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| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 시계 시계 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | W29GL128CH9T TR | - |  | 6682 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | W29GL128 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 56-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 128mbit | 90 ns | 플래시 | 16m x 8, 8m x 16 | 평행한 | 90ns | |||
 | W979H2KBVX1I TR | 4.9500 | | 7457 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 134-VFBGA | W979H2 | sdram -모바일 lpddr2 -s4b | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V | 134-VFBGA (10x11.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W979H2KBVX1IT | 귀 99 | 8542.32.0028 | 3,500 | 533 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 음주 | 16m x 32 | HSUL_12 | 15ns | ||
 | W25N02KVSFIR | - | | 7390 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | W25N02 | 플래시 -Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25N02KVSFIR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 104 MHz | 비 비 | 2gbit | 7 ns | 플래시 | 256m x 8 | spi-쿼드 i/o | 700µs | |
 | W25Q64JVTBSQ | - | | 4224 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | W25Q64 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (8x6) | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q64JVTBSQ | 1 | 133 MHz | 비 비 | 64mbit | 6 ns | 플래시 | 8m x 8 | spi-쿼드 i/o | 3ms | ||||
 | W25Q256JVEIQ | 3.2900 | | 55 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25Q256 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (8x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 63 | 133 MHz | 비 비 | 256mbit | 플래시 | 32m x 8 | spi-쿼드 i/o | 3ms | |||
 | W631GG6NB12J | - | | 9483 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-VFBGA | W631GG6 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-VFBGA (7.5x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W631GG6NB12J | 귀 99 | 8542.32.0032 | 198 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 64m x 16 | sstl_15 | 15ns | |
| W25Q01JVZEIM | 11.4500 | | 1 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25Q01 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (8x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q01JVZEIM | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | 비 비 | 1gbit | 7.5 ns | 플래시 | 128m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi, dtr | 3.5ms | |
 | W972GG6JB-3 | - | | 3136 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 84-TFBGA | W972GG6 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-WBGA (11x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | W972GG6JB3 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 144 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 450 ps | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | 15ns | |
| W25Q128JWFIM | - | | 2839 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | W25Q128 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 1.95V | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q128JWFIM | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 133 MHz | 비 비 | 128mbit | 6 ns | 플래시 | 16m x 8 | spi-쿼드 i/o | 3ms | |
| W9864G6JT-6I TR | 2.7989 | | 4515 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-TFBGA | W9864G6 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TFBGA (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W9864G6JT-6IT | 귀 99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 5 ns | 음주 | 4m x 16 | lvttl | - | |
| W9864G6JT-6I | 3.0886 | | 2270 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-TFBGA | W9864G6 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TFBGA (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W9864G6JT-6I | 귀 99 | 8542.32.0024 | 319 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 5 ns | 음주 | 4m x 16 | lvttl | - | |
| W631GU6NB-12 TR | 2.9101 | | 2199 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-VFBGA | W631GU6 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V, 1.425V ~ 1.575V | 96-VFBGA (7.5x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W631GU6NB-12TR | 귀 99 | 8542.32.0032 | 3,000 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | 15ns | |
 | W25Q80BVSNAG | - | | 6642 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | W25Q80 | 플래시 - 아니오 | 2.5V ~ 3.6V | 8-SOIC | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q80BVSNAG | 쓸모없는 | 1 | 104 MHz | 비 비 | 8mbit | 6 ns | 플래시 | 1m x 8 | spi-쿼드 i/o | 50µs, 3ms | |||
 | W25Q64JVZPAM | - | | 6113 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25Q64 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25Q64JVZPAM | 1 | 133 MHz | 비 비 | 64mbit | 6 ns | 플래시 | 8m x 8 | spi-쿼드 i/o | 3ms | ||||
| W25N01GVTBIT | - | | 9019 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | W25N01 | 플래시 -Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (8x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25N01GVTBIT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 비 비 | 1gbit | 7 ns | 플래시 | 128m x 8 | spi-쿼드 i/o | 700µs | |
| W634GU8QB-09 TR | 5.2371 | | 7385 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-VFBGA | W634GU8 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 78-VFBGA (8x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W634GU8QB-09TR | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.06GHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 20 ns | 음주 | 512m x 8 | 평행한 | 15ns | |
| W29N02KZDIBE | 6.1004 | | 6832 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-VFBGA | 플래시 -Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 48-VFBGA (8x6.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 256-W29N02KZDIBE | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | 비 비 | 2gbit | 22 ns | 플래시 | 256m x 8 | onfi | 25ns, 700µs | ||||
| W25n04kwtciu tr | 6.1856 | | 4898 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | 플래시 -Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 24-TFBGA (8x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 256-W25N04KWTCIUTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 비 비 | 4gbit | 8 ns | 플래시 | 512m x 8 | spi-쿼드 i/o | 700µs | |||
| W25Q64JVZEJQ TR | - | | 8727 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25Q64 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (8x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | W25Q64JVZEJQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 133 MHz | 비 비 | 64mbit | 플래시 | 8m x 8 | spi-쿼드 i/o | 3ms | ||
| W25x20VZPIG | - | | 6923 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25X20 | 플래시 | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 100 | 75MHz | 비 비 | 2mbit | 플래시 | 256k x 8 | SPI | 3ms | |||
| W25N512GWEIT TR | 2.0721 | | 9020 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25N512 | 플래시 -Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 8-wson (8x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25N512GWEITTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 104 MHz | 비 비 | 512mbit | 7 ns | 플래시 | 64m x 8 | spi-쿼드 i/o | 700µs | |
 | W25Q20ewsvig tr | - | | 5434 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | W25Q20 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 8-VSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 104 MHz | 비 비 | 2mbit | 플래시 | 256k x 8 | spi-쿼드 i/o | 800µs | |||
 | W979H2KBVX2E | 5.8044 | | 4852 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 새로운 새로운 아닙니다 | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 134-VFBGA | W979H2 | sdram- 모바일 lpddr2 | 1.14V ~ 1.95V | 134-VFBGA (10x11.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0028 | 168 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 음주 | 16m x 32 | 평행한 | 15ns | |||
| W631GG6NB12I | 4.8100 | | 198 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-VFBGA | W631GG6 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-VFBGA (7.5x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W631GG6NB12I | 귀 99 | 8542.32.0032 | 198 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 64m x 16 | sstl_15 | 15ns | |
| W29n02kwbibf tr | - | | 5894 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | W29N02 | 플래시 -Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 63-VFBGA (9x11) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W29N02KWBIBFTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,500 | 비 비 | 2gbit | 22 ns | 플래시 | 128m x 16 | 평행한 | 25ns | ||
 | W631GG8NB12I TR | 4.8800 | | 2 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-VFBGA | W631GG8 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-VFBGA (8x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 8 | sstl_15 | 15ns | ||
 | W25Q64FVSSJF | - | | 8279 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | W25Q64 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 104 MHz | 비 비 | 64mbit | 플래시 | 8m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 50µs, 3ms | |||
| W632GG8MB15I | - | | 2517 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-VFBGA | W632GG8 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-VFBGA (10.5x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 242 | 667 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | - | ||
| W9412G6JB-5 | - | | 4266 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-TFBGA | W9412G6 | sdram | 2.7V ~ 2.3V | 54-TFBGA (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W9412G6JB-5 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 209 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 700 PS | 음주 | 8m x 16 | lvttl | 15ns | |
| W25X10VZPIG T & R. | - | | 7861 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | W25X10 | 플래시 | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 75MHz | 비 비 | 1mbit | 플래시 | 128k x 8 | SPI | 3ms |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
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