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AS4C4M16S-6TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C4M16S-6TCNTR -
RFQ
ECAD 9122 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C4M16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 2ns
AS4C256M8D2A-25BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D2A-25BCNTR 9.4430
RFQ
ECAD 7142 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 3 (168 시간) 1450-AS4C256M8D2A-25BCNTR 2,500 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 400 PS 음주 256m x 8 SSTL_18 15ns
U62256ADC07LLG1 Alliance Memory, Inc. U62256ADC07LLG1 -
RFQ
ECAD 9048 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 구멍을 구멍을 28-DIP (0.600 ", 15.24mm) U62256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 15 휘발성 휘발성 256kbit 70 ns SRAM 32k x 8 평행한 70ns
AS7C1024B-12TJINTR Alliance Memory, Inc. as7c1024b-12tjintr -
RFQ
ECAD 6657 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) AS7C1024 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
AS4C64M8D3-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D3-12BINTR 4.2627
RFQ
ECAD 8345 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TA) 표면 표면 78-VFBGA AS4C64 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 800MHz 휘발성 휘발성 512mbit 20 ns 음주 64m x 8 평행한
AS7C1026C-15JINTR Alliance Memory, Inc. AS7C1026C-15JINTR -
RFQ
ECAD 5183 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C1026 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 64k x 16 평행한 15ns
AS7C256A-12TIN Alliance Memory, Inc. AS7C256A-12TIN 2.2660
RFQ
ECAD 6831 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS7C256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 256kbit 12 ns SRAM 32k x 8 평행한 12ns
AS6C62256-55PINTR Alliance Memory, Inc. AS6C62256-55PINTR 3.1757
RFQ
ECAD 2986 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 28-DIP (0.600 ", 15.24mm) sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 28-PDIP 다운로드 1 (무제한) 1450-AS6C62256-55PINTR 1,000 휘발성 휘발성 256kbit 55 ns SRAM 32k x 8 평행한 55ns
AS4C64M32MD1A-5BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M32MD1A-5BINTR 5.6504
RFQ
ECAD 4869 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 90-VFBGA sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-FBGA (8x13) 다운로드 3 (168 시간) 1450-AS4C64M32MD1A-5BINTR 2,000 200MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5 ns 음주 64m x 32 평행한 15ns
MT48LC64M8A2P-75:C TR Alliance Memory, Inc. MT48LC64M8A2P-75 : C TR 15.3000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC64M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 64m x 8 평행한 15ns
AS4C4M16SA-6TIN Alliance Memory, Inc. AS4C4M16SA-6TIN 3.2300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C4M16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1260 귀 99 8542.32.0002 108 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 2ns
AS7C4096A-20TIN Alliance Memory, Inc. AS7C4096A-20TIN 5.2767
RFQ
ECAD 9896 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C4096 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 20 ns SRAM 512k x 8 평행한 20ns
AS4C2M32S-6TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C2M32S-6tintr -
RFQ
ECAD 5972 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C2M32 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 2m x 32 평행한 2ns
AS4C16M16S-7BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C16M16S-7BCNTR -
RFQ
ECAD 4784 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA AS4C16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 14ns
MT48LC64M8A2TG-75:C Alliance Memory, Inc. MT48LC64M8A2TG-75 : c 15.5000
RFQ
ECAD 177 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC64M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 108 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 64m x 8 평행한 15ns
AS4C64M32MD2A-25BIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M32MD2A-25BIN 10.4100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-VFBGA AS4C64 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 134-FBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1472 귀 99 8542.32.0036 171 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 음주 64m x 32 평행한 15ns
AS4C256M16D3L-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3L-12BAN -
RFQ
ECAD 7930 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 190 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
AS4C32M8SA-7TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M8SA-7TCNTR 3.3915
RFQ
ECAD 5815 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C32 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8523.51.0000 1,000 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 32m x 8 평행한 -
AS4C256M8D3A-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3A-12BAN -
RFQ
ECAD 4507 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C256 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 242 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
AS7C31025B-15JCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C31025B-15JCNTR 2.9779
RFQ
ECAD 3401 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C31025 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 128k x 8 평행한 15ns
AS4C64M16D3LC-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3LC-12BCN 5.8400
RFQ
ECAD 198 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C64 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (7.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 1450-AS4C64M16D3LC-12BCN 귀 99 8542.32.0032 198 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS6C8016-55TIN Alliance Memory, Inc. AS6C8016-55TIN 7.0985
RFQ
ECAD 8374 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) AS6C8016 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 96 휘발성 휘발성 8mbit 55 ns SRAM 512k x 16 평행한 55ns
AS4C512M8D4-75BCN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D4-75BCN 11.2300
RFQ
ECAD 334 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA AS4C512 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x10.6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS4C512M8D4-75BCN 귀 99 8542.32.0036 242 1.333 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 18 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
M29W640GH70ZA6E Alliance Memory, Inc. M29W640GH70ZA6E 3.3100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA M29W640 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-M29W640GH70ZA6E 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 비 비 64mbit 70 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 CFI 70ns
AS9F18G08SA-45BAN Alliance Memory, Inc. AS9F18G08SA-45BAN 8.1900
RFQ
ECAD 210 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 63-FBGA (9x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 1450-AS9F18G08SA-45BAN 210 비 비 4gbit 30 ns 플래시 512m x 8 평행한 45ns, 700µs
AS6C4008-55SINTR Alliance Memory, Inc. AS6C4008-55SINTR 5.6100
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-SOIC (0.445 ", 11.30mm 너비) AS6C4008 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 32-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 512k x 8 평행한 55ns
AS4C32M16D1-5TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D1-5TCNTR -
RFQ
ECAD 9353 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C2M32 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS4C512M8D3A-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3A-12BAN -
RFQ
ECAD 4476 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C512 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (9x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 220 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
AS4C64M16D3LB-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3LB-12BANTR 6.2250
RFQ
ECAD 3708 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C64 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS7C3513B-15TCN Alliance Memory, Inc. AS7C3513B-15TCN 4.1694
RFQ
ECAD 2428 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C3513 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 512kbit 15 ns SRAM 32k x 16 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고