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AS4C32M16MD1A-5BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16MD1A-5BCNTR 4.1866
RFQ
 ECAD 1184 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TJ) 표면 표면 60-VFBGA AS4C32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
U62256AS2C07LLG1TR Alliance Memory, Inc. U62256AS2C07llg1tr -
RFQ
 ECAD 3746 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-SOIC (0.330 ", 8.38mm 너비) U62256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 256kbit 70 ns SRAM 32k x 8 평행한 70ns
AS4C128M16D3A-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3A-12BAN -
RFQ
 ECAD 4461 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1372 귀 99 8542.32.0036 209 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
AS4C128M16D3L-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3L-12BAN 6.6800
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-BGA (13x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1306 귀 99 8542.32.0036 190 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
MT46V32M16TG-5B IT:JTR Alliance Memory, Inc. MT46V32M16TG-5B IT : JTR -
RFQ
 ECAD 8705 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS7C1024B-12JCN Alliance Memory, Inc. AS7C1024B-12JCN 4.0100
RFQ
 ECAD 158 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C1024 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1042 3A991B2B 8542.32.0041 21 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
AS7C34098A-12JCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C34098A-12JCNTR 4.7627
RFQ
 ECAD 9611 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34098 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 500 휘발성 휘발성 4mbit 12 ns SRAM 256k x 16 평행한 12ns
AS4C256M16D3B-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3B-12BAN -
RFQ
 ECAD 4283 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C256 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (13.5x9) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1444 귀 99 8542.32.0036 180 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
AS7C1025B-12JCNTR Alliance Memory, Inc. as7c1025b-12jcntr 3.1324
RFQ
 ECAD 7631 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C1025 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 500 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
AS4C32M32MD1-5BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M32MD1-5BINTR -
RFQ
 ECAD 2565 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) 표면 표면 90-VFBGA AS4C2M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.9V 90-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 32m x 32 평행한 15ns
AS4C4M32S-6TIN Alliance Memory, Inc. AS4C4M32S-6TIN -
RFQ
 ECAD 2686 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C4M32 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0002 108 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.5 ns 음주 4m x 32 평행한 2ns
AS7C31024B-12TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C31024B-12TCNTR 2.8125
RFQ
 ECAD 7412 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) AS7C31024 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
AS7C325632-10BIN Alliance Memory, Inc. AS7C325632-10BIN 20.2400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA AS7C325632 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1434 3A991B2A 8542.32.0041 240 휘발성 휘발성 8mbit 10 ns SRAM 1m x 8 평행한 10ns
AS7C1026B-15JINTR Alliance Memory, Inc. AS7C1026B-15JINTR 3.0606
RFQ
 ECAD 8114 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C1026 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 64k x 16 평행한 15ns
AS6C4016A-55BIN Alliance Memory, Inc. AS6C4016A-55BIN -
RFQ
 ECAD 3776 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA AS6C4016 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 256k x 16 평행한 55ns
AS4C16M16D2-25BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D2-25BCNTR 3.0281
RFQ
 ECAD 4777 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA AS4C16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TFBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,500 400MHz 휘발성 휘발성 256mbit 400 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
M29W320DB7AZA6F Alliance Memory, Inc. M29W320DB7aza6f 4.9700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA M29W320 플래시 - 블록 부트 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-M29W320DB7aza6ftr 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 비 비 32mbit 70 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 CFI 70ns
AS4C256M8D2-25BCN Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D2-25BCN 12.4067
RFQ
 ECAD 2697 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA AS4C256 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 136 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 57.5 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
AS6C1616-70BINTR Alliance Memory, Inc. AS6C1616-70BINTR -
RFQ
 ECAD 2341 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA AS6C1616 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 16mbit 70 ns SRAM 1m x 16 평행한 70ns
AS7C4096A-15TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C4096A-15TCNTR 4.5617
RFQ
 ECAD 1057 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C4096 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 15 ns SRAM 512k x 8 평행한 15ns
AS4C512M8D3LB-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LB-12BINTR -
RFQ
 ECAD 4053 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA AS4C512 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,500 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
AS7C34096A-20JCNTR Alliance Memory, Inc. as7c34096a-20jcntr 5.0090
RFQ
 ECAD 3105 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 36-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34096 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 36-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 500 휘발성 휘발성 4mbit 20 ns SRAM 512k x 8 평행한 20ns
AS4C64M8SC-7TIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M8SC-7TIN 17.1100
RFQ
 ECAD 557 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C64 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1469 귀 99 8542.32.0028 108 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 17 ns 음주 64m x 8 평행한 15ns
AS7C256A-10TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C256A-10TCNTR 1.9342
RFQ
 ECAD 2690 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS7C256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 256kbit 10 ns SRAM 32k x 8 평행한 10ns
AS7C3256A-10JCN Alliance Memory, Inc. AS7C3256A-10JCN 2.7300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) AS7C3256 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 28-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 25 휘발성 휘발성 256kbit 10 ns SRAM 32k x 8 평행한 10ns
AS7C3256A-12TCN Alliance Memory, Inc. AS7C3256A-12TCN 2.6100
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS7C3256 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 28-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1059 귀 99 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 256kbit 12 ns SRAM 32k x 8 평행한 12ns
AS4C8M32MSA-6BIN Alliance Memory, Inc. AS4C8M32MSA-6BIN 6.4144
RFQ
 ECAD 9720 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA AS4C8M32 sdram- 모바일 1.14V ~ 1.95V 90-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1457 귀 99 8542.32.0024 190 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
AS7C34098A-20TIN Alliance Memory, Inc. AS7C34098A-20TIN 5.2767
RFQ
 ECAD 5723 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34098 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 20 ns SRAM 256k x 16 평행한 20ns
AS7C316096B-10BINTR Alliance Memory, Inc. AS7C316096B-10BINTR 18.8250
RFQ
 ECAD 3526 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA AS7C316096 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 16mbit 10 ns SRAM 2m x 8 평행한 10ns
AS6C4016A-45BIN Alliance Memory, Inc. AS6C4016A-45BIN -
RFQ
 ECAD 8918 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA AS6C4016 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 48-VFBGA (6x7) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 4mbit 45 ns SRAM 256k x 16 평행한 45ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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