SIC
close

메모리 (2872)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 sic 프로그램 가능
W25Q80EWZPAG Winbond Electronics W25Q80ewzpag -
RFQ
 ECAD 6798 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q80 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-wson (6x5) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q80ewzpag 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 8mbit 6 ns 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o 30µs, 800µs
W25Q81EWSNAG Winbond Electronics W25Q81ewsnag -
RFQ
 ECAD 3061 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) W25Q81 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q81ewsnag 1 104 MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o -
W25Q64CVZEAG Winbond Electronics W25Q64CVZEAG -
RFQ
 ECAD 7500 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q64CVZEAG 쓸모없는 1 80MHz 비 비 64mbit 6 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
W25Q64CVZPSG Winbond Electronics W25Q64CVZPSG -
RFQ
 ECAD 4980 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x5) 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q64CVZPSG 쓸모없는 1 80MHz 비 비 64mbit 6 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
W25Q64CVSFSG Winbond Electronics W25Q64CVSFSG -
RFQ
 ECAD 3711 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) W25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q64CVSFSG 쓸모없는 1 80MHz 비 비 64mbit 6 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
W25Q64JVTBSM Winbond Electronics W25Q64JVTBSM -
RFQ
 ECAD 3009 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (8x6) 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q64JVTBSM 1 133 MHz 비 비 64mbit 6 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W25Q64JVSFAM Winbond Electronics W25Q64JVSFAM -
RFQ
 ECAD 5423 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) W25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q64JVSFAM 1 133 MHz 비 비 64mbit 6 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W25Q80BVWA Winbond Electronics W25Q80BVWA -
RFQ
 ECAD 6234 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) - - W25Q80 플래시 - 아니오 2.5V ~ 3.6V - - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q80BVWA 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 8mbit 6 ns 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
W25Q80BVZPAG Winbond Electronics W25Q80BVZPAG -
RFQ
 ECAD 8182 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q80 플래시 - 아니오 2.5V ~ 3.6V 8-wson (6x5) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q80BVZPAG 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 8mbit 6 ns 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
W25Q64FWSSAQ Winbond Electronics W25Q64FWSSAQ -
RFQ
 ECAD 9099 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q64 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q64FWSSAQ 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 64mbit 6 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 60µs, 5ms
W25Q64JWSSAM Winbond Electronics W25Q64JWSSAM -
RFQ
 ECAD 9968 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q64 플래시 - 아니오 1.7V ~ 1.95V 8-SOIC - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q64JWSSAM 1 133 MHz 비 비 64mbit 6 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 3ms
W25N02KVTCIU TR Winbond Electronics W25N02KVTCIU TR 4.0213
RFQ
 ECAD 3452 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25N02 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25N02KVTCIUTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 비 비 2gbit 7 ns 플래시 256m x 8 spi-쿼드 i/o 700µs
W25M02GVSFJG Winbond Electronics W25M02GVSFJG -
RFQ
 ECAD 9662 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) W25M02 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25M02GVSFJG 쓸모없는 44 104 MHz 비 비 2gbit 7 ns 플래시 256m x 8 spi-쿼드 i/o 700µs
W631GG6NB-15 TR Winbond Electronics W631GG6NB-15 TR 4.1500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA W631GG6 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-VFBGA (7.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 3,000 667 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 sstl_15 15ns
W25Q16FWSNSQ Winbond Electronics W25Q16FWSNSQ -
RFQ
 ECAD 1699 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) W25Q16 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q16FWSNSQ 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 16mbit 6 ns 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 60µs, 3ms
W25Q16FWZPSQ Winbond Electronics W25Q16FWZPSQ -
RFQ
 ECAD 5014 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q16 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-wson (6x5) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q16FWZPSQ 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 16mbit 6 ns 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 60µs, 3ms
W25Q16FWUXSQ Winbond Electronics W25Q16FWUXSQ -
RFQ
 ECAD 6036 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 W25Q16 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8- 호스 (2x3) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q16FWUXSQ 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 16mbit 6 ns 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 60µs, 3ms
W25Q64JVZEAQ Winbond Electronics W25Q64JVZEAQ -
RFQ
 ECAD 2725 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (8x6) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q64JVZEAQ 1 133 MHz 비 비 64mbit 6 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W25Q64JVZPAQ Winbond Electronics W25Q64JVZPAQ -
RFQ
 ECAD 4091 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x5) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q64JVZPAQ 1 133 MHz 비 비 64mbit 6 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W25Q32JVSSSM Winbond Electronics W25Q32JVSSSM -
RFQ
 ECAD 7725 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q32 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q32JVSSSM 1 133 MHz 비 비 32mbit 6 ns 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms 확인되지 확인되지
W25Q16DVSSBG Winbond Electronics W25Q16DVSSBG -
RFQ
 ECAD 2814 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q16DVSSBG 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 16mbit 6 ns 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
W25Q16DVSNAG Winbond Electronics W25Q16DVSNAG -
RFQ
 ECAD 9987 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) W25Q16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q16DVSNAG 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 16mbit 6 ns 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
W25Q16DVZPBG Winbond Electronics W25Q16DVZPBG -
RFQ
 ECAD 4254 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x5) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q16DVZPBG 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 16mbit 6 ns 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
W25Q80DVSNSG Winbond Electronics W25Q80DVSNSG -
RFQ
 ECAD 1843 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) W25Q80 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q80DVSNSG 1 104 MHz 비 비 8mbit 6 ns 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o 30µs, 3ms
W25Q16JWZPAM Winbond Electronics W25Q16JWZPAM -
RFQ
 ECAD 4336 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q16 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-wson (6x5) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q16JWZPAM 1 133 MHz 비 비 16mbit 6 ns 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 3ms
W631GG6MB12J TR Winbond Electronics W631GG6MB12J TR -
RFQ
 ECAD 1498 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA W631GG6 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-VFBGA (7.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W631GG6MB12JTR 쓸모없는 3,000 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 sstl_15 15ns
W631GG8NB15J TR Winbond Electronics W631GG8NB15J TR -
RFQ
 ECAD 8939 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA W631GG8 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-VFBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W631GG8NB15JTR 귀 99 8542.32.0032 2,000 667 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 sstl_15 15ns
W631GG6NB11J TR Winbond Electronics W631GG6NB11J TR -
RFQ
 ECAD 3623 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA W631GG6 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-VFBGA (7.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W631GG6NB11JTR 귀 99 8542.32.0032 3,000 933 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 sstl_15 15ns
W631GG6NB15J TR Winbond Electronics W631GG6NB15J TR -
RFQ
 ECAD 4688 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA W631GG6 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-VFBGA (7.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W631GG6NB15JTR 귀 99 8542.32.0032 3,000 667 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 sstl_15 15ns
W631GU6NB12J TR Winbond Electronics W631GU6NB12J TR -
RFQ
 ECAD 6097 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA W631GU6 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V, 1.425V ~ 1.575V 96-VFBGA (7.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W631GU6NB12JTR 귀 99 8542.32.0032 3,000 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다