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W25N04KWTBIR TR Winbond Electronics W25N04kwtbir tr 6.1856
RFQ
ECAD 2359 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 24-TFBGA (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 256-W25N04kwtbirtr 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 비 비 4gbit 8 ns 플래시 512m x 8 spi-쿼드 i/o 700µs
W25Q128JVFIM Winbond Electronics W25Q128JVFIM 1.5523
RFQ
ECAD 3293 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) W25Q128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 44 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 3ms
W25Q257JVFIQ Winbond Electronics W25Q257JVFIQ 3.4000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) W25Q257 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 44 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W25Q16JWSSIQ TR Winbond Electronics W25Q16JWSSIQ TR 0.4992
RFQ
ECAD 8524 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q16 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q16JWSSIQTR 귀 99 8542.32.0071 2,000 133 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W25Q10EWSNIG TR Winbond Electronics W25Q10ewsnig tr -
RFQ
ECAD 5207 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) W25Q10 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q10ewsnigtr 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 104 MHz 비 비 1mbit 6 ns 플래시 128k x 8 spi-쿼드 i/o 30µs, 800µs
W25Q16DWSNAG Winbond Electronics W25Q16DWSNAG -
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ECAD 3046 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) W25Q16 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q16DWSNAG 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 16mbit 7 ns 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 40µs, 3ms
W988D2FBJX6E Winbond Electronics W988D2FBJX6E -
RFQ
ECAD 3585 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 90-TFBGA W988D2 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 240 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
W25Q128JVEJM Winbond Electronics W25Q128JVEJM -
RFQ
ECAD 8256 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 63 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 3ms
W25Q16CLSNIG TR Winbond Electronics W25Q16CLSNIG TR -
RFQ
ECAD 3063 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) W25Q16 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 50MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
W631GU6NB-09 TR Winbond Electronics W631GU6NB-09 TR 3.0202
RFQ
ECAD 4166 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA W631GU6 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V, 1.425V ~ 1.575V 96-VFBGA (7.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W631GU6NB-09TR 귀 99 8542.32.0032 3,000 1.066 GHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
W632GG8MB09I Winbond Electronics W632GG8MB09I -
RFQ
ECAD 4738 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA W632GG8 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-VFBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 242 1.067 GHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
W25Q128JVTIQ Winbond Electronics W25Q128JVTIQ -
RFQ
ECAD 5626 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) W25Q128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o -
W9812G2KB-6 Winbond Electronics W9812G2KB-6 4.5910
RFQ
ECAD 7191 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA W9812G2 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 240 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5 ns 음주 4m x 32 평행한 -
W25Q64CVSSIG Winbond Electronics W25Q64CVSSIG -
RFQ
ECAD 2635 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 Q5822008 3A991B1A 8542.32.0071 90 80MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
W25Q32FVDAIG TR Winbond Electronics W25Q32FVDAIG TR -
RFQ
ECAD 6875 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) W25Q32 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W29GL256PH9T Winbond Electronics W29GL256PH9T -
RFQ
ECAD 5465 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) W29GL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 96 비 비 256mbit 90 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 90ns
W25X16VZPIG T&R Winbond Electronics W25X16VZPIG T & R. -
RFQ
ECAD 2554 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25x16 플래시 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 75MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 SPI 3ms
W25Q64FWSSAQ Winbond Electronics W25Q64FWSSAQ -
RFQ
ECAD 9099 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q64 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q64FWSSAQ 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 64mbit 6 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 60µs, 5ms
W971GG6NB-18 TR Winbond Electronics W971GG6NB-18 TR 2.7826
RFQ
ECAD 6872 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA W971GG6 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TFBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W971GG6NB-18tr 귀 99 8542.32.0032 2,500 533 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 350 ps 음주 64m x 16 SSTL_18 15ns
W972GG8JB25I TR Winbond Electronics W972GG8JB25I TR -
RFQ
ECAD 4981 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA W972GG8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-WBGA (11x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,500 200MHz 휘발성 휘발성 2gbit 400 PS 음주 256m x 8 평행한 15ns
W25Q32BVSSJG TR Winbond Electronics W25Q32BVSSJG TR -
RFQ
ECAD 8960 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q32 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 W25Q32BVSSJGTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
W9816G6IH-6 Winbond Electronics W9816G6IH-6 -
RFQ
ECAD 6322 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 50TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) W9816G6 sdram 3V ~ 3.6V 50-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 W9816G6IH6 귀 99 8542.32.0002 117 166 MHz 휘발성 휘발성 16mbit 5 ns 음주 1m x 16 평행한 -
W29N02KZBIBF TR Winbond Electronics W29N02KZBIBF TR -
RFQ
ECAD 7143 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA W29N02 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W29N02KZBIBFTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 비 비 2gbit 22 ns 플래시 256m x 8 평행한 25ns
W25Q40CLZPIG Winbond Electronics W25Q40CLZPIG -
RFQ
ECAD 2163 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q40 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 100 104 MHz 비 비 4mbit 플래시 512k x 8 spi-쿼드 i/o 800µs
W25N04KVZEIU TR Winbond Electronics W25N04KVZEIU TR 5.5500
RFQ
ECAD 9229 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25N04 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25N04KVZEIUTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 104 MHz 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 spi-쿼드 i/o 250µs
W25Q257FVFIG TR Winbond Electronics W25Q257FVFIG TR -
RFQ
ECAD 7047 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) W25Q257 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 104 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W632GG6MB-08 Winbond Electronics W632GG6MB-08 -
RFQ
ECAD 1884 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA W632GG6 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-VFBGA (7.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 198 휘발성 휘발성 2gbit 음주 128m x 16 평행한 -
W25Q32FWZEIG TR Winbond Electronics W25Q32FWZEIG TR -
RFQ
ECAD 7403 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q32 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 104 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 60µs, 5ms
W25N512GWBIR Winbond Electronics W25N512GWBIR -
RFQ
ECAD 1493 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25N512 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25N512GWBIR 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 비 비 512mbit 7 ns 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o 700µs
W25Q80BVSSIG TR Winbond Electronics W25Q80BVSSIG TR -
RFQ
ECAD 8363 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q80 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 104 MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고