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N25Q064A13EF8A0F Alliance Memory, Inc. N25Q064A13EF8A0F 1.7500
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 N25Q064A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (mlp8) (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-N25Q064A13EF8A0FTR 3A991B 8542.32.0071 4,000 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI 5ms
AS7C31025B-12JCN Alliance Memory, Inc. AS7C31025B-12JCN 3.1724
RFQ
 ECAD 1641 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C31025 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 21 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
AS7C316096B-10TIN Alliance Memory, Inc. AS7C316096B-10TIN 19.4097
RFQ
 ECAD 7368 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C316096 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1133-5 3A991B2A 8542.32.0041 156 휘발성 휘발성 16mbit 10 ns SRAM 2m x 8 평행한 10ns
AS4C4M16S-6TIN Alliance Memory, Inc. AS4C4M16S-6TIN -
RFQ
 ECAD 6138 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C4M16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1008 귀 99 8542.32.0002 108 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 2ns
AS4C512M8D3LB-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LB-12BANTR -
RFQ
 ECAD 7882 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA AS4C512 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,500 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
AS4C8M32MSB-6BIN Alliance Memory, Inc. AS4C8M32MSB-6BIN 7.9600
RFQ
 ECAD 240 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA AS4C8M32 sdram 1.7V ~ 1.95V 90-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS4C8M32MSB-6BIN 귀 99 8542.32.0024 240 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
AS4C4M16SA-6TAN Alliance Memory, Inc. AS4C4M16SA-6TAN 3.8900
RFQ
 ECAD 662 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C4M16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1258 귀 99 8542.32.0002 108 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 2ns
AS4C16M16MSB-6BIN Alliance Memory, Inc. AS4C16M16MSB-6BIN 7.2100
RFQ
 ECAD 319 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA sdram- 모바일 sdram 1.7V ~ 1.95V 54-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 1450-AS4C16M16MSB-6BIN 319 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 16m x 16 LVCMOS 15ns
AS6C4008-55TINTR Alliance Memory, Inc. AS6C4008-55TINTR 4.0898
RFQ
 ECAD 1756 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) AS6C4008 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 512k x 8 평행한 55ns
AS7C31024B-10TJCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C31024B-10TJCNTR 2.9779
RFQ
 ECAD 2396 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) AS7C31024 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 10 ns SRAM 128k x 8 평행한 10ns
AS4C128M8D3LC-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3LC-12BIN 7.1700
RFQ
 ECAD 210 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (7.5x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 1450-AS4C128M8D3LC-12BIN 귀 99 8542.32.0032 210 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
AS4C8M32MD2A-25BCN Alliance Memory, Inc. AS4C8M32MD2A-25BCN 5.5100
RFQ
 ECAD 1861 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -20 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 134-VFBGA AS4C8M32 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 134-FBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 171 400MHz 휘발성 휘발성 256mbit 음주 8m x 32 평행한 15ns
CY62256NLL-55SNXIT Alliance Memory, Inc. cy62256nll-55snxit 2.9700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Alliance Memory, Inc. Mobl® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28 -Soic - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 256kbit 55 ns SRAM 32k x 8 평행한 55ns
AS4C512M16D4-75BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D4-75BINTR 10.8395
RFQ
 ECAD 3325 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (7.5x13) 다운로드 3 (168 시간) 1450-AS4C512M16D4-75BINTR 2,500 1.333 GHz 휘발성 휘발성 8gbit 18 ns 음주 512m x 16 현물 현물 지불 15ns
AS4C8M32S-6BIN Alliance Memory, Inc. AS4C8M32S-6BIN -
RFQ
 ECAD 1425 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA AS4C8M32 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0002 190 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5 ns 음주 8m x 32 평행한 2ns
AS7C4098A-20TCN Alliance Memory, Inc. AS7C4098A-20TCN 5.2767
RFQ
 ECAD 5855 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C4098 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 20 ns SRAM 256k x 16 평행한 20ns
AS4C64M16D2A-25BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D2A-25BCNTR 3.9582
RFQ
 ECAD 2527 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA AS4C64 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,500 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS4C64M16MD1-5BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16MD1-5BINTR -
RFQ
 ECAD 6609 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA AS4C64 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS7C1024C-12JIN Alliance Memory, Inc. AS7C1024C-12JIN -
RFQ
 ECAD 7232 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C1024 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 23 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
AS7C1025C-15JIN Alliance Memory, Inc. AS7C1025C-15JIN -
RFQ
 ECAD 6092 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C1025 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 23 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 128k x 8 평행한 15ns
AS6C1616B-45TIN Alliance Memory, Inc. AS6C1616B-45TIN 12.7600
RFQ
 ECAD 123 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS6C1616B-45TIN 귀 99 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 16mbit 45 ns SRAM 1m x 16 평행한 45ns
AS4C2M32S-6TIN Alliance Memory, Inc. AS4C2M32S-6TIN -
RFQ
 ECAD 8874 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C2M32 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0002 108 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 2m x 32 평행한 2ns
AS7C31026C-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS7C31026C-12BINTR -
RFQ
 ECAD 7844 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA AS7C31026 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 48-BGA (7x7) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 1,500 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 64k x 16 평행한 12ns
AS7C31026C-12TINTR Alliance Memory, Inc. as7c31026c-12tintr -
RFQ
 ECAD 7332 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C31026 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,500 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 64k x 16 평행한 12ns
AS4C32M16SC-7TIN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16SC-7TIN 16.0200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C32 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1467 귀 99 8542.32.0028 108 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 17 ns 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS4C256M8D3LA-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3LA-12BCNTR -
RFQ
 ECAD 8182 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,500 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
AS6C4008-55PIN Alliance Memory, Inc. AS6C4008-55PIN 6.0900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 32-DIP (0.600 ", 15.24mm) AS6C4008 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 32-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 13 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 512k x 8 평행한 55ns
AS7C513B-15JCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C513B-15JCNTR 4.0025
RFQ
 ECAD 9976 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C513 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 500 휘발성 휘발성 512kbit 15 ns SRAM 32k x 16 평행한 15ns
AS6C2008A-55TINTR Alliance Memory, Inc. AS6C2008A-55tintr 3.1434
RFQ
 ECAD 6245 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) AS6C2008 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 휘발성 휘발성 2mbit 55 ns SRAM 256k x 8 평행한 55ns
AS4C256M16MD4-062BAN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16MD4-062BAN 16.9500
RFQ
 ECAD 1151 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA AS4C256 sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-FBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS4C256M16MD4-062BAN 귀 99 8542.32.0036 136 1.6GHz 휘발성 휘발성 4gbit 3.5 ns 음주 256m x 16 lvstl 18ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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