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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
PC28F256P33BFE Alliance Memory, Inc. PC28F256P33BFE 6.9000
RFQ
 ECAD 3742 0.00000000 Alliance Memory, Inc. Axcell ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga 플래시- m (MLC) 2.3V ~ 3.6V 64-lbga (11x13) - 3 (168 시간) 1450-PC28F256P33BFE 300 52MHz 비 비 256mbit 95 ns 플래시 16m x 16 CFI 95ns
AS4C512M16D3LB-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D3LB-12BCN 28.3700
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C512 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (13.5x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1493 귀 99 8542.32.0036 180 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
AS4C512M16D3LC-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D3LC-12BCN 23.8100
RFQ
 ECAD 180 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C512 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 1450-AS4C512M16D3LC-12BCN 귀 99 8542.32.0036 190 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
AS6C4008-55PCNTR Alliance Memory, Inc. AS6C4008-55PCNTR 4.3451
RFQ
 ECAD 4072 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 구멍을 구멍을 32-DIP (0.600 ", 15.24mm) sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 32-PDIP 다운로드 1 (무제한) 1450-AS6C4008-55PCNTR 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 512k x 8 평행한 55ns
AS6C1616B-55BIN Alliance Memory, Inc. AS6C1616B-55BIN 8.9822
RFQ
 ECAD 4923 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA AS6C1616 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS6C1616B-55BIN 귀 99 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 16mbit 55 ns SRAM 1m x 16 평행한 55ns
AS4C512M8D3LC-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LC-12BCN 8.4579
RFQ
 ECAD 3165 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 AS4C512 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS4C512M8D3LC-12BCN 귀 99 8542.32.0036 242
AS7C1026B-15JCN Alliance Memory, Inc. AS7C1026B-15JCN 3.1724
RFQ
 ECAD 3335 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C1026 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 16 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 64k x 16 평행한 15ns
AS4C512M8D4-75BIN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D4-75BIN 9.3806
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 ECAD 6807 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA AS4C512 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x10.6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS4C512M8D4-75BIN 귀 99 8542.32.0036 242 1.333 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 18 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
AS6C1616B-45BIN Alliance Memory, Inc. AS6C1616B-45BIN 11.0600
RFQ
 ECAD 480 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 1450-AS6C1616B-45BIN 귀 99 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 16mbit 45 ns SRAM 1m x 16 평행한 45ns
MT48LC32M16A2P-75:C TR Alliance Memory, Inc. MT48LC32M16A2P-75 : C TR -
RFQ
 ECAD 6580 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC32M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS4C512M16D3LA-10BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D3LA-10BINTR 26.3250
RFQ
 ECAD 9522 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C512 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (13.5x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS4C512M16D3LA-10BINTR 귀 99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
M45PE16-VMW6TG Alliance Memory, Inc. M45PE16-VMW6TG 1.9700
RFQ
 ECAD 892 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) M45PE16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-M45PE16-VMW6TGTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 75MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 SPI 3ms
AS6C1616-55BINTR Alliance Memory, Inc. AS6C1616-55BINTR -
RFQ
 ECAD 5538 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA AS6C1616 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 16mbit 55 ns SRAM 1m x 16 평행한 55ns
AS4C64M8SA-7TCN Alliance Memory, Inc. AS4C64M8SA-7TCN -
RFQ
 ECAD 7016 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C64 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0024 96 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 64m x 8 평행한 -
AS4C8M32S-6TIN Alliance Memory, Inc. AS4C8M32S-6TIN 6.3289
RFQ
 ECAD 3987 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C8M32 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1337 귀 99 8542.32.0024 108 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 평행한 -
AS7C351232-10BIN Alliance Memory, Inc. AS7C351232-10BIN 25.0000
RFQ
 ECAD 240 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA AS7C351232 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 240 휘발성 휘발성 16mbit 10 ns SRAM 512k x 32 평행한 10ns
AS7C34098B-10TIN Alliance Memory, Inc. AS7C34098B-10TIN 5.3647
RFQ
 ECAD 2265 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34098 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 256k x 16 평행한 10ns
AS4C8M16SA-7TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C8M16SA-7TCNTR 2.6470
RFQ
 ECAD 1530 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C8M16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 14ns
AS7C31026B-10TCN Alliance Memory, Inc. AS7C31026B-10TCN 2.9911
RFQ
 ECAD 6208 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C31026 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 1mbit 10 ns SRAM 64k x 16 평행한 10ns
AS5F34G04SND-08LIN Alliance Memory, Inc. AS5F34G04SND-08LIN -
RFQ
 ECAD 8339 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-WLGA AS5F34 플래시 -Nand (SLC) 3V ~ 3.6V 8-LGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS5F34G04SND-08LIN 3A991B1A 8542.32.0071 352 120MHz 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 spi-쿼드 i/o 700µs
PC28F256P30BFF Alliance Memory, Inc. PC28F256P30BFF 6.9000
RFQ
 ECAD 6373 0.00000000 Alliance Memory, Inc. Strataflash ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA 플래시- m (MLC) 1.7V ~ 2V 64-ESYBGA (10x13) - 3 (168 시간) 1450-PC28F256P30BFFTR 2,000 52MHz 비 비 256mbit 100 ns 플래시 16m x 16 CFI -
AS8C803601-QC150N Alliance Memory, Inc. AS8C803601-QC150N 8.4670
RFQ
 ECAD 5133 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp AS8C803601 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 100 150MHz 휘발성 휘발성 9mbit 3.8 ns SRAM 256k x 36 평행한 6.7ns
AS4C64M16D3-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3-12BCN -
RFQ
 ECAD 7612 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C64 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (13x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1111 귀 99 8542.32.0032 190 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS4C128M16D3L-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3L-12BAN 6.6800
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-BGA (13x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1306 귀 99 8542.32.0036 190 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
AS4C64M8D1-5TCN Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D1-5TCN 3.8975
RFQ
 ECAD 2293 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C64 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1328 귀 99 8542.32.0028 108 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
AS4C1G8D3LA-10BANTR Alliance Memory, Inc. as4c1g8d3la-10bantr 25.2035
RFQ
 ECAD 8499 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x10.5) 다운로드 3 (168 시간) 1450-AS4C1G8D3LA-10BANTR 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 1g x 8 평행한 15ns
AS4C16M16D2-25BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D2-25BINTR 3.5191
RFQ
 ECAD 5725 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA AS4C16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TFBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,500 400MHz 휘발성 휘발성 256mbit 400 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
AS7C3256A-15JIN Alliance Memory, Inc. AS7C3256A-15JIN 2.2660
RFQ
 ECAD 8024 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) AS7C3256 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 28-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 25 휘발성 휘발성 256kbit 15 ns SRAM 32k x 8 평행한 15ns
AS4C256M16D3LB-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3LB-12BAN -
RFQ
 ECAD 7252 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (13.5x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 180 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
AS7C3256A-10JINTR Alliance Memory, Inc. AS7C3256A-10Jintr 2.0183
RFQ
 ECAD 4102 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) AS7C3256 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 28-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 256kbit 10 ns SRAM 32k x 8 평행한 10ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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