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AS6C62256-55PINTR Alliance Memory, Inc. AS6C62256-55PINTR 3.1757
RFQ
ECAD 2986 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 28-DIP (0.600 ", 15.24mm) sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 28-PDIP 다운로드 1 (무제한) 1450-AS6C62256-55PINTR 1,000 휘발성 휘발성 256kbit 55 ns SRAM 32k x 8 평행한 55ns
AS7C4098A-20JIN Alliance Memory, Inc. AS7C4098A-20JIN 6.6200
RFQ
ECAD 39 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C4098 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 16 휘발성 휘발성 4mbit 20 ns SRAM 256k x 16 평행한 20ns
AS4C2M32S-6TIN Alliance Memory, Inc. AS4C2M32S-6TIN -
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ECAD 8874 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C2M32 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0002 108 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 2m x 32 평행한 2ns
AS8C401801-QC166N Alliance Memory, Inc. AS8C401801-QC166N 4.3972
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ECAD 1914 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp AS8C401801 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 100 166 MHz 휘발성 휘발성 4mbit 3.5 ns SRAM 256k x 18 평행한 6ns
AS4C16M16SA-7BCN Alliance Memory, Inc. AS4C16M16SA-7BCN 5.5800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA AS4C16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1254 귀 99 8542.32.0024 348 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 14ns
AS1C8M16PL-70BINTR Alliance Memory, Inc. AS1C8M16PL-70BINTR 4.4191
RFQ
ECAD 1176 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 49-VFBGA psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 49-FBGA (4x4) 다운로드 3 (168 시간) 1450-AS1C8M16PL-70BINTR 2,000 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 70 ns psram 8m x 16 평행한 -
AS4C32M16SM-7TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16SM-7TCNTR -
RFQ
ECAD 1522 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C2M32 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS4C256M16D3B-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3B-12BIN -
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ECAD 2093 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C256 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (13.5x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1445 귀 99 8542.32.0036 180 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
MT48LC64M8A2TG-75:C Alliance Memory, Inc. MT48LC64M8A2TG-75 : c 15.5000
RFQ
ECAD 177 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC64M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 108 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 64m x 8 평행한 15ns
AS7C1024B-20TJCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C1024B-20TJCNTR 3.3915
RFQ
ECAD 9369 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) AS7C1024 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 20 ns SRAM 128k x 8 평행한 20ns
AS4C256M16D3LC-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3LC-12BANTR 11.0250
RFQ
ECAD 4984 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (7.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS4C256M16D3LC-12BANTR 귀 99 8542.32.0036 2,500 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
AS7C34096A-12TINTR Alliance Memory, Inc. as7c34096a-12tintr 4.5617
RFQ
ECAD 4575 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34096 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 12 ns SRAM 512k x 8 평행한 12ns
AS7C1026C-15JINTR Alliance Memory, Inc. AS7C1026C-15JINTR -
RFQ
ECAD 5183 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C1026 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 64k x 16 평행한 15ns
AS4C64M16D3-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3-12BANTR -
RFQ
ECAD 1620 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C64 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS7C4098A-12JINTR Alliance Memory, Inc. AS7C4098A-12JINTR 4.7627
RFQ
ECAD 5652 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C4098 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 500 휘발성 휘발성 4mbit 12 ns SRAM 256k x 16 평행한 12ns
PC28F128P30BF65A Alliance Memory, Inc. PC28F128P30BF65A 6.9000
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ECAD 6573 0.00000000 Alliance Memory, Inc. Axcell ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-TBGA 플래시 - 아니오 (SLC) 1.7V ~ 2V 64-ESYBGA (10x13) - 3 (168 시간) 1450-PC28F128P30BF65A 96 52MHz 비 비 128mbit 65 ns 플래시 8m x 16 CFI 65ns
AS7C31024B-12TCN Alliance Memory, Inc. AS7C31024B-12TCN 3.7800
RFQ
ECAD 156 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) AS7C31024 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1052 3A991B2B 8542.32.0041 156 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
AS7C34096A-12JINTR Alliance Memory, Inc. AS7C34096A-12Jintr 4.7627
RFQ
ECAD 5500 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 36-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34096 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 36-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 500 휘발성 휘발성 4mbit 12 ns SRAM 512k x 8 평행한 12ns
CY62256NLL-55SNXIT Alliance Memory, Inc. cy62256nll-55snxit 2.9700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Alliance Memory, Inc. Mobl® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28 -Soic - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 256kbit 55 ns SRAM 32k x 8 평행한 55ns
AS4C32M16SA-7TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16SA-7tintr -
RFQ
ECAD 1264 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C2M32 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 143 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 2ns
AS4C128M8D3A-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3A-12BCN -
RFQ
ECAD 7355 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 242 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
AS4C4M16SA-7B2CN Alliance Memory, Inc. AS4C4M16SA-7B2CN 2.5379
RFQ
ECAD 1774 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA AS4C4M16 sdram 3V ~ 3.6V 60-FBGA 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 286 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 2ns
AS7C1026B-10TCN Alliance Memory, Inc. AS7C1026B-10TCN 2.9911
RFQ
ECAD 9392 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C1026 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 1mbit 10 ns SRAM 64k x 16 평행한 10ns
AS7C1025B-15JCNTR Alliance Memory, Inc. as7c1025b-15jcntr 3.1324
RFQ
ECAD 9803 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C1025 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 500 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 128k x 8 평행한 15ns
AS4C128M8D3B-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3B-12BANTR 6.7500
RFQ
ECAD 1618 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,500 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
AS4C64M16D3LA-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3LA-12BCN -
RFQ
ECAD 2926 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C64 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1370 귀 99 8542.32.0032 209 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS4C128M16D3LB-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3LB-12BINTR -
RFQ
ECAD 9740 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-BGA (13x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
AS7C34098A-10TIN Alliance Memory, Inc. AS7C34098A-10TIN 5.8900
RFQ
ECAD 765 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34098 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1064 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 256k x 16 평행한 10ns
AS6C2008A-55TINTR Alliance Memory, Inc. AS6C2008A-55tintr 3.1434
RFQ
ECAD 6245 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) AS6C2008 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 휘발성 휘발성 2mbit 55 ns SRAM 256k x 8 평행한 55ns
AS7C256A-10JCN Alliance Memory, Inc. AS7C256A-10JCN 2.7300
RFQ
ECAD 94 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) AS7C256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 25 휘발성 휘발성 256kbit 10 ns SRAM 32k x 8 평행한 10ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고