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AS4C128M8D3-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3-12BCNTR -
RFQ
 ECAD 6887 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA AS4C128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
AS4C32M16SA-7BCN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16SA-7BCN -
RFQ
 ECAD 8021 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA AS4C2M32 sdram 3V ~ 3.6V 54-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1300 귀 99 8542.32.0028 348 143 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 2ns
AS4C16M16D1A-5TIN Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D1A-5tin 3.7162
RFQ
 ECAD 5875 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1282 3A991B2A 8542.32.0024 108 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT48LC32M16A2TG-75:IT:C Alliance Memory, Inc. MT48LC32M16A2TG-75 : IT : c -
RFQ
 ECAD 4036 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC32M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 108 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS7C3256A-20TCN Alliance Memory, Inc. AS7C3256A-20TCN 2.1753
RFQ
 ECAD 3935 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS7C3256 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 28-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 256kbit 20 ns SRAM 32k x 8 평행한 20ns
AS4C2M32D1-5BIN Alliance Memory, Inc. AS4C2M32D1-5BIN -
RFQ
 ECAD 7288 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - AS4C2M32 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 144-bga - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1320 귀 99 8542.32.0002 189 200MHz 휘발성 휘발성 64mbit 700 PS 음주 2m x 32 평행한 15ns
AS6C4016A-55ZINTR Alliance Memory, Inc. as6c4016a-55zintr -
RFQ
 ECAD 2687 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS6C4016 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 256k x 16 평행한 55ns
AS7C256A-20JIN Alliance Memory, Inc. AS7C256A-20JIN 2.5379
RFQ
 ECAD 6084 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) AS7C256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 25 휘발성 휘발성 256kbit 20 ns SRAM 32k x 8 평행한 20ns
AS4C64M8SA-7TCN Alliance Memory, Inc. AS4C64M8SA-7TCN -
RFQ
 ECAD 7016 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C64 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0024 96 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 64m x 8 평행한 -
AS4C32M16D2-25BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D2-25BINTR -
RFQ
 ECAD 6965 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA AS4C2M32 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TFBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS4C256M16D3B-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3B-12BANTR -
RFQ
 ECAD 6750 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C256 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (13.5x9) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
PC28F640P30TF65A Alliance Memory, Inc. PC28F640P30TF65A 5.3100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Alliance Memory, Inc. Axcell ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-TBGA PC28F640 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-PC28F640P30TF65A 3A991B1A 8542.32.0051 96 52MHz 비 비 64mbit 65 ns 플래시 4m x 16 평행한 65ns
AS4C512M8D3LA-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LA-12BAN -
RFQ
 ECAD 2516 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C512 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x10.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 220 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
AS4C64M32MD2A-25BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M32MD2A-25BINTR 6.8495
RFQ
 ECAD 2794 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-VFBGA sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 134-FBGA (10x11.5) 다운로드 3 (168 시간) 1450-AS4C64M32MD2A-25BINTR 2,000 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5.5 ns 음주 64m x 32 HSUL_12 15ns
AS7C1024B-20JCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C1024B-20JCNTR 3.3915
RFQ
 ECAD 1517 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C1024 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 20 ns SRAM 128k x 8 평행한 20ns
MT46V32M16TG-5B IT:JTR Alliance Memory, Inc. MT46V32M16TG-5B IT : JTR -
RFQ
 ECAD 8705 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS7C31024B-10TCN Alliance Memory, Inc. AS7C31024B-10TCN 2.9911
RFQ
 ECAD 3037 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) AS7C31024 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 156 휘발성 휘발성 1mbit 10 ns SRAM 128k x 8 평행한 10ns
AS7C3513B-15JCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C3513B-15JCNTR 4.0025
RFQ
 ECAD 8792 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C3513 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 500 휘발성 휘발성 512kbit 15 ns SRAM 32k x 16 평행한 15ns
MT41K512M16HA-107:A Alliance Memory, Inc. MT41K512M16HA-107 : a -
RFQ
 ECAD 6570 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K512M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-MT41K512M16HA-107 : a 귀 99 8542.32.0036 170 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
AS4C8M16D1-5TIN Alliance Memory, Inc. AS4C8M16D1-5TIN -
RFQ
 ECAD 1429 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C8M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0002 108 200MHz 휘발성 휘발성 128mbit 700 PS 음주 8m x 16 평행한 15ns
AS4C1M16S-6TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C1M16S-6TCNTR 1.9342
RFQ
 ECAD 6742 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 50TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C1M16 sdram 3V ~ 3.6V 50-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 16mbit 5.4 ns 음주 1m x 16 평행한 2ns
AS7C34096A-12TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C34096A-12TCNTR 4.5617
RFQ
 ECAD 8665 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34096 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 12 ns SRAM 512k x 8 평행한 12ns
AS4C128M16D3A-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3A-12BINTR -
RFQ
 ECAD 1019 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3 확인되지 확인되지 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,500 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
AS4C16M16SA-6TANTR Alliance Memory, Inc. AS4C16M16SA-6TANTR 4.9550
RFQ
 ECAD 4251 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5 ns 음주 16m x 16 평행한 12ns
MT48LC8M16A2TG-6A:L Alliance Memory, Inc. MT48LC8M16A2TG-6A : L. -
RFQ
 ECAD 6394 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC8M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 12ns
AS7C1026B-12TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C1026B-12TCNTR 2.8125
RFQ
 ECAD 2500 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C1026 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 64k x 16 평행한 12ns
AS7C513B-15TCN Alliance Memory, Inc. AS7C513B-15TCN 4.1694
RFQ
 ECAD 1170 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C513 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 512kbit 15 ns SRAM 32k x 16 평행한 15ns
AS7C316098A-10BIN Alliance Memory, Inc. AS7C316098A-10BIN 23.2300
RFQ
 ECAD 907 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA AS7C316098 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1056 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 16mbit 10 ns SRAM 1m x 16 평행한 10ns
AS7C34096A-20JIN Alliance Memory, Inc. AS7C34096A-20JIN 5.2767
RFQ
 ECAD 5791 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 36-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34096 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 36-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 19 휘발성 휘발성 4mbit 20 ns SRAM 512k x 8 평행한 20ns
AS6C4008A-55STIN Alliance Memory, Inc. AS6C4008A-55STIN -
RFQ
 ECAD 8370 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-LFSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS6C4008 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 32-Stsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 512k x 8 평행한 55ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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