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AS6C2008A-55STINTR Alliance Memory, Inc. AS6C2008A-55STINTR 3.1434
RFQ
 ECAD 7189 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-LFSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS6C2008 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 32-Stsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 휘발성 휘발성 2mbit 55 ns SRAM 256k x 8 평행한 55ns
AS7C34098A-10JIN Alliance Memory, Inc. AS7C34098A-10JIN 6.2900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34098 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 16 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 256k x 16 평행한 10ns
AS7C1024B-15TJIN Alliance Memory, Inc. AS7C1024B-15TJIN 3.2631
RFQ
 ECAD 6589 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) AS7C1024 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 22 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 128k x 8 평행한 15ns
AS4C256M8D3A-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3A-12BCNTR -
RFQ
 ECAD 9617 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 90 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C256 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,500 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
AS4C64M16D3-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3-12BAN -
RFQ
 ECAD 9495 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-FBGA AS4C64 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (13x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1110 귀 99 8542.32.0032 190 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS4C1G8D3LA-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C1G8D3LA-12BIN -
RFQ
 ECAD 1552 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x10.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 1450-AS4C1G8D3LA-12BIN 220 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 1g x 8 평행한 -
AS6C1608B-45BINTR Alliance Memory, Inc. AS6C1608B-45BINTR 9.6000
RFQ
 ECAD 6858 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA AS6C1608 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS6C1608B-45BINTR 귀 99 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 16mbit 45 ns SRAM 2m x 8 평행한 45ns
AS4C4M32D1A-5BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C4M32D1A-5BCNTR 3.7224
RFQ
 ECAD 7819 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 144-LFBGA AS4C4M32 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 144-LFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 200MHz 휘발성 휘발성 128mbit 700 PS 음주 4m x 32 평행한 12ns
AS6C3216A-55BIN Alliance Memory, Inc. AS6C3216A-55BIN 20.2706
RFQ
 ECAD 8380 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA AS6C3216 SRAM 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 220 휘발성 휘발성 32mbit 55 ns SRAM 2m x 16 평행한 55ns
PC28F512P30TFB Alliance Memory, Inc. PC28F512P30TFB 7.6500
RFQ
 ECAD 2679 0.00000000 Alliance Memory, Inc. Axcell ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga 플래시- m (MLC) 1.7V ~ 2V 64-lbga (11x13) - 3 (168 시간) 1450-PC28F512P30TFBTR 2,000 40MHz 비 비 512mbit 100 ns 플래시 32m x 16 CFI -
AS7C31025C-12TJINTR Alliance Memory, Inc. as7c31025c-12tjintr -
RFQ
 ECAD 1164 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) AS7C31025 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
AS4C128M8D3LB-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3LB-12BAN 7.3817
RFQ
 ECAD 4509 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 242 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
AS4C32M16D2A-25BIN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D2A-25BIN 4.5000
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA AS4C32 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1289 3A991B2A 8542.32.0024 209 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS6C8016-55ZIN Alliance Memory, Inc. AS6C8016-55ZIN 7.8500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS6C8016 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 8mbit 55 ns SRAM 512k x 16 평행한 55ns
AS7C4098A-20JINTR Alliance Memory, Inc. AS7C4098A-20JINTR 5.0090
RFQ
 ECAD 7207 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C4098 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 500 휘발성 휘발성 4mbit 20 ns SRAM 256k x 16 평행한 20ns
AS4C32M16SM-7TIN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16SM-7tin -
RFQ
 ECAD 1711 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C2M32 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1125 귀 99 8542.32.0028 108 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS4C256M16D3LA-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3LA-12BAN -
RFQ
 ECAD 5261 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 190 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
AS7C4098A-20TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C4098A-20TCNTR 4.7977
RFQ
 ECAD 8252 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C4098 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 20 ns SRAM 256k x 16 평행한 20ns
AS7C34096A-12TINTR Alliance Memory, Inc. as7c34096a-12tintr 4.5617
RFQ
 ECAD 4575 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34096 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 12 ns SRAM 512k x 8 평행한 12ns
AS7C164A-15PIN Alliance Memory, Inc. AS7C164A-15PIN 4.3973
RFQ
 ECAD 4720 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 28-DIP (0.300 ", 7.62mm) AS7C164 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 15 휘발성 휘발성 64kbit 15 ns SRAM 8k x 8 평행한 15ns
AS4C16M16D1-5BCN Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D1-5BCN 4.9200
RFQ
 ECAD 720 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA AS4C16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1093 귀 99 8542.32.0024 240 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
AS4C4M16SA-7B2CN Alliance Memory, Inc. AS4C4M16SA-7B2CN 2.5379
RFQ
 ECAD 1774 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA AS4C4M16 sdram 3V ~ 3.6V 60-FBGA 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 286 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 2ns
AS7C3256A-15TIN Alliance Memory, Inc. AS7C3256A-15TIN 2.1753
RFQ
 ECAD 5440 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS7C3256 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 28-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 256kbit 15 ns SRAM 32k x 8 평행한 15ns
AS4C16M32MSB-6BIN Alliance Memory, Inc. AS4C16M32MSB-6BIN 8.2800
RFQ
 ECAD 187 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA AS4C16 sdram 1.7V ~ 1.95V 90-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS4C16M32MSB-6BIN 귀 99 8542.32.0028 190 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.5 ns 음주 16m x 32 평행한 15ns
AS7C31024B-12JCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C31024B-12JCNTR 2.9779
RFQ
 ECAD 5401 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C31024 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
AS4C8M16S-6BIN Alliance Memory, Inc. AS4C8M16S-6BIN -
RFQ
 ECAD 4896 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA AS4C8M16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1079 3A991B2A 8542.32.0002 348 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5 ns 음주 8m x 16 평행한 2ns
AS7C1025B-12JCN Alliance Memory, Inc. AS7C1025B-12JCN 3.1724
RFQ
 ECAD 4171 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C1025 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1045 3A991B2B 8542.32.0041 21 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
AS4C8M16SA-7BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C8M16SA-7BCNTR 3.4484
RFQ
 ECAD 2912 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA AS4C8M16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 14ns
M29W640GB6AZA6E Alliance Memory, Inc. M29W640GB6AZA6E 3.5300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA M29W640 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-M29W640GB6AZA6E 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 비 비 64mbit 60 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 CFI 60ns
AS6C1016-55ZIN Alliance Memory, Inc. AS6C1016-55ZIN 3.6600
RFQ
 ECAD 87 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS6C1016 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1021 귀 99 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 1mbit 55 ns SRAM 64k x 16 평행한 55ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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