2008-55TINTR 3.1434
RFQ
ECAD 5689 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) AS6C2008 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 휘발성 휘발성 2mbit 55 ns SRAM 256k x 8 평행한 55ns
AS4C4M16SA-6TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C4M16SA-6tintr 2.4816
RFQ
ECAD 9406 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C4M16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 2ns
AS8C401800-QC150N Alliance Memory, Inc. AS8C401800-QC150N 5.0129
RFQ
ECAD 1879 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp AS8C401800 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 100 150MHz 휘발성 휘발성 4mbit 3.8 ns SRAM 256k x 18 평행한 6.7ns
AS4C8M32SA-7BCN Alliance Memory, Inc. AS4C8M32SA-7BCN 8.3900
RFQ
ECAD 7409 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA AS4C8M32 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 190 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 8m x 32 평행한 2ns
AS4C64M16D2A-25BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D2A-25BCNTR 3.9582
RFQ
ECAD 2527 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA AS4C64 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,500 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS6CE4016B-45ZIN Alliance Memory, Inc. AS6CE4016B-45ZIN 6.8100
RFQ
ECAD 132 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS6CE4016B-45ZIN 귀 99 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 45 ns SRAM 256k x 16 평행한 45ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고