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W631GG6NB09I TR Winbond Electronics W631GG6NB09I TR 5.0400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA W631GG6 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-VFBGA (7.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 3,000 1.066 GHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 sstl_15 15ns
W631GG8NB15I TR Winbond Electronics W631GG8NB15I TR 4.8100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA W631GG8 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-VFBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,000 667 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 sstl_15 15ns
W25N512GVPIR TR Winbond Electronics W25N512GVPIR TR 1.6871
RFQ
ECAD 1104 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25N512 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25N512GVPIRTR 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 166 MHz 비 비 512mbit 6 ns 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o 700µs
W971GG6NB-18I TR Winbond Electronics W971GG6NB-18I TR 3.1918
RFQ
ECAD 9326 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA W971GG6 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TFBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W971GG6NB-18ITR 귀 99 8542.32.0032 2,500 533 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 350 ps 음주 64m x 16 SSTL_18 15ns
W97AH2NBVA1E Winbond Electronics W97AH2NBVA1E 4.5380
RFQ
ECAD 9269 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-VFBGA W97AH2 sdram -모바일 lpddr2 -s4b 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 134-VFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W97AH2NBVA1E 귀 99 8542.32.0032 168 533 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 32m x 32 HSUL_12 15ns
W25X80VDAIZ Winbond Electronics W25X80VDAIZ -
RFQ
ECAD 1327 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) W25x80 플래시 2.7V ~ 3.6V 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 90 75MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 SPI 3ms
W66CL2NQUAGJ Winbond Electronics W66Cl2nquagj 9.5630
RFQ
ECAD 7642 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA W66CL2 sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-WFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W66Cl2nquagj 귀 99 8542.32.0036 144 1.866 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 3.5 ns 음주 128m x 32 LVSTL_11 18ns
W25X20VSNIG T&R Winbond Electronics W25X20VSNIG T & R. -
RFQ
ECAD 3777 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) W25X20 플래시 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 75MHz 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 SPI 3ms
W25Q32JWBYIC TR Winbond Electronics W25Q32JWBYIC TR -
RFQ
ECAD 8614 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 12-UFBGA, WLCSP W25Q32 플래시 - 아니오 1.7V ~ 1.95V 12-WLCSP (2.31x2.03) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 W25Q32JWBYICTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,500 133 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o 5ms
W632GG6KB12J Winbond Electronics W632GG6KB12J -
RFQ
ECAD 9140 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA W632GG6 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-WBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 190 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 -
W25Q01JVTBIM Winbond Electronics W25Q01JVTBIM 9.2400
RFQ
ECAD 6887 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25Q01 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q01JVTBIM 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 비 비 1gbit 7.5 ns 플래시 128m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 3.5ms
W25Q32FVSSJF Winbond Electronics W25Q32FVSSJF -
RFQ
ECAD 3490 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q32 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1 104 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W25Q16CVSSIG TR Winbond Electronics W25Q16CVSSIG TR -
RFQ
ECAD 5531 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 104 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
W25N04KWZEIU Winbond Electronics W25N04KWZEIU 7.6130
RFQ
ECAD 9931 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 256-W25N04KWZEIU 3A991B1A 8542.32.0071 63 104 MHz 비 비 4gbit 8 ns 플래시 512m x 8 spi-쿼드 i/o 700µs
W25Q32JVSSIQ TR Winbond Electronics W25Q32JVSSIQ TR 0.8500
RFQ
ECAD 208 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q32 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W25Q128JVJAM Winbond Electronics W25Q128JVJAM -
RFQ
ECAD 3194 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) - - W25Q128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V - - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q128JVJAM 1 133 MHz 비 비 128mbit 6 ns 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 3ms
W9816G6JH-7 Winbond Electronics W9816G6JH-7 1.4818
RFQ
ECAD 9749 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 50TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) W9816G6 sdram 3V ~ 3.6V 50-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W9816G6JH-7 귀 99 8542.32.0002 117 143 MHz 휘발성 휘발성 16mbit 5 ns 음주 1m x 16 lvttl -
W25Q16FWZPBQ Winbond Electronics W25Q16FWZPBQ -
RFQ
ECAD 1946 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q16 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-wson (6x5) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q16FWZPBQ 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 16mbit 6 ns 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 60µs, 3ms
W25Q32FVTCJF Winbond Electronics W25Q32FVTCJF -
RFQ
ECAD 5957 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25Q32 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1 104 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W979H2KBVX1I Winbond Electronics W979H2KBVX1I 5.8044
RFQ
ECAD 1409 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-VFBGA W979H2 sdram -모바일 lpddr2 -s4b 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 134-VFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W979H2KBVX1I 귀 99 8542.32.0028 168 533 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 음주 16m x 32 HSUL_12 15ns
W25Q20EWSNSG Winbond Electronics W25Q20ewsnsg -
RFQ
ECAD 2216 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) W25Q20 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q20ewsnsg 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 2mbit 6 ns 플래시 256k x 8 spi-쿼드 i/o 30µs, 800µs
W25Q16JWXHAQ Winbond Electronics W25Q16JWXHAQ -
RFQ
ECAD 7163 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 W25Q16 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8- Xson (2x3) 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q16JWXHAQ 1 133 MHz 비 비 16mbit 6 ns 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 3ms
W25Q32FVXGAQ Winbond Electronics W25Q32FVXGAQ -
RFQ
ECAD 9799 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-xdfn d 패드 W25Q32 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8- Xson (4x4) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q32FVXGAQ 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 32mbit 7 ns 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W25N02KVTCIU Winbond Electronics W25N02KVTCIU 4.2208
RFQ
ECAD 9090 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25N02 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25N02KVTCIU 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 비 비 2gbit 7 ns 플래시 256m x 8 spi-쿼드 i/o 700µs
W25Q64JWTBIM Winbond Electronics W25Q64JWTBIM -
RFQ
ECAD 8894 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25Q64 플래시 - 아니오 1.7V ~ 1.95V 24-TFBGA (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q64JWTBIM 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 비 비 64mbit 6 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 3ms
W988D6FBGX7E TR Winbond Electronics W988d6fbgx7e tr -
RFQ
ECAD 4233 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 54-TFBGA W988D6 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (8x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 15ns
W9816G6IH-6I Winbond Electronics W9816G6IH-6I -
RFQ
ECAD 5437 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 50TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) W9816G6 sdram 3V ~ 3.6V 50-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 W9816G6IH6I 귀 99 8542.32.0002 117 166 MHz 휘발성 휘발성 16mbit 5 ns 음주 1m x 16 평행한 -
W25Q80BVSNIG Winbond Electronics W25Q80BVSNIG -
RFQ
ECAD 5660 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) W25Q80 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 100 104 MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W25Q64FVSSAQ Winbond Electronics W25Q64FVSSAQ -
RFQ
ECAD 8596 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q64FVSSAQ 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 64mbit 7 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W987D2HBJX6I Winbond Electronics W987D2HBJX6I -
RFQ
ECAD 9007 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA W987D2 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 240 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고