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| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 시계 시계 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | W631GU6MB11J TR | - |  | 5263 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-VFBGA | W631GU6 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 96-VFBGA (7.5x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W631GU6MB11JTR | 쓸모없는 | 2,000 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
 | W25Q64JWSSIQ TR | 0.8787 | | 9463 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W25Q64 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 1.95V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q64JWSSIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 비 비 | 64mbit | 플래시 | 8m x 8 | spi-쿼드 i/o | 3ms | ||
 | W29GL256SH9T TR | - | | 2092 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | W29GL256 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 56-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 256mbit | 90 ns | 플래시 | 16m x 16 | 평행한 | 90ns | |||
| W948D6DBHX6E | - | | 3438 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 312 | |||||||||||||||||
 | W25Q16FWUXIE TR | - | | 3293 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-ufdfn 노출 패드 | W25Q16 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 8- 호스 (2x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 104 MHz | 비 비 | 16mbit | 플래시 | 2m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 60µs, 3ms | |||
| W631GU6MB12J TR | - | | 8169 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-VFBGA | W631GU6 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 96-VFBGA (7.5x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W631GU6MB12JTR | 쓸모없는 | 2,000 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
 | W25Q81DVSNSG | - | | 1194 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | W25Q81 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOIC | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q81DVSNSG | 1 | 80MHz | 비 비 | 8mbit | 플래시 | 1m x 8 | spi-쿼드 i/o | - | |||||
 | W632GG6MB-15 | - | | 4982 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-VFBGA | W632GG6 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-VFBGA (7.5x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 198 | 667 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | - | ||
| W25Q40BWSSIG TR | - | | 1482 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W25Q40 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 80MHz | 비 비 | 4mbit | 플래시 | 512k x 8 | spi-쿼드 i/o | 800µs | |||
| W25Q16FWSNIQ | - | | 5360 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | W25Q16 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 비 비 | 16mbit | 플래시 | 2m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 60µs, 3ms | |||
 | W989D2DBJX6E TR | 3.1263 | | 3948 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 90-TFBGA | W989D2 | sdram- 모바일 lpsdr | 1.7V ~ 1.95V | 90-VFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W989D2DBJX6ET | 귀 99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 5 ns | 음주 | 16m x 32 | LVCMOS | 15ns | |
 | W971GG6KB-25 TR | - | | 2384 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 84-TFBGA | W971GG6 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-WBGA (8x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 2,500 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 400 PS | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
| W25Q32FVSSIG | - | | 7363 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W25Q32 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | 비 비 | 32mbit | 플래시 | 4m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 50µs, 3ms | |||
| W25Q16FWSSIQ | - | | 2705 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W25Q16 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | 비 비 | 16mbit | 플래시 | 2m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 60µs, 3ms | |||
| W972GG8KS-25 | 9.9998 | | 1771 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 60-TFBGA | W972GG8 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-WBGA (8x9.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | Q11542956 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 189 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 400 PS | 음주 | 256m x 8 | 평행한 | 15ns | |
 | W9812G6KH-6I TR | 1.7328 | | 4931 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | W9812G6 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 5 ns | 음주 | 8m x 16 | 평행한 | - | ||
 | W25Q128JWBIQ TR | 1.7696 | | 5671 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | W25Q128 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 1.95V | 24-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q128JWBIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 비 비 | 128mbit | 플래시 | 16m x 8 | spi-쿼드 i/o | -, 3ms | ||
| W25Q32JVSSSQ | - | | 5502 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W25Q32 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOIC | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q32JVSSSQ | 1 | 133 MHz | 비 비 | 32mbit | 6 ns | 플래시 | 4m x 8 | spi-쿼드 i/o | 3ms | ||||
| W25Q16CVSNJP | - | | 6842 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | W25Q16 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 1 | 104 MHz | 비 비 | 16mbit | 플래시 | 2m x 8 | spi-쿼드 i/o | 50µs, 3ms | |||
 | W9816G6JH-6I | 1.4818 | | 7984 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 50TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | W9816G6 | sdram | 3V ~ 3.6V | 50-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 117 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 16mbit | 5 ns | 음주 | 1m x 16 | 평행한 | - | ||
 | W25Q32FWZPIG | - | | 9554 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25Q32 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 8-wson (6x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 570 | 104 MHz | 비 비 | 32mbit | 플래시 | 4m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 60µs, 5ms | |||
| W25Q64JVZPIQ TR | 1.1600 | | 74 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25Q64 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 133 MHz | 비 비 | 64mbit | 플래시 | 8m x 8 | spi-쿼드 i/o | 3ms | |||
| W978H6KBVX1E TR | 4.3650 | | 1383 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 134-VFBGA | W978H6 | sdram -모바일 lpddr2 -s4b | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V | 134-VFBGA (10x11.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W978H6KBVX1etr | 귀 99 | 8542.32.0024 | 3,500 | 533 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.5 ns | 음주 | 16m x 16 | HSUL_12 | 15ns | |
| W25Q32BVZPAG | - | | 7497 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25Q32 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q32BVZPAG | 쓸모없는 | 1 | 104 MHz | 비 비 | 32mbit | 5 ns | 플래시 | 4m x 8 | spi-쿼드 i/o | 50µs, 3ms | |||
 | W25Q512JVFIM TR | 4.7899 | | 3861 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | W25Q512 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 16- | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | W25Q512JVFIMTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 133 MHz | 비 비 | 512mbit | 플래시 | 64m x 8 | spi-쿼드 i/o | - | |||
 | W631GG8KB-15 TR | - | | 4129 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | W631GG8 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-WBGA (10.5x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 667 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 8 | 평행한 | - | ||
| W631GU8MB11I | - | | 5165 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-VFBGA | W631GU8 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 78-VFBGA (10.5x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 242 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 8 | 평행한 | - | ||
| W29EE011P90Z | - | | 3612 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 32-LCC (J-Lead) | W29EE011 | 플래시 | 4.5V ~ 5.5V | 32-PLCC (11.43x13.97) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 15 | 비 비 | 1mbit | 90 ns | 플래시 | 128k x 8 | 평행한 | 10ms | |||
| W25x10VSNIG | - | | 2592 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | W25X10 | 플래시 | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 100 | 75MHz | 비 비 | 1mbit | 플래시 | 128k x 8 | SPI | 3ms | |||
| W632GU6NB15I | 5.2943 | | 7792 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-VFBGA | W632GU6 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 96-VFBGA (7.5x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 198 | 667 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | 15ns |
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