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메모리 (2872)

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W25Q81DVXHAG	-	RFQ	6076	윈 윈 전자 본드	Spiflash®	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	8-xfdfn 노출 패드	W25Q81	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	8- Xson (2x3)	-		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	256-W25Q81DVXHAG			1	80MHz	비 비	8mbit		플래시	1m x 8	spi-쿼드 i/o	-
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W25M512JVBIQ TR	5.2950	RFQ	8739	윈 윈 전자 본드	Spiflash®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	24-TBGA	W25M512	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	24-TFBGA (6x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,000	104 MHz	비 비	512mbit		플래시	64m x 8	SPI	-
W25X40CLDAIG	-	RFQ	7692	윈 윈 전자 본드	Spiflash®	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)	W25x40	플래시	2.3V ~ 3.6V	8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	90	104 MHz	비 비	4mbit		플래시	512k x 8	SPI	800µs
W29N01HWBINF	3.4493	RFQ	3877	윈 윈 전자 본드	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	W29N01	플래시 -Nand (SLC)	1.7V ~ 1.95V	63-VFBGA (9x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	256-W29N01HWBINF	3A991B1A	8542.32.0071	210		비 비	1gbit	25 ns	플래시	128m x 8	평행한	25ns
W9412G6KH-5i	1.7857	RFQ	2130	윈 윈 전자 본드	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	W9412G6	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	66-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	108	200MHz	휘발성 휘발성	128mbit	50 ns	음주	8m x 16	평행한	15ns
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W9864G2JB-6	4.3983	RFQ	1075	윈 윈 전자 본드	-	쟁반	새로운 새로운 아닙니다	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	90-TFBGA	W9864G2	sdram	3V ~ 3.6V	90-TFBGA (8x13)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	240	166 MHz	휘발성 휘발성	64mbit	5 ns	음주	2m x 32	평행한	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

메모리 (2872)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²