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W25M161AWEIT Winbond Electronics W25M161AWEIT -
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ECAD 1601 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25M161 플래시- NAND, FLASH -NOR 1.7V ~ 1.95V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25M161AWEIT 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 비 비 16mbit (Flash-Nor), 1gbit (Flash-Nand) 플래시 2m x 8 (Flash-Nor), 128m x 8 (Flash-Nand) spi-쿼드 i/o 3ms
W971GG8KB-25 TR Winbond Electronics W971GG8KB-25 TR -
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ECAD 9727 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA W971GG8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-WBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,500 200MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 128m x 8 평행한 15ns
W25Q16CVSNJP TR Winbond Electronics W25Q16CVSNJP TR -
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ECAD 5186 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) W25Q16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 W25Q16CVSNJPTR 귀 99 8542.32.0071 1,000 104 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
W9816G6JH-5 TR Winbond Electronics W9816G6JH-5 TR 1.3934
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ECAD 2647 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 50TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) W9816G6 sdram 3V ~ 3.6V 50-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 16mbit 4.5 ns 음주 1m x 16 평행한 -
W25Q16JVSSJQ TR Winbond Electronics W25Q16JVSSJQ TR -
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ECAD 3035 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 W25Q16JVSSJQTR 귀 99 8542.32.0071 2,000 133 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W25Q128FVCIP Winbond Electronics W25Q128FVCIP -
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ECAD 6393 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25Q128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W631GG8MB15I Winbond Electronics W631GG8MB15I -
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ECAD 2957 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA W631GG8 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-VFBGA (10.5x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 242 667 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 -
W25Q128JWYIM TR Winbond Electronics W25Q128JWYIM TR 1.4423
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ECAD 1533 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 21-XFBGA, WLCSP W25Q128 플래시 - 아니오 1.7V ~ 1.95V 21-WLCSP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q128Jwyimtr 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o -, 3ms
W25Q256FVBBQ Winbond Electronics W25Q256FVBBQ -
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ECAD 3941 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA W25Q256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q256FVBBQ 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 256mbit 7 ns 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W25Q64FVZEJQ TR Winbond Electronics W25Q64FVZEJQ TR -
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ECAD 8197 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 W25Q64FVZEJQTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W9812G6JB-6 TR Winbond Electronics W9812G6JB-6 TR -
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ECAD 3999 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA W9812G6 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5 ns 음주 8m x 16 평행한 -
W25M02GWTBIG TR Winbond Electronics W25M02GWTBIG TR -
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ECAD 3322 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25M02 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 24-TFBGA (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25M02GWTBIGTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 비 비 2gbit 8 ns 플래시 256m x 8 spi-쿼드 i/o 700µs
W25Q64FWSSIF TR Winbond Electronics W25Q64FWSSIF TR -
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ECAD 4919 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q64 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q64FWSSIFTR 쓸모없는 8542.32.0071 2,000 104 MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 60µs, 5ms
W25Q257JVFIQ TR Winbond Electronics W25Q257JVFIQ TR -
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ECAD 5739 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) W25Q257 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W632GU6NB-11 Winbond Electronics W632GU6NB-11 4.8018
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ECAD 5288 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA W632GU6 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-VFBGA (7.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 198 933 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
W25Q64JVTBJQ Winbond Electronics W25Q64JVTBJQ -
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ECAD 7789 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W25Q64JVZEAM Winbond Electronics W25Q64JVZEAM -
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ECAD 5124 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (8x6) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q64JVZEAM 1 133 MHz 비 비 64mbit 6 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W25Q16JVUUJQ TR Winbond Electronics W25Q16JVUUJQ TR -
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ECAD 1087 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 W25Q16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8- 호스 (4x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 W25Q16JVUUJQTR 귀 99 8542.32.0071 5,000 133 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W631GU6KS-15 TR Winbond Electronics W631GU6KS-15 TR -
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ECAD 4244 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA W631GU6 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-VFBGA (7.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,500 667 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 -
W9825G6KH-5 TR Winbond Electronics W9825G6KH-5 TR 1.7996
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ECAD 2047 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) W9825G6 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5 ns 음주 16m x 16 평행한 -
W66CL2NQUAFJ TR Winbond Electronics W66Cl2nquafj tr 8.4900
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ECAD 9626 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA W66CL2 sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-WFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W66Cl2nquafjtr 귀 99 8542.32.0036 2,500 1.6GHz 휘발성 휘발성 4gbit 3.5 ns 음주 128m x 32 LVSTL_11 18ns
W632GG6KB12I Winbond Electronics W632GG6KB12I -
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ECAD 9982 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA W632GG6 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-WBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 190 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 -
W29N02KZBIBF Winbond Electronics W29N02KZBIBF -
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ECAD 6354 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA W29N02 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W29N02KZBIBF 3A991B1A 8542.32.0071 210 비 비 2gbit 22 ns 플래시 256m x 8 평행한 25ns
W25Q16JWUUSQ Winbond Electronics W25Q16Jwuusq -
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ECAD 9036 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 W25Q16 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8- 호스 (4x3) 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q16Jwuusq 1 133 MHz 비 비 16mbit 6 ns 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 3ms
W25Q128FVCJQ Winbond Electronics W25Q128FVCJQ -
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ECAD 9264 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25Q128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1 104 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W959D8NFYA4I Winbond Electronics W959d8nfya4i 4.4209
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ECAD 7959 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 24-TBGA W959D8 하이퍼 하이퍼 1.7V ~ 2V 24-TFBGA, DDP (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 480 250MHz 휘발성 휘발성 512mbit 28 ns 음주 64m x 8 hyperbus 35ns
W25Q16CVSFIG Winbond Electronics W25Q16CVSFIG -
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ECAD 5869 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) W25Q16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 44 104 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
W25X10VSNIG T&R Winbond Electronics W25X10VSNIG T & R. -
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ECAD 9612 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) W25X10 플래시 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 75MHz 비 비 1mbit 플래시 128k x 8 SPI 3ms
W9725G6KB-25 Winbond Electronics W9725G6KB-25 2.9000
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ECAD 23 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA W9725G6 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-WBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 W9725G6KB25 귀 99 8542.32.0036 209 400MHz 휘발성 휘발성 256mbit 400 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
W25N01GVTBIG Winbond Electronics W25N01GVTBIG 3.1110
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ECAD 7183 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25N01 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25N01GVTBIG 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 비 비 1gbit 7 ns 플래시 128m x 8 spi-쿼드 i/o 700µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고