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W25Q64JVXGJQ Winbond Electronics W25Q64JVXGJQ -
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ECAD 7635 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-xdfn d 패드 W25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8- Xson (4x4) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1 133 MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W9751G8KB-25 Winbond Electronics W9751G8KB-25 2.4400
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ECAD 1 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA W9751G8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-WBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 209 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
W25X40AVDAIZ Winbond Electronics W25X40AVDAIZ -
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ECAD 1017 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) W25x40 플래시 2.7V ~ 3.6V 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 60 100MHz 비 비 4mbit 플래시 512k x 8 SPI 3ms
W25N02KWZEIU TR Winbond Electronics W25n02kwzeiu tr 3.6129
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ECAD 7462 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 256-W25N02KWZEIUTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 104 MHz 비 비 2gbit 8 ns 플래시 256m x 8 spi-쿼드 i/o 700µs
W25Q16DWSNBG Winbond Electronics W25Q16DWSNBG -
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ECAD 9740 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) W25Q16 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q16DWSNBG 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 16mbit 7 ns 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 40µs, 3ms
W948D6FKB-6G Winbond Electronics W948D6FKB-6G -
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ECAD 6521 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 마지막으로 마지막으로 - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W948D6FKB-6G 1
W25M512JVBIQ Winbond Electronics W25M512JVBIQ 5.3202
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ECAD 3967 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25M512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 SPI -
W25Q128BVFJP TR Winbond Electronics W25Q128BVFJP TR -
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ECAD 1108 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) W25Q128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 W25Q128BVFJPTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
W956D6HBCX7I TR Winbond Electronics W956D6HBCX7I TR -
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ECAD 6667 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 54-VFBGA W956D6 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 5,000 133 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 70 ns psram 4m x 16 평행한 -
W66BQ6NBUAHJ Winbond Electronics W66BQ6NBUAHJ 5.2240
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ECAD 6373 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA W66BQ6 sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-WFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W66BQ6NBUAHJ 귀 99 8542.32.0036 144 2.133 GHz 휘발성 휘발성 2gbit 3.5 ns 음주 128m x 16 LVSTL_11 18ns
W631GU6KB-15 Winbond Electronics W631GU6KB-15 -
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ECAD 4149 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA W631GU6 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-WBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 190 667 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 -
W29N01HWSINA TR Winbond Electronics W29N01HWSINA TR -
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ECAD 6686 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) W29N01 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 48-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W29N01HWSinatr 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 비 비 1gbit 22 ns 플래시 64m x 16 onfi 25ns
W25Q64JVSTIM Winbond Electronics W25Q64JVSTIM -
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ECAD 9503 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-VSOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W948D6DBHX5I Winbond Electronics W948D6DBHX5I -
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ECAD 8904 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 쓸모없는 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 312
W97AH6NBVA1E TR Winbond Electronics W97AH6NBVA1E TR 3.9000
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ECAD 9047 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-VFBGA W97AH6 sdram -모바일 lpddr2 -s4b 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 134-VFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W97AH6NBVA1etr 귀 99 8542.32.0032 3,500 533 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 64m x 16 HSUL_12 15ns
W9864G6KT-6 TR Winbond Electronics W9864G6KT-6 TR 2.5698
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ECAD 4439 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TC) 표면 표면 54-TFBGA W9864G6 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W9864G6KT-6TR 귀 99 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5 ns 음주 8m x 8 lvttl -
W9825G6JB-6I TR Winbond Electronics W9825G6JB-6I TR -
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ECAD 5958 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA W9825G6 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W9825G6JB-6IT 귀 99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5 ns 음주 16m x 16 lvttl -
W25Q128FVSAQ Winbond Electronics W25Q128FVSAQ -
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ECAD 7854 0.00000000 윈 윈 전자 본드 * 튜브 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q128 8-SOIC - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q128FVSAQ 쓸모없는 1
W25Q64CVSSSG Winbond Electronics W25Q64CVSSSG -
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ECAD 9610 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q64CVSSSG 쓸모없는 1 80MHz 비 비 64mbit 6 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
W25Q128JVFIQ Winbond Electronics W25Q128JVFIQ 1.8300
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ECAD 18 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) W25Q128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 44 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 3ms
W25Q128FVPJQ TR Winbond Electronics W25Q128FVPJQ TR -
RFQ
ECAD 8522 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 W25Q128FVPJQTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W948D2FBJX6E Winbond Electronics W948D2FBJX6E -
RFQ
ECAD 5352 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 90-TFBGA W948D2 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 240 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고