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AS4C64M8D1-5BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D1-5BINTR 4.1866
RFQ
ECAD 1743 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA AS4C64 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
AS6C62256-55PCN Alliance Memory, Inc. AS6C62256-55PCN 6.0300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 구멍을 구멍을 28-DIP (0.600 ", 15.24mm) AS6C62256 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 28-PDIP 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1450-1033 귀 99 8542.32.0041 15 휘발성 휘발성 256kbit 55 ns SRAM 32k x 8 평행한 55ns
AS7C32096A-10TCN Alliance Memory, Inc. AS7C32096A-10TCN 5.0129
RFQ
ECAD 5400 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C32096 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 2mbit 10 ns SRAM 256k x 8 평행한 10ns
AS4C8M16SA-7TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C8M16SA-7TCNTR 2.6470
RFQ
ECAD 1530 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C8M16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 14ns
MT46V32M16TG-5B IT:JTR Alliance Memory, Inc. MT46V32M16TG-5B IT : JTR -
RFQ
ECAD 8705 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS4C512M8D3A-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3A-12BANTR -
RFQ
ECAD 1039 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C512 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (9x10.5) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,500 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
AS4C4M32D1-5BCN Alliance Memory, Inc. AS4C4M32D1-5BCN -
RFQ
ECAD 8368 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 - AS4C4M32 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 144-bga - ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1323 귀 99 8542.32.0002 189 200MHz 휘발성 휘발성 128mbit 700 PS 음주 4m x 32 평행한 12ns
AS6C3216-55BINTR Alliance Memory, Inc. AS6C3216-55BINTR -
RFQ
ECAD 8311 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA AS6C3216 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (8x10) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 32mbit 55 ns SRAM 2m x 16 평행한 55ns
AS6C3216A-55TIN Alliance Memory, Inc. AS6C3216A-55TIN 23.2300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) AS6C3216 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1414 3A991B2A 8542.32.0041 156 휘발성 휘발성 32mbit 55 ns SRAM 2m x 16 평행한 55ns
AS4C256M16D3-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3-12BCNTR -
RFQ
ECAD 2033 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C256 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (9x13) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
AS4C64M32MD2-25BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M32MD2-25BCNTR -
RFQ
ECAD 8059 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 134-VFBGA AS4C64 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 134-FBGA (10x11.5) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 음주 64m x 32 평행한 15ns
AS7C34098A-15JINTR Alliance Memory, Inc. AS7C34098A-15JINTR 4.7627
RFQ
ECAD 4179 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34098 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 500 휘발성 휘발성 4mbit 15 ns SRAM 256k x 16 평행한 15ns
AS4C32M16D1-5BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D1-5BCNTR 3.8060
RFQ
ECAD 6244 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA AS4C32 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-bga 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS7C31025B-12JINTR Alliance Memory, Inc. as7c31025b-12jintr 3.0606
RFQ
ECAD 5282 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C31025 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-SOJ 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
AS4C2M32S-7BCN Alliance Memory, Inc. AS4C2M32S-7BCN 4.2400
RFQ
ECAD 190 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA AS4C2M32 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0002 190 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 2m x 32 평행한 2ns
AS7C38096A-10TIN Alliance Memory, Inc. AS7C38096A-10TIN 15.5000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C38096 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1067 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 8mbit 10 ns SRAM 1m x 8 평행한 10ns
AS4C128M16D3-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3-12BCNTR -
RFQ
ECAD 6556 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (9x13) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
AS4C64M8D2-25BCN Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D2-25BCN 4.2446
RFQ
ECAD 3365 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA AS4C64 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1128 귀 99 8542.32.0028 264 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
AS4C4M32S-6BIN Alliance Memory, Inc. AS4C4M32S-6BIN 6.3000
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA AS4C4M32 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0002 190 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 2ns
M25P16-VMN3TPB Alliance Memory, Inc. M25P16-VMN3TPB 0.7747
RFQ
ECAD 6183 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 도 8- - 3 (168 시간) 1450-M25P16-VMN3TPBTR 2,500 75MHz 비 비 16mbit 6 ns 플래시 2m x 8 SPI 5ms
AS7C1026B-15JINTR Alliance Memory, Inc. AS7C1026B-15JINTR 3.0606
RFQ
ECAD 8114 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C1026 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-SOJ 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 64k x 16 평행한 15ns
AS6C1616A-55BINTR Alliance Memory, Inc. AS6C1616A-55BINTR -
RFQ
ECAD 8583 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA AS6C1616 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 48-FPBGA (10x8) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 16mbit 55 ns SRAM 1m x 16 평행한 55ns
AS4C1M16S-6TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C1M16S-6TCNTR 1.9342
RFQ
ECAD 6742 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 50TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C1M16 sdram 3V ~ 3.6V 50-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 16mbit 5.4 ns 음주 1m x 16 평행한 2ns
AS7C1026B-15TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C1026B-15TCNTR 2.8125
RFQ
ECAD 8166 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C1026 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP2 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 64k x 16 평행한 15ns
AS7C32096A-12TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C32096A-12TCNTR 4.4831
RFQ
ECAD 6420 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C32096 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 2mbit 12 ns SRAM 256k x 8 평행한 12ns
AS4C4M16D1A-5TAN Alliance Memory, Inc. AS4C4M16D1A-5TAN -
RFQ
ECAD 4330 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C4M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1316 귀 99 8542.32.0002 108 200MHz 휘발성 휘발성 64mbit 700 PS 음주 4m x 16 평행한 15ns
AS7C34098A-12TIN Alliance Memory, Inc. AS7C34098A-12TIN 5.0129
RFQ
ECAD 2850 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34098 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 12 ns SRAM 256k x 16 평행한 12ns
PC28F640P33BF60A Alliance Memory, Inc. PC28F640P33BF60A 5.6300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Alliance Memory, Inc. Axcell ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-TBGA PC28F640 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-PC28F640P33BF60A 3A991B1A 8542.32.0071 300 52MHz 비 비 64mbit 60 ns 플래시 4m x 16 평행한 60ns
AS7C4096A-15TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C4096A-15TCNTR 4.5617
RFQ
ECAD 1057 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C4096 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP2 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 15 ns SRAM 512k x 8 평행한 15ns
AS4C16M16D2-25BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D2-25BCNTR 3.0281
RFQ
ECAD 4777 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA AS4C16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TFBGA (8x12.5) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,500 400MHz 휘발성 휘발성 256mbit 400 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고