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AS4C2M32S-6TIN Alliance Memory, Inc. AS4C2M32S-6TIN -
RFQ
 ECAD 8874 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C2M32 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0002 108 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 2m x 32 평행한 2ns
AS8C401801-QC166N Alliance Memory, Inc. AS8C401801-QC166N 4.3972
RFQ
 ECAD 1914 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp AS8C401801 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 100 166 MHz 휘발성 휘발성 4mbit 3.5 ns SRAM 256k x 18 평행한 6ns
AS4C16M16SA-7BCN Alliance Memory, Inc. AS4C16M16SA-7BCN 5.5800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA AS4C16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1254 귀 99 8542.32.0024 348 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 14ns
AS1C8M16PL-70BINTR Alliance Memory, Inc. AS1C8M16PL-70BINTR 4.4191
RFQ
 ECAD 1176 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 49-VFBGA psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 49-FBGA (4x4) 다운로드 3 (168 시간) 1450-AS1C8M16PL-70BINTR 2,000 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 70 ns psram 8m x 16 평행한 -
AS4C32M16SM-7TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16SM-7TCNTR -
RFQ
 ECAD 1522 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C2M32 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS7C1025B-15JCNTR Alliance Memory, Inc. as7c1025b-15jcntr 3.1324
RFQ
 ECAD 9803 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C1025 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 500 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 128k x 8 평행한 15ns
AS4C128M8D3B-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3B-12BANTR 6.7500
RFQ
 ECAD 1618 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,500 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
AS4C64M16D3LA-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3LA-12BCN -
RFQ
 ECAD 2926 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C64 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1370 귀 99 8542.32.0032 209 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS4C128M16D3LB-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3LB-12BINTR -
RFQ
 ECAD 9740 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-BGA (13x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
AS7C34098A-10TIN Alliance Memory, Inc. AS7C34098A-10TIN 5.8900
RFQ
 ECAD 765 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34098 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1064 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 256k x 16 평행한 10ns
AS6C2008A-55TINTR Alliance Memory, Inc. AS6C2008A-55tintr 3.1434
RFQ
 ECAD 6245 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) AS6C2008 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 휘발성 휘발성 2mbit 55 ns SRAM 256k x 8 평행한 55ns
AS7C256A-12TIN Alliance Memory, Inc. AS7C256A-12TIN 2.2660
RFQ
 ECAD 6831 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS7C256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 256kbit 12 ns SRAM 32k x 8 평행한 12ns
AS4C128M16D2-25BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D2-25BCNTR 11.0250
RFQ
 ECAD 8175 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA AS4C128 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (10.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,500 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 음주 128m x 16 평행한 15ns
AS4C16M16S-7BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C16M16S-7BCNTR -
RFQ
 ECAD 4784 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA AS4C16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 14ns
AS29CF160T-55TIN Alliance Memory, Inc. AS29CF160T-55TIN 8.0302
RFQ
 ECAD 9065 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) AS29CF160 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS29CF160T-55TIN 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 16mbit 55 ns 플래시 2m x 8, 1m x 16 평행한 55ns
AS7C3256A-10TCN Alliance Memory, Inc. AS7C3256A-10TCN 1.9941
RFQ
 ECAD 2238 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS7C3256 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 28-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 256kbit 10 ns SRAM 32k x 8 평행한 10ns
AS4C32M16D2A-25BIN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D2A-25BIN 4.5000
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA AS4C32 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1289 3A991B2A 8542.32.0024 209 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS7C31025B-15TJCN Alliance Memory, Inc. AS7C31025B-15TJCN 3.1724
RFQ
 ECAD 8155 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) AS7C31025 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 22 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 128k x 8 평행한 15ns
AS7C256A-10TIN Alliance Memory, Inc. AS7C256A-10TIN 2.9700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS7C256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 256kbit 10 ns SRAM 32k x 8 평행한 10ns
AS7C164A-15JINTR Alliance Memory, Inc. AS7C164A-15JINTR 2.8952
RFQ
 ECAD 6993 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) AS7C164 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 64kbit 15 ns SRAM 8k x 8 평행한 15ns
AS4C8M16SA-6BAN Alliance Memory, Inc. AS4C8M16SA-6BAN 5.4700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA AS4C8M16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1263 귀 99 8542.32.0002 348 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5 ns 음주 8m x 16 평행한 12ns
AS7C3513B-10JCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C3513B-10JCNTR 4.0025
RFQ
 ECAD 6368 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C3513 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 500 휘발성 휘발성 512kbit 10 ns SRAM 32k x 16 평행한 10ns
AS4C16M16D1-5BIN Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D1-5BIN 5.5000
RFQ
 ECAD 480 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA AS4C16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1119 귀 99 8542.32.0024 240 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
AS4C256M8D3LC-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3LC-12BAN 11.1300
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (7.5x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS4C256M8D3LC-12BAN 귀 99 8542.32.0036 210 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
AS4C32M16SA-7BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16SA-7BCNTR -
RFQ
 ECAD 7487 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA AS4C2M32 sdram 3V ~ 3.6V 54-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 143 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 2ns
AS4C4M16D1A-5TANTR Alliance Memory, Inc. AS4C4M16D1A-5TANTR 3.0606
RFQ
 ECAD 9705 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C4M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 64mbit 700 PS 음주 4m x 16 평행한 15ns
AS6C4008-55TIN Alliance Memory, Inc. AS6C4008-55TIN 5.6200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) AS6C4008 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1030 3A991B2A 8542.32.0041 156 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 512k x 8 평행한 55ns
MT41K512M16HA-125 IT:A TR Alliance Memory, Inc. MT41K512M16HA-125 IT : A TR -
RFQ
 ECAD 3268 0.00000000 Alliance Memory, Inc. Twindie ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K512M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-MT41K512M16HA-125IT : ATR 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 13.75 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
AS4C256M16D3-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3-12BCN -
RFQ
 ECAD 4971 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C256 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1095 귀 99 8542.32.0036 190 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
AS4C256M8D3LA-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3LA-12BINTR -
RFQ
 ECAD 3456 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,500 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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