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W9825G6JH-6I Winbond Electronics W9825G6JH-6I -
RFQ
ECAD 8327 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) W9825G6 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 W9825G6JH6I 귀 99 8542.32.0002 108 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5 ns 음주 16m x 16 평행한 -
W97BH2MBVA1E TR Winbond Electronics W97BH2MBVA1E TR 5.6550
RFQ
ECAD 6801 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-VFBGA W97BH2 sdram -모바일 lpddr2 -s4b 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 134-VFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W97BH2MBVA1etr 귀 99 8542.32.0036 3,500 533 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 음주 64m x 32 HSUL_12 15ns
W25Q128JVPIM TR Winbond Electronics W25Q128JVPIM TR 1.8100
RFQ
ECAD 37 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 3ms
W25Q128JWPIM TR Winbond Electronics W25Q128JWPIM TR 1.4425
RFQ
ECAD 3394 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q128 플래시 - 아니오 1.7V ~ 1.95V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q128JWPIMTR 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o -, 3ms
W77Q32JWSSIN Winbond Electronics W77Q32JWSSIN 1.1718
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ECAD 3872 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W77Q32 플래시 1.7V ~ 1.95V 8-SOIC - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W77Q32JWSSIN 90 104 MHz 비 비 32mbit 플래시 - spi-쿼드 i/o, qpi -
W25Q256JWFIM Winbond Electronics W25Q256JWFIM -
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ECAD 6642 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) W25Q256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 1.95V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q256JWFIM 3A991B1A 8542.32.0071 44 133 MHz 비 비 256mbit 6 ns 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 5ms
W25Q32JVTCIM Winbond Electronics W25Q32JVTCIM -
RFQ
ECAD 3260 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25Q32 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q32JVTCIM 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 비 비 32mbit 6 ns 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 3ms
W25Q16JWSNSQ Winbond Electronics W25Q16JWSNSQ -
RFQ
ECAD 2088 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) W25Q16 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q16JWSNSQ 1 133 MHz 비 비 16mbit 6 ns 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 3ms
W25Q16JVZPJM Winbond Electronics W25Q16JVZPJM -
RFQ
ECAD 7298 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 100 133 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W25Q64JVSFJQ Winbond Electronics W25Q64JVSFJQ -
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ECAD 6735 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) W25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 44 133 MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W25Q16FWBYIG TR Winbond Electronics W25Q16FWBYIG TR -
RFQ
ECAD 5812 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-UFBGA, WLCSP W25Q16 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-WLCSP (1.41x2.37) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,500 104 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 60µs, 3ms
W25Q256FVBIG TR Winbond Electronics W25Q256FVBIG TR -
RFQ
ECAD 8635 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25Q256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W25Q256JVFIQ TR Winbond Electronics W25Q256JVFIQ TR 2.3663
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ECAD 8391 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) W25Q256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W25Q128FVEJQ TR Winbond Electronics W25Q128FVEJQ TR -
RFQ
ECAD 2717 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 W25Q128FVEJQTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W29GL128CL9B Winbond Electronics W29GL128CL9B -
RFQ
ECAD 1872 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga W29GL128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-LFBGA (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 171 비 비 128mbit 90 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 90ns
W9725G8KB25I Winbond Electronics W9725G8KB25I 2.4555
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ECAD 8066 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA W9725G8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-WBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 209 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 400 PS 음주 32m x 8 평행한 15ns
W25Q256JVEIM Winbond Electronics W25Q256JVEIM 3.3900
RFQ
ECAD 9760 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 63 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W25Q32JVSFJM Winbond Electronics W25Q32JVSFJM -
RFQ
ECAD 7212 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) W25Q32 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 44 133 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W25Q80DVUXSE Winbond Electronics W25Q80DVUXSE -
RFQ
ECAD 2614 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 W25Q80 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8- 호스 (2x3) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q80DVUXSE 1 104 MHz 비 비 8mbit 6 ns 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o 30µs, 3ms
W29GL064CH7B Winbond Electronics W29GL064CH7B -
RFQ
ECAD 3492 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga W29GL064 플래시 - 아니오 확인되지 확인되지 2.7V ~ 3.6V 64-LFBGA (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 171 비 비 64mbit 70 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 70ns
W987D2HBJX7E TR Winbond Electronics W987D2HBJX7E TR 2.7335
RFQ
ECAD 1609 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 90-TFBGA W987D2 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 15ns
W25Q256FVFIF Winbond Electronics W25Q256FVFIF -
RFQ
ECAD 2979 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) W25Q256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 44 104 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W9825G6KH-5 Winbond Electronics W9825G6KH-5 1.9307
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ECAD 8765 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) W9825G6 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 108 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5 ns 음주 16m x 16 평행한 -
W25Q32FVZPIQ Winbond Electronics W25Q32FVZPIQ -
RFQ
ECAD 2251 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q32 플래시 - 아니오 확인되지 확인되지 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 100 104 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W25Q16JVSSJM TR Winbond Electronics W25Q16JVSSJM TR -
RFQ
ECAD 2370 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 W25Q16JVSSJMTR 귀 99 8542.32.0071 2,000 133 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W25Q32FWSTIG Winbond Electronics W25Q32FWSTIG -
RFQ
ECAD 7308 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q32 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-VSOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 90 104 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 60µs, 5ms
W25Q16DWUUAG Winbond Electronics W25Q16DWUUAG -
RFQ
ECAD 7419 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 W25Q16 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8- 호스 (4x3) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q16DWUUAG 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 16mbit 7 ns 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 40µs, 3ms
W25Q128FWBIQ Winbond Electronics W25Q128FWBIQ -
RFQ
ECAD 7141 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25Q128 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q128FWBIQ 쓸모없는 8542.32.0071 480 104 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 60µs, 5ms
W25Q21EWSNAG Winbond Electronics W25Q21ewsnag -
RFQ
ECAD 5577 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) W25Q21 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q21ewsnag 1 104 MHz 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 spi-쿼드 i/o -
W25Q512NWFIQ TR Winbond Electronics W25Q512NWFIQ TR 5.4150
RFQ
ECAD 7046 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) W25Q512 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q512NWFIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 비 비 512mbit 6 ns 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 3ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고